在MOCVD外延生长中Ⅴ/Ⅲ比对AlxGa1-xAs外延层中A1组分分布的影响

本实验首次观察到用MOCVD方法在GaAs基片上外延生长AlxGa1-xAs/GaAs薄膜结构时,生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比对外延层中Al组份x的分布的影响.当Ⅴ/Ⅲ比较低时,外延层中的Al组份出现很明显的层状阶梯形三层分布:靠近基片的一层中x值较低,而在外延层的表面层中x值较高.随着生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比增加时,Al组份的分布趋于均匀.利用GaAs的高温热分解和Ga、As离子在晶体中的热扩散及其对外延生长的影响,对这一现象作了初步解释.     

MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备

本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺,为制备All-NbN的 NbN/AlN/NbN SIS 隧道结作准备.我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜,并对其超导电性做了初步的研究;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜.我们利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索.     

爱因斯坦（Einstein,Albert，1879-1955）德国-瑞士-美国大物理学家（Great Physicist，Germany—Switzerland—America）

爱因斯坦是人类历史上最具创造性才智的人物之一。20世纪初的15年中，他提出一系列的科学理论，最先断言物质和能量的相当性；对空间、时间和引力都赋予完整的新概念。他的相对论远比牛顿物理学先进，并对科学和哲学都作出了革命性的探索。他的质能方程E=mc^2表明物质粒子可以转变为巨大的能量，这已由原子弹、氢弹的威力得到确认。出生德国，青少年时曾在慕尼黑受教育，喜爱音乐，并是一名熟练的小提琴手。     

n-1／n（G）表决系统中的可靠性分析

本文通过补充变量法研究了n-1/n(G)表决系统中可靠度,可用度,以及故障频度等可靠性的一系列指标.     

LP-MOCVD生长InGaAs/InP应变量子阱的研究

本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In_1-xGa_xAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev.     

SMAP／INDI／1单重休假随机服务系统的MSP方法

本文借助于马尔可夫骨架过程(MSP)方法研究了SMAP/INID/1单重休假随机服务系统的队长及等待时间等指标的瞬时分布.