H3BO3对BaAl2Si2O8：Eu2+蓝色荧光粉物相组成和发光特性的影响

采用化学共沉淀法一次煅烧工艺合成了BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺蓝色荧光粉.用X射线衍射仪、荧光分光光度计和扫描电镜测试了助熔剂H₃BO₃对BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺蓝色荧光粉物相结构、发光性能、形貌等的影响.研究表明：化学共沉淀法一次煅烧工艺合成的BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺蓝色荧光粉为单相,H₃BO₃的加入使基质结构由六方相转变成单斜相,并引起发射主峰位置和发射强度的变化;BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺蓝色荧光粉的发光强度随着H₃BO₃加入量的增加先增强,后减弱,当加入H₃BO₃的质量分数为1.5%时,发光强度最大;H₃BO₃的加入使合成BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺蓝色荧光粉的颗粒呈类球形,分布更加均匀,粒度更小. 关键词： 3BO₃')" href="#">H₃BO₃ 2Si₂O₈：Eu²⁺')" href="#">BaAl₂Si₂O₈：Eu²⁺ 发光特性 化学共沉淀法     

微弧等离子喷涂碳纳米管/纳米Al2O3-TiO2复合涂层的吸波性能研究

将碳纳米管与纳米Al₂O₃-TiO₂陶瓷粉末超声共混制备了碳纳米管/纳米Al₂O₃-TiO₂复合粉末,测试了复合粉末在2—18GHz波段的电磁参数.研究表明：随着碳纳米管质量分数的增加,碳纳米管/纳米Al₂O₃-TiO₂复合粉末的复介电常数和损耗角不断增大.当碳纳米管质量分数和厚度增加时,复合粉末对电磁波的反射率峰值先增加后减小,而谐振频率不断向低频移动.采用微弧等离子喷涂制备了7wt%碳纳米管/纳米Al₂O₃-TiO₂复合吸波涂层,当厚度为1.5mm时,涂层最小反射率为-24.0dB,当厚度为2.0mm时,涂层小于-10dB的频带宽为3.60GHz,当温度为500℃高温时,1.0mm厚的涂层最小高温反射率为-12.2dB,小于-10dB频带宽为2.0GHz.复合涂层的实际厚度D与理论厚度d呈线关系：d=0.898D+0.515. 关键词： 等离子喷涂 碳纳米管 2O₃-TiO₂')" href="#">纳米Al₂O₃-TiO₂ 吸波性能     

Infrared and visible emission of Er in combustion-synthesized CaAl2O4 phosphors

New near-infrared luminescent, monoclinic CaAl₂O₄:Er³⁺ phosphor was prepared by using the combustion route at furnace temperatures as low as 500 °C in a few minutes. Combustion synthesized phosphor has been well characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and energy-dispersive analysis of X-ray (EDAX) mapping studies. The luminescence spectra of Er³⁺-doped calcium aluminate were studied at UV (380 nm), vis (488 nm) and IR (980 nm) excitation. Upon UV and vis excitation, the CaAl₂O₄:Er³⁺ phosphor exhibits emission bands at ~523 nm and at ~547 nm, corresponding to transitions from the ²H_11/2 and ⁴S_3/2 erbium levels to the ⁴I_15/2 ground state. A strong luminescence at 1.55 μm in the infrared (IR) region due to ⁴I_13/2→⁴I_15/2 transition has been observed in CaAl₂O₄:Er³⁺ phosphor upon 980 nm CW pumping. In the spectrum of IR-excited up-conversion luminescence, green (~523 and ~547 nm) and red (662 nm) luminescence bands were present, the latter associated with the ⁴F_9/2→⁴I_15/2 transitions of Er³⁺ ions. Both excited state absorption and energy transfer may be proposed as processes responsible for the population of the ⁴S_3/2 and ⁴F_9/2 erbium levels upon IR excitation. The mechanisms responsible for the up-conversion luminescence are discussed.     

