增强UV-B辐射和He-Ne激光辐照对小麦离体叶绿体光化学活性的影响

利用低剂量的He-Ne激光和增强UV-B处理小麦叶绿体,研究了He-Ne激光对UV-B辐射损伤的修复效应.将提取的离体完整叶绿体分成CK(对照)、L(激光)、B(UV-B)和BL(UV-B和He-Ne激光复合处理)不同处理组.B、BL组经过不同剂量的紫外辐照处理(剂量依次为0.42 kJ·m－2·d－1,0.84 kJ·m－2·d－1 ,1.26 kJ·m－2·d－1),其中BL组被UV-B辐射处理后再用He-Ne激光(5 mW·mm－2)辐照.利用低温荧光法测定不同处理组小麦叶绿体荧光发射光谱的变化;用电导仪和Clark氧电极仪分别测量叶绿体膜透性和电子传递速率,膜透性的改变从一定程度上能反应膜的损伤程度;ATPase活性采用分光光度计测量.研究表明:He-Ne激光和增强UV-B辐射影响叶绿体激发能的分配,UV-B辐照达到1.26 kJ·m-2·d－1时,叶绿体几乎完全失去活性;He-Ne激光则从一定程度上能促进叶绿体的光化学活性.UV-B辐射后的叶绿体再经过He-Ne激光的辐照处理后,可以恢复部分光化学活性,但当叶绿体损伤严重,光化学活性完全丧失时,He-Ne激光对其没有激活作用.     

Ag－与He原子碰撞的单电子脱附截面的实验研究

对Ag-与He原子碰撞的单电子脱附过程进行了实验研究,使用增长率方法在5~10keV能量范围内对脱附截面进行了测量,得到在20keV时的典型值为6.6×10-6 cm2。实验结果的不确定度约为8%。     

BaCe0.5Zr0.4La0.1O3－α陶瓷的制备及其电性能

以高温固相反应法合成了BaCe0.5Zr0.4La0.1O3－α陶瓷. 粉末XRD结果表明, 该陶瓷材料为单一钙钛矿型BaCeO3斜方晶结构, 在高温下、CO2或水蒸气气氛中具有较高的稳定性. 以陶瓷材料为固体电解质、多孔性铂为电极, 用交流阻抗谱技术测定了材料在500～900 ℃下, 不同气体气氛中的电导率; 用气体浓差电池方法测定了材料在干燥空气、湿润空气和湿润氢气气氛中的离子迁移数, 研究了材料的离子导电特性. 结果表明, 在500～900 ℃下, 干燥或湿润的气体气氛中, 随着温度升高和氧分压增大, 材料的电导率均增大. 在干燥空气中, 陶瓷材料的氧离子迁移数为0.685～0.147, 是一个氧离子与电子空穴的混合导体. 在湿润空气中, 陶瓷材料的质子迁移数为0.001～0.006, 氧离子迁移数为0.618～0.164, 是一个质子、氧离子和电子空穴的混合导体. 在湿润氢气中, 500～700 ℃温度范围内, 陶瓷材料的质子迁移数为1, 是一个纯的质子导体; 而在800～900 ℃温度范围内, 陶瓷材料的质子迁移数为0.957～0.954, 是一个质子与电子的混合导体, 质子电导占主导.     

针状纳米NixZn1－xFe2O4的制备及磁性能

以FeCl₂, Zn(NO₃)₂, Ni(NO₃)₂为原料, 利用化学沉淀法制得了针状纳米α-FeOOH, 并借助针状α-FeOOH做为中间体, 采用柠檬酸法在针状纳米α-FeOOH表面包裹镍和锌的柠檬酸络合物后, 于不同温度煅烧后制得了针状纳米Ni_xZn_1－xFe₂O₄. 利用红外光谱仪(IR)、X射线衍射技术(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对样品的物相﹑晶格常数、形貌和粒径进行表征, 并利用振动样品磁强计(VSM)对样品进行磁性能研究. 结果表明: 利用化学沉淀-柠檬酸法制得的Ni-Zn铁氧体样品保持了中间体α-FeOOH的针状形貌, 所得样品的直径在40 nm左右, 长度约600 nm, 长径比大于15. 随着煅烧温度的升高样品直径有所增加, 长径比下降, 随着x值的增加, Ni_xZn_1－xFe₂O₄样品的晶格常数a从0.8442 (x＝0)逐步减少到0.8353 (x＝1.00), 矫顽力(Hc)从63.5 Oe (x＝0)逐步增加到358.7 Oe (x＝1), 饱和磁化强度(M_s)先增加后减小, 当x＝0.6时达到最大为58.9 emu/g. 与相似条件时制备的不定型Ni_xZn_1－xFe₂O₄相比, 由于针状Ni_xZn_1－xFe₂O₄的各向异性增大, 而表现出明显的硬磁性.     

