稀薄气体二维外部柱体绕流特性研究

本文采用直接模拟蒙特卡罗方法对稀薄气体二维外部柱体绕流问题进行了数值模拟。结果表明:外部绕流问题,在特定情况下会产生激波,激波的产生,不仅与气体的稀薄程度有关,还与来流马赫数有关。而气流与壁面之间的换热,随来流马赫数增加而增加,随气体稀薄程度增加而减小。     

超流研究的历史回顾

回顾了超流发现的历史，介绍了超流的一些现象、理论以及新近的研究结果。强调指出超流与超导一样是一种宏观量子现象。     

关于气体中有无速率为无穷大分子的再讨论

本文以较简捷的方法讨论了气体分子速率问题，给出了计算分子最大速率的理论公式，通过这些讨论可更加深入地理解气体中分子的运动情况，准确地理解麦克斯韦速率分布函数。     

热丝加热电流对CH薄膜沉积速率和表面形貌的影响

 热丝辅助裂解法是结合气相沉积制备聚对二甲苯薄膜和热丝化学气相沉积而形成的一种制-CH薄膜的新方法。热丝辅助裂解法的最大特点就是在保持低衬底温度情况下可以获得高沉积速率，而热丝加热电流对薄膜沉积速率和薄膜表面形貌具有重要影响。研究表明，热丝加热电流越大，薄膜沉积速率越高，在加热电流9A时，薄膜沉积速率可达0.002mm/min，同时薄膜表面粗糙度随之增加，薄膜表面也开始出现其它元素污染，因此，一般热丝加热电流选择为7A附近。     

COIL中稀释气体对单态氧产率影响的实验研究

 利用自发Raman散射光谱对射流式氧发生器的单态氧产率进行了测试，研究了稀释气体对于发生器产率的影响，并分析了造成影响的原因     

用迈克耳逊干涉仪测量气体折射率的误差的研究

研究在用迈克尔逊干涉仪测量气体折射率时存在的系统和方法误差，提出了误差修正方法。     

4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究，并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结，其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内，隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内，样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性，可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底     

Nd：GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd：GdVO4)单晶，并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑，测定了(100)面晶体位错密度为600个／mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌，可采用简单光学方法确定晶体方向。     

化学与化工——化学与化工学科研究进展

在气体泄漏监测工作中选择合适的示踪剂是非常重要的。近年来，围绕示踪剂的研究开展了大量的工作，为了寻求现有示踪剂的改进，开展了全氟二甲基环丁烷示踪剂在carboxen-569分子筛上的吸附行为研究，考察了温度和采样速度对示踪剂穿透体积和安全采样体积的影响，确定了大气示踪剂样品的采集工艺参数和热解吸条件，为该示踪剂的应用奠定基础。