Mapping properties of wave and scattering operators for two-body Schrödinger operators

The modified wave and scattering operators are shown to be bounded between weighted L ²-spaces for two-body Schrödinger operators with long range potentials.     

锰结核中硅,铝,铁,镁,磷,钾,锰,钛的XRFA

本文叙述了用XRF分析锰结核中Si、Al、Fe、Mg、P、K、Mn和Ti的方法。按照通常锰结核的主次成分制备6个人工合成标准,根据Sherman方程计算了已知成分(二元系统)的相对强度。用L-T方求得了互致元素校正的理论α系数(基本的、混合的、修正的),用DATAFLEX151B计算机以BASIC语言汇了“PRA,APU”计算机程序。然后进行非线性回归分析了锰结核样品得到了满意的结果。     

Relativistic treatment of the spin-zero particles subject to the second Poschl-Teller-like potential

The three-dimensional Klein-Gordon equation is solved for the case of equal vector and scalar second Poschl-Teller potential by proper approximation of the centrifugal term within the framework of the asymptotic iteration method. Energy eigenvalues and the corresponding wave function are obtained analytically. Eigenvalues are computed numerically for some values of n and It is found that the results are in good agreement with the findings of other methods for short-range potential.     

ICP-AES测定铜合金中的铜及10种杂质元素

建立了ICP-AES同时测定铜合金中铜及杂质元素磷、硅、锰、铁、镍、钴、锌、铅、铝、锡11种元素的分析方法,通过对样品溶解方法、元素分析谱线的选择和仪器分析参数进行试验比较,确定了实验条件,并对铜合金标准样品进行了精密度和回收率实验.结果表明,相对标准偏差小于3.0％,回收率在90％-110％之间.该方法快速简便,准确度高,可以满足日常检验的分析要求.     

面外应变对1-3型垂直异质P(VDF-TrFE)基复合薄膜电热性能的调控

考虑1-3型垂直异质铁电P（VDF-TrFE）基复合薄膜结构,利用非线性的热力学理论分析和讨论了平面外应变对复合薄膜电热性能的调控作用. 结果表明,在施加的垂直电场下,平面外应变可以有效地调控电极化、热释电系数、绝热温差等铁电、电热性能. 通过合理的调控平面外应变可以在很大的温度区域范围内获得比纯平面外延薄膜结构更高的绝热温差. 研究结果预示着垂直异质P（VDF-TrFE）基复合薄膜结构在一定的工作温度范围内具有优异的电热性能,在微电源、光通信二极管、红外传感器等微型元件方面有着广泛的应用前景. 关键词： 电热效应 平面外应变 P(VDF-TrFE)复合薄膜 绝热温差     

具有P?schl-Teller型标量势与矢量势的Klein-Gordon方程和Dirac方程的束缚态

给出了具P?schl-Teller型标量势与矢量势的Klein-Gordon方程和Dirac方程的s波束缚态解. 关键词： P?schl-Teller势 Klein-Gordon方程 Dirac方程 束缚态     

具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件

为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET), 在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上, 提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS). 这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题, 使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿, 而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用, 提高N型缓冲层浓度, 从而降低了器件的比导通电阻. 利用三维仿真软件ISE分析表明, 在漂移区长度均为10 μm的情况下, P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右, 较文献提出的N型缓冲层 SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.     

Weyl’s Type Estimates on the Eigenvalues of Critical Schrödinger Operators

We consider on a bounded domain \(\Omega \subset {\mathbb{R}}^N\) , the Schrödinger operator ? Δ ? V supplemented with Dirichlet boundary solutions. The potential V is either the critical inverse square potential V(x) = (N ? 2)²/4|x|^?2 or the critical borderline potential V(x) =  (1/4)dist(x, ?Ω)^?2. We present explicit asymptotic estimates on the eigenvalues of the critical Schrödinger operator in each case, based on recent results on improved Hardy–Sobolev type inequalities.     

ICP-AES同时测定混合矿物素中的磷、钙、铁、铜、锌、锰、镁、钴

采用ICP－AES法测定混合矿物素中的磷、钙、铁、铜、锌、锰、镁、钴元素含量，并对样品的溶解酸和酸用量、元素分析线的选择以及共存元素间的干扰进行了研究。该法简便、快速，精密度和准确度较好。