离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成.     

Rb(62D)原子与基态Rb原子,H2分子碰撞转移截面

本文用荧光法测量Rb(6²D)原子与基态Rb原子,H₂分子碰撞转移截面。结果表明:Rb(6²D)-Rb(5²s)转移截面为σ_fs=67×10^-14cm²,σ_tr=4.3×10^-14cm²,Rb(6²D)—H₂转移截面为σ_fs 关键词：     

微裂纹扩展中的分形现象及其计算机仿真

本文探讨了采用仿真技术研究微裂纹连接过程和生成分形断口表面的可行性，发展了用于仿真微裂纹随机生长行为的ＧＯ模型的基本构相，并进行了计算机仿真实验，由此得出了一此有的结论。     

胶束荧光法测定维生素B_2含量

维生素B_2(核黄素)为人体内黄酶类辅基的组成部分,参与人体内的生物氧化作用。药典规定其含量测定用分光光度法,文献报道有高效液相色谱法、荧光法等。但因维生素B_2(V_(B2))遇光易分解,尤其在碱性水溶液中,极易变质。其降解产物为感光黄素,二氢核黄素,光化色素等,因此给测定的准确度和灵敏度造成一定的麻烦,为了提     

ICP—AES法测定U3O8标样中Al、Cr、Fe、Mg、P、Pb、Ti、V、W

用7402季铵－Kel-F粉萃取色层使铀和待测杂质元素分离，接着用975型ICP光量计测定U3O8标样中Al、Cr、Fe、Mg、P、Pb、Ti、V、W，回收率为95－110％，相对标准偏差≤5％。     

直接模拟蒙特卡罗方法在微通道流动模拟中的应用

直接模拟蒙特卡罗方法是一种求解稀薄气体流动换热新的数值方法。本文采用该方法对Kn数跨越速度滑移区和过渡区的三个微通道内的流动进行了数值模拟,给出了通道内速度、压力及局部阻力系数的变化曲线.为了表明通道横纵比对流动的影响,还对每个算例在不同的横纵比下进行了比较。结果表明,微通道内的流动特性不仅与Kn数有关,而且与通道的横纵比也有很大的关系。     

高动态范围微通道板

导出微通道板动态范围的表达式,给出提高动态范围的几种可行途径,简要介绍一种高动态范围微通道板的主要特性。