MoFe3S4单立方烷原子簇研究II. MoFe3S4(C5H10NCSS)5的合成与结构

六氢吡啶基二硫代甲酸钠盐、氯化亚铁及四硫代钼酸铵在二甲基甲酰胺及二氯甲烷中,经一步自兜反应,分别得到了[MoFe3S4(C5H10NCSS)5]DMF及[MoFe3S4(C5H10NCSS)5]CH2Cl2.通过X射线衍射测定了后者的晶体结构,比较了它与[MoFe3S4(Et2NCSS)5]^-结构特点的异同,同时研究了反应物摩尔比对产物的影响以及溶剂分子的置换反应.     

甲烷、氮、硫化氢、氨和水混合物的放电反应

以CH4、N2加热含氨、硫化氢水相混合物, 在3500V高压、电火花连续放电24h, 考察H2S在化学进化中的作用. 气相用质谱分析 , 水相经浓缩纯化并制成衍生物, 气相色谱测定有14种氨基酸. 体系中若无硫化氢时, 只生成六种氨基酸. 这表明硫是合成生命基础分子的必需元素, 可能在原始地球空间的化学进化过程中起重要作用.     

Triton X-100存在下镉试剂分光光度法测定痕量铊(III)

本文首次提出了在Triton X-100存在下, 以镉试剂作显色剂于水相直接分光光度法测定了痕量铊, 结果表明: 该体系具有很高的灵敏度, 是目前分光光度法测定铊的最灵敏方法之一.     

双三苯膦铁硫原子簇配合物(μ-i-C3H7S)(μ-PhCH2S)-Fe2(CO)4(PPh3)2的合成及晶体结构

通过(μ-i-C3H7S)(μ-PhCH2S)Fe2(CO)6和三苯膦在甲苯中回流反应6h, 制得了三苯膦双取代配合物(μ-i-C3H7S)(μ-PhCH2S)Fe2(CO)4(PPh3)2(1), 并用X射线衍射技术测得其单晶结构. 晶体属三斜晶系, 空间群为PI. 晶胞参数: a=10.268(4),b=20.289(1), c=22.799(5)埃; a=94.73(1)°, β=102.98(2)°, γ=89.93(1)°;V=4610.5埃^3, Z=4, Dc=1.36g/cm^3. 晶体结构用直接法(MULTAN 82)测定, 采用块矩阵最小二乘法进行最终结构精化, 最后偏离因子R=0.059, Rw=0.068. 单晶X射线分析表明, 配合物1的簇核是由两个铁原子和两个硫原子组成的蝴蝶式结构; 两个三苯膦配体处于铁-铁弯键的反位; 异丙基和苄基分别以6键与硫相连.     

三硫氰酸根三乙二胺合镉(II)钾(I)的晶体结构

含钾和二价金属离子的双金属硫氰酸根配合物的晶体结构研究已有一些报道。在K~2Pb(SCN)~4^[^1^]和K~2Cd(SCN)~4.2H~2O^[^2^]这两个化合物中,晶体结构都是由K^+和M(SCN)~4^2-组成。本文报道了Cd(en)~3K(NCS)~3的晶体结构,其基本构型与上述两个化合物有显著的不同(en为乙二胺)。     

Cr^3^+的水解聚合作用的研究IX.在顺丁烯二酸存在下用计算机修正作图结果

在60℃和恒定离子强度下,用平衡pH法研究顺丁烯二酸存在下Cr^3^+的水解和聚合作用.Cr^3^+和顺丁烯二酸同时以三种不同的浓度0.006,0.008和0.01mol.dm^-^3存在,Cr^3^+在水溶液中的状态用作图法和pqr分析法测定,发现有如下粒子存在:[CrA]^+,[Cr(OH)A],[Cr~2(OH)~2A~3].作图法的结果用计算机进行修正,计算了约50个数据点.所有粒子的水解常数均得到了良好的拟合.结果表明,使用LEMIT程序计算能比作图法所得的结果更为精确,此外还讨论了在顺丁烯二酸存在下Cr^3^+的聚合机理.     

硫铁矿制硫化铁机理的初步探讨

本文探讨了用硫铁矿(FeS_2)为原料,掺入适量铁屑,在还原性气氛中加热制备硫化铁的机理。用化学分析法和矿相分析法研究了硫铁矿离解的物理化学过程、矿物的物相变化以及铁屑所起的作用。从理论上阐明以硫铁矿为原料制备硫化铁的可能性。     

二核Fe/S化合物(Et4N)2[Fe2S2Br4]的合成与结构

标题化合物(Et4N)2[Fe2s2Br4](1)在VS/FeBr2/imnt2/Et4NCl反应体系中获得,它属于单斜晶系,空间群P21/n,主要晶胞参数为:α＝0.91193(2)nm,b=1.0837(3)nm,c=1.54360(1)nm,β=105.090(1),ν=1.4177(5)nm3,z=2,ρ=1.778g/cm3,μ＝6.841cm1,F(000)=748,结构精修结果为:R1=0.0287,wR=0.0640。簇阴离子[Fe2S2Br4]2含有一个菱形Fe2S2单元,铁的配位几何构型明显偏离了理想的Td对称性,导致整个阴离子的对称性降低为D2h.同时观察到它的Fe--Br键呈现反常加长倾向。     

CdO掺杂对BaTiO3基半导化陶瓷PTCR效应的改善

钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂切相关,蒸汽掺杂能够大幅度影响材料的PTCR效应。CdO在高温下具有较高的蒸汽压,是一种适用的蒸汽掺杂剂,研究了CdO以及CdO蒸汽对掺Y^3+的Ba1-xSrxTiO3陶瓷的PTCR效应的影响,结果首次发现了Cd^2+掺杂样品的PTCR效应都有不同程度的提高,采用蒸汽掺杂时,效果更为显著。现有的理论很难解释Cd^2+掺杂能够提高钛酸钡基材料PTCR效应。我们从缺陷化学的角度,分析了Cd^2+在BaTiO3基材料中的行为,推断表明这种现象可能是由于铁电相变时,处于晶界区的Cd^2+在Ba位和Ti位之间转换造成的。     

硼酸盐倍频晶体材料探索-α-LiCdBO3的合成

基于平面构型的阴离子基团可能具有大的倍频效应的观点,以固相反应法在LiBO2:CdCO3=1:1摩尔比,反应温度600～620℃,空气气氛中合成了α-LiCdBO3,α-LiCdBO3在高于620℃时开始转变成β-LiCdBO2,此β-多型体在867±5℃异元熔融而分解,考查了α-LiCdBO2的合成条件及其粉末倍频效应,测得α-LiCdBO3的SHG(Second harmonic generation)强度是ADP(NH4H2PO4)的三倍,β-LiCdBO3无倍频效应。