翠雀花明的化学结构

分自大花翠雀(delphinium grandiflorum)地上部分的一个新二萜生物碱,命令为翠雀花明(delgramine,1),根据IR,MS,^1H和^13CNMR,OFR及^1H-^1HNOESY,^13C-^1HCOSY二维谱阐明了其化学结构.     

金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究

本文以n/n^+-Si和p/n^+-Si为基底, 通过铂、镍等金属膜表面修饰后组成光电化学电池, 探讨了金属/n-Si间的Schottky势垒对电池开路光电压的影响。研究了铂膜修饰电极的光电化学性能。用p/n^+-Si电极, 在65mW·cm^-^2的光照射下, 最佳电池的输出参数是: 开路光电压0.530V, 短路光电流47.6mA·cm^-^2, 填充因子0.35, 光电转换效率13.6%, 连续照光75小时, 电池性能基本稳定。     

苦玄参化学成分的研究 VII.一苦玄参苷IA和IB的结构

本文报道从具有抗肿瘤活性的苦玄参(Picriafel-tarraeLour)提取物的B部分中分得两个新四环三萜苷-苦玄参苷(Picfeltarraenin)IA(1)和IB(2).1和2经酸水解均得警玄参苷元I(3),经稀酸水解分别次生苷4和5。根据1,2,4,5及它们衍生物的1HNMR,12CNMR和NICIMS数据,证明1为3的3-O-β-D[α-L-吡喃鼠李糖基(1→2)]-吡喃木糖苷,2为3的3-O-β-D-[α-L-吡喃鼠李糖基(1→2)]-吡喃葡萄糖苷。     

钩吻素子的全合成研究-具有19-C, 20-C双键、16-C氧代的蛇根精架的合成

本文报道L-色氨酸为原料, 采用我们新发展的立体专一性合成1,2,3,4-四氢-β-咔啉的方法, 通过Dieckmann反应, 合成了β-酮酯11。由11经Mn(III)/Cu(II)自由基环化反应, 首次成功地建立了具有19-C, 20-C双键、16-C氧代的蛇根骨架。     

二茉并-18-冠-6与位移试剂Eu(fod)3相互作用的^1H NMR研究

本文用核磁共振法研究了位移试剂Eu(fod)3与二苯并-18-冠-6的相互作用。根据观察化学位移的数据求得了逐级平衡常数值和各纯组分的化学位移值。着重分析了OCH2质子NMR峰在[R0]/[S0]>1.3时发生分裂现象, 指出分裂原因是在R2S配合物中, 在AA'位本位的几率与BB'位配位几率不同。     

分子轨道法研究硅酸盐分子结构

Pauling提出的硅酸盐结构规则,原则上只适用于纯粹离子键化合物。硅酸盐中硅酸根与金属原子之间的化学键是离子键,但是硅氧键却没有证据说明它是离子键。 Stewart等从X射线衍射实验和轨道电负性理论论证,α-石英中Si—O键仅有25％的离子性。还有人认为Si—O键的离子性为31～37.5％。我们用CNDO/2法计算得     

杂原子分子筛VIII.Ti-SiPentasil型分子筛的结构研究

本文研究了Ti-Si Pentasil型分子筛的结构。红外光谱和拉曼光谱表明,Ti-Si分子筛骨架中存在Ti-O-Si键的振动;顺磁共振谱证实Ti[4+]处在畸变四面体环境中;X射线光电子能谱进一步验证了该分子筛骨架中钛以钛氧四面体(TiO4)[4-]的形式存在;电子探针对分子筛的晶胞参数,将钛含量作为被测函数,与全硅分子筛相比,Ti-Si分子筛的单位晶胞体积是直线上升的,这与分子筛骨架中Ti对Si的取代相一致。     

膜催化研究 I: 在钯/陶瓷复合膜反应器中催化甲醇直接脱氢制甲醛

本文用化学镀方法制备了对氢具有高选择性和高透过率的钯/陶瓷复合膜, 并将此复合膜装于特制的膜反应器中, 考察了该反应器对甲醇催化脱氢制甲醛反应的促进作用。作为对比, 在常规反应器中也进行了上述反应。发现在623～773K温度范围内, 甲醇的转化率和甲醛的产率均有很大的提高。在低原料空速下(反应进程为热力学平均控制), 产物甲醛的产率可提高20%以上; 在中等原料空速下(反应进程为动力学控制), 甲醛的产率可提高10～15%。     

分子间相互作用能量的正交分解

对反应A+B=AB, 将反应物A+B的波函数生成物AB的组态波函数正交展开, 可以得到AB键形成时σ键和π键所占的比例, 从而提供了一种研究分子间相互作用本质的半定量方法。以BH3+CO=H3BCO反应为例说明了该方法的应用。     

微波等离子体化学气相沉积法低温合成纳米碳管

纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向。在众多的合成方法 中,化学气相沉积法,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面 意义重大。本研究利用溶胶-凝胶法结合等离子体还原,获得了负载在SiO_2上的纳 米金属钻颗粒。以甲烷为碳源、氢气为载气,在纳米金属钴颗粒的催化作用下,利 用微波等离子体化学气相沉积法在低于500 ℃ 的温度条件下合成了纯度较高的纳 米碳管。