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本文制备了不同形态的含镍Y沸石, 研究了温度, 时间和H~2S浓度对含镍Y沸石硫化的影响, 发现负载型含镍Y沸石最易硫化, 离子交换型次之, 骨架型最难硫化。考察了沸石表面硫化物物种的热稳定性和水热稳定性。指出高温下沸石脱附的水蒸汽能使硫化物发生水解, 导致催化剂失硫。用XRD, IR和化学分析等方法对硫化的含镍沸石催化剂进行表征, 硫化后沸石表面形成的NiS~x有可能是属正交晶系的Ni~7S~6化合物。对噻吩加氢脱硫反应, 硫化的含骨架镍Y沸石无催化活性, 硫化的离子交换型含镍Y沸石活性比负载型含镍Y沸石高5-6倍左右, 因其酸性较强。催化剂表面酸性位和硫化镍活性位共存, 对噻吩加氢脱硫反应是有利的。 相似文献
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水溶性苝醌衍生物(13-SO~2Na-DDHA)与胶体半导体(CdS)澡光 诱导电子传递过?
痰亩ρа芯? 总被引:2,自引:0,他引:2
根据非均相体系电子传递动力μ<0(μ=E~s*/s+-E~CB)的原理,构建出相匹配的水溶性苝醌衍生物光敏剂(13-SO~2Na-DDHA)与胶体半导体(CdS)的复合体体系,?
獯忝鸱椒ǎ獬鏊侵浜捅砉劢岷铣J?K~app)为1480(mol/L)^-1。继而?
τ孟孕?spincounteraction)的ESR技术,首次定量地研究了它们之间的光诱?
嫉绱莨痰亩ρВ范耸?3-SO~3Na-DDNA光敏化作用的CdS胶体半导体表?
婀饣乖ρХ匠毯退俾食J峁⑾郑诒咎逑抵蠺EMPO接受光电子的反应?
妒?,而不同于均相体系中的反应级数别虽在相同可见光照射条件下(13-SO~2Na-DDHA)复合体的光还原速率比单独CdS高约82倍,表明该水溶性光敏剂对CdS胶体半导体具有显著的敏化效果,在太阳能应用中可被用作CdS胶体半导体有效的敏化剂。 相似文献
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[Cd(ATZ)~4(H~2O)~2](PA)~2·2H~2O的合成、晶体结构 和热分解机理研究 总被引:6,自引:0,他引:6
合成了以5-氨基四唑为配体的镉配合物[Cd(ATZ)~4(H~2O)~2](PA)~2·2H~2O,并对其进行了晶体结构测定。测定结果表明,该配合物分子具有中心对称性,每个Cd^2^+分别与2个水分子中的氧原子和4个5-氨基四唑(ATZ)分子中的4-位氮原子配位,形成六配位畸变八面体结构;在配合物分子间存在大量氢键,增加了整个晶体结构的稳定性。通过DSC和TG-DTG分析,提出了标题化合物的热分解机理。 相似文献
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镉(Ⅱ)-碘化物-碱性呫吨染料体系的倍频散射和二级散射及其 分析应用 总被引:2,自引:0,他引:2
在稀磷酸介质中,当镉(Ⅱ)与过量Ⅰ^-离子形成[CdI4]^2-配阴离子并进一步与罗丹明B(RhB)、罗丹明6G(Rh6G)、乙基罗丹明B(ERhB)和丁基罗丹明B(BRhB)等碱性呫吨染料(BXD)形成离子缔合配合物[BXD]2[CdI4]时,在产生强烈共振瑞利散射(RRS)的同时,也会产生强烈的倍频散射(FDS)和明显的二级散射(SOS)。在一定条件下散射强度与镉的浓度成正比。方法有高灵敏度和较好的选择性,可用于纯锌中痕量镉的测定。文中对于FDS和SOS产生的原因进行了初步的探讨。 相似文献
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(NH_4)_2WS_4,CuCl 和 NH_2OH·HCl 在吡啶溶液中反应可得到红色晶体 WCu_4S_4Cl_2(NC_5H_5)_6.晶体属于单斜晶系,空间群为为 C_(2h)~6-C2/c.晶胞参数为:a=14.883(9),b=12.580(6),c=20.318(9)(?);β=100.50(4)°;Z=4.结构用重原子法解出,经最小二乘法修正,偏离因子R=0.069.分子具有 C_2点群对称性,中心 W 原子以平面四方形形式和四个 Cu 原子结合.W—Cu间平均距离为2.673(?).该化合物为钨铜的混合金属原子簇化合物. 相似文献
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本文应用小角X-射线散射,参考方介石与硬脂酸结晶结构,为硬脂酸镉盐膜系设计了七种可能的分子链模型,在微机上进行拟合研究。结果指出:链倾角Ach~24-27°,与β-硬脂酸结晶相近;碳键角Acc~115°,比正四面体模型有所扩张;链端羧酸镉属离子键结构,而非文献习用的共价键结构;堆砌缺陷d约0.156nm,小于文献值约0.1nm;酸/皂剂量比x=0.8-1.0,因制膜条件变化而不同;界面对链堆砌有明显影响。总之,小角X-射线散射可对超薄L-B薄膜(<10nm)的精细结构进行有效的研究。 相似文献
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Mixed oxide/sulfide systems for photocatalysis 总被引:2,自引:0,他引:2
Agatino Di Paola Maurizio Addamo Leonardo Palmisano 《Research on Chemical Intermediates》2003,29(5):467-475
Mixed WO3/WS2 and ZnO/ZnS powders have been prepared by sulfidation of H2WO4 or ZnO. Photocatalytic degradation of phenol has been employed to test the photoactivity of the samples. The results indicated that the coupling of the two tungsten chalcogenides enhanced the rate of disappearance of the organic substrate. Unlikely, the ZnO/ZnS systems exhibited lower photocatalytic activitiy than pure ZnO. The different photocatalytic behaviour of the two mixed oxide/sulfide systems can be explained by a simultaneous displacement of electrons and holes between two different semiconductors. 相似文献
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