转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响

在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。     

稀土钐离子可见荧光量子产率的精确测试与计算

采用积分球配以CCD光谱测试系统,在蓝色半导体发光二极管激发下,对Sm3 掺杂的低声子能量、高折射率铋碲酸盐玻璃的荧光光谱进行测试。实现了荧光发射特性绝对评价为目的的绝对光谱功率分布测定,为发光与激光材料荧光发射特性的精确测量与表征提供了一种准确方法。荧光测试系统由直径为25.4cm的积分球配以CCD探测器组成,通过标准卤素灯定标,辅助卤素灯校正积分球内环境变化,解析出样品的绝对光谱功率分布,并进一步计算出光量子数分布,求得荧光量子产率等荧光特征参量。测试与计算结果表明,对应可见区Sm3 四个特征发射峰,总荧光量子产率为7.55%。     

Paramagnetic properties of single-crystal silicon implanted with iron-group transition metals

Samples of single-crystal silicon implanted with iron-group ions are investigated by electron paramagnetic resonance (EPR). The change in relative permittivity μ_r of the silicon layer modified by implanted nickel ions is found. The accumulation kinetics of paramagnetic centers of amorphous regions of silicon implanted with Co, Ni, and Fe are shown to be different. Magnetic hysteresis for both the wide EPR line due to implanted impurities and the EPR line due to dangling chemical silicon bonds is found. __________ Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 75, No. 2, pp. 197–201, March–April, 2008.     

洞态氩离子的退激发及末电离态离子分布的理论研究

在描述洞原子(或离子)退激发过程只考虑单俄歇跃迁和辐射跃迁的辐射-单俄歇级联退激发模型的基础上,进一步考虑了双俄歇跃迁的贡献,发展了辐射-单俄歇-双俄歇级联退激发模型.据此模型研究了Ar⁺(1s^-1)(1s洞态氩离子)和Ar⁺(2s^-1)(2s洞态氩离子)的退激发过程及末电离态离子的分布,获得了与实验相符的结果. 关键词： 辐射-单俄歇级联退激发模型 双俄歇跃迁 辐射-单俄歇-双俄歇级联退激发模型 洞离子退激发     

铜原子纳米团簇热力学性质的分子动力学模拟研究

利用分子动力学模拟方法,研究了CuN(N=80,140,216,312,408,500,628和736)纳米团簇在热化和冷凝过程中结构和热力学性质的变化,模型采用的是Johnson的EAM作用势.模拟结果表明:铜团簇的熔点和凝固点随其尺寸线性增加,并逐渐向大块晶体靠拢;所有团簇的凝固点都低于熔点,出现凝固过程中的滞后现象;在熔点和凝固点附近,团簇都具有负热容特性,负热容是由相变前后团簇内部结构突变引起的.     

VOn±(n=0,1,2)的势能函数与光谱常数研究

用密度泛函B3LYP/6-311++G(d,p)方法和相对论有效实势(Lanl2dz基组)对VO^n±(n=0,1,2)分子离子的势能函数及光谱常数进行了分析. 结果表明它们都能稳定存在, 其基态电子状态分别是:⁴Σ(VO^2-), ³Σ(VO^-), ⁴Σ(VO), ³Σ(VO⁺)和²Σ(VO²⁺). 其中VO^2-和VO²⁺的势能函数曲线呈“火山口”型, 属于亚稳态分子离子. 用七参数Murell-Sorbie势拟合VO^2-和VO²⁺分子亚稳态双原子分子离子势能函数, 发现其拟合曲线与势能函数曲线符合得很好. 同时,讨论了电荷对势能函数和能级的影响. 关键词： 分子离子 密度泛函理论 势能函数 能级     

Quantum teleportation by entanglement swapping with trapped ions

An effective teleportation scheme for an unknown ionic internal state via trapped ions is proposed without joint Bell-state measurement (BSM). In the constructed quantum channel process, we make use of entanglement swapping to avoid decrease in entanglement during the distributing of particles. Thus our scheme provides new prospects for quantum teleportation in a longer distance. The distinct advantage of our scheme is insensitive to the heating of vibrational mode. Furthermore, our scheme has no any individual optical access, and the successful probability also can reach 1.     

火焰原子吸收光谱法测定生物样品中锌、铜和锰

生物样品经消化处理后,用火焰原子吸收光谱法测定样品中锌、铜和锰的含量,平均加标回收率为97.3%-102.4%,相对标准偏差(RSD)为0.65 %-1.40%.锌、铜和锰在给定范围内呈现良好的线性关系,相关系数分别为0.9994、0.9994和0.9983,方法简便,快速,结果可靠.     

Sm3+掺杂稀土硼酸盐玻璃的光谱参数计算和荧光光谱分析

制备了具有高效可见荧光发射的Sm3 掺杂稀土硼酸盐(LBLB)玻璃,对玻璃的吸收和荧光光谱展开了测试与分析.根据Judd-Ofelt理论对吸收光谱进行了拟合,求得Sm3 离子的晶场调节参数Ωt=(2,4,6)分别为6.81×10-20,4.43×10-20和2.58×10-20 cm2,并进一步计算出各能级跃迁的谱线强度、自发辐射跃迁概率、辐射寿命和荧光分支比等光谱参数.紫外光激发下,Sm3 掺杂LBLB玻璃发出明亮的橙红色光.激发光谱表明,氩离子激光器是Sm3 掺杂LBLB玻璃有效的激发光源.     

Rh ⅩⅢ,Pd ⅪⅤ和AgⅩⅤ离子4s~24p~3—4s~24p~25s跃迁的扩展分析

用相对论HartreeFock方法对YⅦ—AgⅩⅤ离子4s24p3和4s24p25s组态的能级结构进行了系统的理论计算.通过分析能级结构的Slater径向积分参数沿等电子序列的变化规律,运用参数拟合外推(或内插)的方法计算了上述离子组态的能级结构参数.在此基础上,计算了Rh,Pd和AgⅩⅤ离子4s24p3(4S32,2P12,32,2D12,32)和4s24p25s(4P12,32,52,2P12,32,2D32,52,2S12)组态的精细结构能级以及这两个组态之间电偶极允许跃迁的全部35条谱线波长与相应的振子强度,其中Pd和AgⅩⅤ离子的所有数据纯属目前的预测计算值.