以(NH_4)_2Ce(NO_3)_6氧化体系合成己二酰-1′,6′-双(4-卤偶氮苯)

以自制的己二酰-1′,6′-双(4-卤苯肼)化合物为原料,在室温条件下用(NH4)2Ce(NO3)6氧化体系氧化脱氢得3种己二酰-1′,6′-双(4-卤偶氮苯)化合物。产品的结构经元素分析、IR、1H NMR确证。产率在89%—93%之间。     

一种干涉高光谱图像的3DSPIHT结合ROI压缩算法

针对大孔径静态干涉成像光谱仪的成像特点,提出了一种基于三维小波变换的3DSPIHT算法结合ROI的图像压缩方案.对干涉高光谱图像序列进行了三维非对称离散小波变换.采用ROI方法对主要的光谱系数进行提升,以保护光谱信息.最后,对3DSPIHT算法进行改进,以有效编码干涉高光谱图像的小波变换系数.实验结果表明,该方法在8:1压缩比下可获得大于40dB的峰值信噪比,同时有效地保护了光谱信息.     

K3C60在200K附近的取向相变机理

研究了K₃C₆₀单晶薄膜在200K附近的导带结构.样品温度为190K时,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散.而在220K附近色散不存在.这一实验结果与K₃C₆₀在200K存在取向相变相符合.用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析.结果表明,K₃C₆₀在200K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40 关键词： 3C₆₀')" href="#">K₃C₆₀ 取向相变机理     

一种新型的稀土有机电致发光材料：Tb(asprin)3phen

文报道了乙酰水杨酸为第一配体 ,邻菲罗啉为第二配体的铽配合物这种新型电致发光材料 ,并通过引入导电高分子材料PVK来改善配合物的成膜性和导电性 ,使其可应用于电致发光器件的发光层。我们制备了单层电致发光器件ITO/PVK :Tb(asprin) 3phen/Al,并对其电致发光性能进行了研究。结果表明该配合物具有很好的光致发光性能和电致发光性能。通过测量材料的激发谱和发射谱 ,我们初步探讨了器件的电致发光机理 ,认为是PVK及Tb(asprin) 3phen激发态的载流子被Tb3 +俘获并与符号相反的载流子在Tb3 +中心上复合 ,发出Tb3+的特征发光     

从二维视图识别三维目标的多网络融合方法

提出了一种从二维视图识别三维目标的多网络融合方法,基于单个网络分类的置信度概念,有效地结合多个网络的输出结果作出最终分类判决,应用三个多层前向网络（隐层神经元数,初始权值等取不同值）,设计了基于分类确认度的多网络融合结构,对四类车辆目标进行的识别实验表明,所提出的多网络融合方法明显优于单个网络的识别性能。     

Alq3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究

用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱（XPS）研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在Alq3分子中,Al原子的束缚能（Eb)为70．7eV和75．1eV,分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ）态;C原子的束缚能为285．8eV、286．3eV和286．8eV,分别对应于C－C、C－O和C－N键;N原子的主峰位于401．0eV,对应于C－N＝C键;而O原子主要与H原子成键,其束缚能为532．8eV。为了研究Alq3/ITO的界面电子状态,我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀,当溅射时间分别为30,35,45分种时进行XPS采谱分析。结果表明,随着氩离子束溅射时间增长,Al2p、Cls、Nls、Ols、In3d5/2和Sn3d5/2峰都向低束缚能方向有微小移动,且Al2p、Cls和Nls峰变弱,这是受ITO中扩散进入Alq3层的O、In和Sn原子的影响所致。     

Eu-doped glass materials for red luminescence

Red luminescence (at wavelength about 622 nm) from Eu³⁺ ions embedded in PbO–Bi₂O₃–Ga₂O₃–BaO glass hosts is reported for room and liquid helium temperatures. The substantial influence of energy transfer processes between the host and Eu³⁺ ions is shown experimentally through the dependences of photoluminescence on light polarization and excitation wavelength. Only polarized, excited pulsed XeII laser light (λ=714 nm) gives substantial luminescence with efficiency up to 14.3%. The role of phonon-relaxation subsystem in the observed luminescence is discussed.