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Zhang Z Wang J Tu Q Nie N Sha J Liu W Liu R Zhang Y Wang J 《Colloids and surfaces. B, Biointerfaces》2011,88(1):85-92
The current paper reports the synthesis of a highly hydrophilic, antifouling dendronized poly(3,4,5-tris(2-(2-(2-hydroxylethoxy)ethoxy)ethoxy)benzyl methacrylate) (PolyPEG) brush using surface initiated atom transfer radical polymerization (SI-ATRP) on PDMS substrates. The PDMS substrates were first oxidized in H2SO4/H2O2 solution to transform the Si-CH3 groups on their surfaces into Si-OH groups. Subsequently, a surface initiator for ATRP was immobilized onto the PDMS surface, and PolyPEG was finally grafted onto the PDMS surface via copper-mediated ATRP. Various characterization techniques, including contact angle measurements, attenuated total reflection infrared spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy, were used to ascertain the successful grafting of the PolyPEG brush onto the PDMS surface. Furthermore, the wettability and stability of the PDMS-PolyPEG surface were examined by contact angle measurements. Anti-adhesion properties were investigated via protein adsorption, as well as bacterial and cell adhesion studies. The results suggest that the PDMS-PolyPEG surface exhibited durable wettability and stability, as well as significantly anti-adhesion properties, compared with native PDMS surfaces. Additionally, our results present possible uses for the PDMS-PolyPEG surface as adhesion barriers and anti-fouling or functional surfaces in biomedical applications. 相似文献
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采用分子动力学方法模拟了不同孪晶界密度银纳米线的拉伸形变行为, 分析了孪晶界密度对多晶银纳米线屈服强度、弹性模量和塑性变形机理的影响. 在弹性形变区域, 孪晶界的存在对杨氏模量变化的作用不明显. 在塑性形变阶段, 首先从表面边缘开始产生位错成核, 然后延伸并受阻于孪晶界. 在进一步拉伸载荷作用下, 孪晶界将作为位错源产生新的位错. 模拟结果表明, 银纳米线的强度与孪晶界和晶粒的尺寸有关. 孪晶界密度较小(即晶粒的长径比大于1)时, 此纳米线的屈服应力比单晶纳米线还要小, 只有当孪晶界密度较大时(即晶粒的长径比小于1), 孪晶界使得纳米线得到强化. 综合分析了孪晶界和晶粒尺寸对银纳米线的影响, 为构建高强度金属纳米线打下基础. 最后讨论了温度和拉伸速度对孪晶纳米线屈服应力所产生的影响, 随着温度的升高, 孪晶纳米线与单晶纳米线的屈服应力差先升高后趋于稳定; 当拉伸速度逐渐增大, 孪晶纳米线与单晶纳米线的屈服应力差先稳定后增大. 相似文献
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在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1~800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。 相似文献
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A multilayer dielectric cylindrical mirror (MDCM) based on the one-dimensional omnidirectional reflection of a photonic crystal is presented. In this case, the refractive indices of the two materials are 1.6 (polystyrene) and 4.6 (tellurium), and the corresponding optimized thicknesses are 0.75a and 0.25a. A very high reflectance over a wide frequency range is observed. In this case, a is the lattice constant of the photonic crystal. In this band, the MDCM has good reflection and focal properties. Therefore, it is feasible to use the MDCM for integrated waveguide devices. As an example, an etched diffraction grating demultiplexer based on the MDCM is also proposed. Both the operational principle and design of the device are introduced. This provides a method for designing compact integrated waveguide devices. 相似文献
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为增强有机太阳能电池的光利用率,提高能量转换效率,本文合成了金四面体形状的纳米粒子,并用聚苯乙烯磺酸钠(PSS)包裹形成了核壳结构的金纳米四面体(Au@PSS tetrahedra NPs).将其掺杂到有机太阳能电池空穴提取层与活性层的界面处,利用表面等离子体共振效应来增强活性层对光的吸收,从而提高有机太阳能电池的能量转换效率.研究了掺杂浓度和PSS包裹厚度对电池性能的影响.结果表明:掺杂浓度为6%时,器件性能最佳,能量转换效率达到3.08%; PSS壳层厚度优化为2.5 nm时,转换效率达到3.65%,较标准电池提升了22.9%.电池性能的改善主要源于金四面体纳米粒子的共振吸收峰位于给体材料吸收谱范围内,纳米粒子的共振促进了给体的吸收,同时PSS壳层的引入促进了激子的解离和电荷的转移,上述因素的改善提升了电池的短路电流、填充因子和转换效率. 相似文献
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为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)电学特性的影响,IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究了遮光金属栅极悬浮时,IGZO TFT的输出特性.采用器件数值计算工具TCAD(technology computer-aided design)分析了IGZO层与栅介质层界面处电势分布,证实了悬浮栅(floating gate,FG)IGZO TFT输出曲线的不饱和现象是由悬浮栅与TFT漏端的电容耦合造成.基于等效电容的电压分配方法,提出了悬浮栅IGZO TFT电流的一阶模型.TCAD数值分析及一阶物理模型结果与测试具有较高程度的符合,较完整地解释了悬浮栅IGZO TFT的电学特性. 相似文献
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Lowering the driving voltage and improving the luminance of blue fluorescent organic light-emitting devices by thermal annealing a hole injection layer of pentacene 下载免费PDF全文
We chose pentacene as a hole injection layer (HIL) to fabricate the high performance blue fluorescent organic light-emitting devices (OLEDs). We found that the carrier mobility of the pentacene thin films could be efficiently improved after a critical annealing at temperature 120 °C. Then we performed the tests of scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and Kelvin probe to explore the effect of annealing on the pentacene films. The pentacene film exhibited a more crystalline form with better continuities and smoothness after annealing. The optimal device with 120 ℃ annealed pentacene film and n-doped electron transport layer (ETL) presents a low turn-on voltage of 2.6 V and a highest luminance of 134800 cd/m2 at 12 V, which are reduced by 26% and improved by 50% compared with those of the control device. 相似文献