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51.
采用传统固相法制备了Pb(Sb1/3 Mn2/3)0.05Zr0.47Ti0.48 O3 (PMS-PZT)压电陶瓷.利用XRD、SEM和EDS等研究PMS-PZT陶瓷体系在烧结过程中形成的过渡液相和形成过渡液相温度(1100℃)附近的升温速率对陶瓷结构、压电和介电性能的影响.结果表明:不同烧结温度下,所有样品均为单一的钙钛矿四方相,过渡液相不会对相的结构有影响,但是当烧结温度较低时,过渡液相在烧结后期以玻璃相在晶界附近富集,对陶瓷的压电和介电性能有很大影响.随着烧结温度和升温速率的升高,PMS-PZT晶粒尺寸增大,晶粒均匀性和规则性得以改善,晶化质量得到提高;d33测试和阻抗分析测试结果表明PMS-PZT样品在1100℃附近以7 ℃·min-1升温速率并在1250℃烧结时具有最好的压电和介电性能:d33 =313 C/N,kp=0.59,Qm=1481,εr=1437,tanδ=0.53;. 相似文献
52.
密闭高温高压溶样ICP-MS测定24个国际地质标样中的Sb和Bi 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了ICP-MS分析中Bi,Sb,Te和As产生的记忆效应,其记忆效应Bi>Sb>Te>As。在低浓度硝酸介质中(0.01%~1%),贮存样品的聚丙烯瓶和ICP-MS的进样管道会对Bi元素产生严重的吸附作用。0.1%氢氟酸的清洗效果优于6%的硝酸,而6%的硝酸的清洗效果要优于0.1%高氯酸。在给定的仪器操作条件下,Sb和Bi的检出限分别为0.001和0.000 1 ng·mL-1。采用该清洗方法,结合密闭高温高压溶样,测定了24个国际地质标样中的Bi和Sb。大部分标样的测定结果与已有参考值吻合较好。文章还给出了国际标样AGV-2(安山岩)、BHVO-2(玄武岩)和BCR-2(玄武岩)中Bi和Sb的测定值。 相似文献
53.
The analogues of the low-lying levels in71Ge have been observed as resonances in the compound nucleus71As through proton elastic scattering on70Ge in the energy rangeE
p=3.5 to 5.3 MeV. The excitation functions cover the analogue resonances corresponding to states upto 2.3 MeV excitation in71Ge. The sub-structures in the 5.06 MeV resonance, first observed by Temmer and co-workers have been confirmed in the present
experiment. The present investigation reveals similar sub-structures in the 4.13 MeV resonance lending further support to
the existence of intermediate structure near an isobaric analogue resonance. The resonance parameters and the spectroscopic
factors (for the corresponding parent states) have been extracted. The results are compared with the information available
from the70Ge(d, p)71Ge reaction. 相似文献
54.
A low-temperature electron diffraction study has been carried out on ThAsSe to search for evidence of structural disorder associated with the low-temperature non-magnetic Kondo effect. A highly structured and extremely complex characteristic diffuse intensity distribution has been observed at low temperature and interpreted in terms of a gradual charge density wave type phase transition upon lowering of temperature involving disordered As-As dimerization within (001) planes. Plausible models of the proposed As-As dimerization have been obtained using a group theoretical approach. 相似文献
55.
采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了-10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明:随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出:该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义. 相似文献
56.
57.
58.
分别以脉冲电沉积法和直流电沉积法制备了稀土填充热电材料Bi2Sb3Rex(Re=Ce,Nd)。结果表明,采用脉冲电沉积法,在通断脉宽为Ton=10ms(电流1A),Toff=40ms(电流0A),电流密度2000A.m-2,电沉积时间180s的条件下制得的电沉积膜Bi2Sb3Ce2,表面均匀、光滑、致密;在通断脉宽为Ton=0.4ms(电流1A),Toff=2.4ms(电流0A),电流密度2800A.m-2,电沉积时间120s,占空比为0.142的条件下制得的电沉积膜Bi2Sb3Nd0.1,表面均匀、光滑、致密。 相似文献
59.
Differential Alternative Pulses Voltammetry (DAPV), introduced by the authors earlier, was applied with HMDE for direct As(III) determination in the presence of Pb(II) in natural water without sample pretreatment. Distinguishable peaks of As(III) and Pb(II) were registered in 1 M HCl supporting electrolyte at a concentration ratio as high as 1 : 6, while complete peak overlapping occurs applying DPP at any concentration ratio at the same experimental conditions. In‐situ As(III) determinations in the presence of Pb(II) in contaminated ground waters in Mexico were performed, using especially designed disposable safe mercury drop electrodes. 相似文献
60.