Ce1－xPrxO2－δ (x＝0.05～0.30)固溶体的合成及其性质研究

利用溶胶-凝胶法合成了固溶体Ce1－xPrxO2－δ (x＝0.05～0.30). X射线衍射(XRD)分析表明, 在x≤0.30的范围内形成了单相萤石结构固溶体Ce1－xPrxO2－δ; X射线光电子能谱(XPS)结果表明, 样品中氧缺位浓度随掺杂量增大而增大, 铈离子主要为Ce4＋离子, 镨离子以混合价态Pr3＋和Pr4＋存在; 拉曼光谱(Raman)观察到两个峰, 458 cm－1峰为特征F2g振动谱带, 较宽的570 cm－1峰与样品中氧离子缺位有关; 交流阻抗谱测试表明, 固溶体Ce1－xPrxO2－δ的电导率随掺杂量增加而增大, x＝0.2时, 电导率达到最大, 活化能较低, σ600 ℃＝3.28×10－2 S/cm, σ700 ℃＝6.06×10－2 S/cm, Ea＝0.54 eV (250～650 ℃), Ea＝0.49 eV (650～800 ℃).     

在(TPA)2O-Na2O-SiO2-H2O体系中MFI型硅沸石的结晶行为(Ⅱ)──硅沸石微细晶粒的低温合成及其结构和性质表征

以白炭黑和硅溶胶为桂源, 在(TPA)₂O-Na₂O-SiO₂－H₂O体系60℃下合成了高结晶度纯相硅佛石.由SEM测得其晶粒尺寸为0.2μm和0.45μm, 用XRD线宽法测得的为0.02μm.与180℃时合成的硅沸石样品相比, 低温合成的细晶粒硅沸石已具备纳米级材料的若干特性.其正乙烷吸附量反常增大;XRD、FTIR、²⁹SiMASNMR和TG／DTG／DTA的研究证明, 其结构破坏温度和单斜／正交对称性相转变温度明显下降, 桂羟基缺陷明显增加.     

利用外延生长中动力学各向异性制备有序取向周期转变超晶格的方法

文章报道了关于外延生长中动力学各向异性导致有序取向转变的理论研究结果.以CoPt合金薄膜在Pt缓冲层上的外延生长为例,在生长温度适宜时,研究发现,随生长速率的加快,体系有序结构会逐渐从L10 ［001］有序过渡到L10 ［100］有序再发展到无序结构.基于这些机制,文章作者提出了一个制备有序取向周期变化超晶格的方法.     

自组装双分子基传感器的光电子学及光谱学研究

本文综述了近年来在双分子层脂膜 ( BLM)特性、制备技术及研究方法等方面的新进展。同时着重介绍了膜体系的光电子学与光谱学特性及其在不同领域的应用 ,以及我们在该领域所开展的相关工作     

Using symbolic computation to construct travelling wave solutions to nonlinear partial differential equations

Based upon the symbolic computation and the coupled projective Riccati equation, the tanh function method is further improved. As its applications, Wu－Zhang equation (which describes a (2+1)-dimensional dispersive long wave) and the (1+1)-dimensional dispersive long wave equation obtained from Wu－Zhang equation by scaling transformation and symmetry reduction are chosen to illustrate the validity of the proposed approach.     

Mapping deformation method and its application to nonlinear equations

An extended mapping deformation method is proposed for finding new exact travelling wave solutions of nonlinear partial differential equations (PDEs). The key idea of this method is to take full advantage of the simple algebraic mapping relation between the solutions of the PDEs and those of the cubic nonlinear Klein－Gordon equation. This is applied to solve a system of variant Boussinesq equations. As a result, many explicit and exact solutions are obtained, including solitary wave solutions, periodic wave solutions, Jacobian elliptic function solutions and other exact solutions.