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有机薄膜器件负电阻特性的影响因素 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了影响有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的因素,为探索有机负电阻的机理提供实验依据。实验中制备了多种有机染料掺杂聚合物薄膜器件,研究了有机小分子染料、聚合物基体、薄膜组成及厚度、ITO和聚苯胺阳极等对有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的影响。在室温、大气环境下,所制备的多种有机染料掺杂聚合物器件在所加电压为3~4V时,观察到明显的负电阻特性,电流峰谷比最大约为8。负电阻现象及峰谷比的大小受膜厚和器件的结构、制备工艺等影响。提出用负电阻和二极管并联组成的等效电路模型解释影响负电阻特性的因素,认为负电阻特性与载流子的不平衡注入有关。在此基础上设计、合成了主链含唔二唑电子传输基团的可溶性聚对苯撑乙烯衍生物,该聚合物兼具空穴和电子传输功能,在空气中具有较稳定的N型负电阻特性。进一步控制相关材料和工艺条件,有可能得到易于控制的负阻效应,开发出新型的有机负电阻器件。 相似文献
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本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
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本篇文章首先定义了向量变分不等式的严格可行点概念,其次在假设了映射是强(D)-伪单调的情况下,证明了向量变分不等式解集非空有界与其严格可行点存在的等价性问题,推广了在数量变分不等式上得到的相应结果. 相似文献
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采用单级A/O程序复合膜生物反应器(HSMBR)处理高氨氮废水,研究了在低DO浓度下系统对有机物、氨氮和总氮的去除效率.研究结果表明:在低DO浓度下,COD,氨氮的平均去除率分别为94.4%和92.8%.由于进水COD/TN比仅为2.01,则使得总氮平均去除率仅为69.4%,但是当系统亚硝化累积率从60.5%~67.1%提高到83.5%~86.4%时,系统总氮去除率提高了17.7%.另外,DO在0.5~1.0 mg·L-1时,TN去除率为69.4%,亚硝酸盐氮累积率在60.5%~89.5%之间,可见维持低DO浓度可以实现亚硝酸型同时硝化反硝化. 相似文献
98.
本文讨论AFC^*一代数中的一些映射的线性性质和它们的局部性质之间的关系.研究AFC^*一代数A上的保持乘法的局部自同构Ф在A中矩阵单位系上的作用。证明了Ф是A上的自同构。对于UHF代数上满等距的结构,还证明了UHF代数上的2-局部(满线性)等距是线性的. 相似文献
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纳米累托石-TiO2光催化剂的制备及表征 总被引:1,自引:1,他引:0
以TiCl4和累托石为主要原料,制备出纳米累托石-TiO2粉末,并用X-衍射、透射电镜等对其进行表征.结果表明:纳米累托石-TiO2粉末平均直径为17.5nm当焙烧温度从500℃升至800℃时,累托石-TiO2粉末的比表面积从65.7m^2/g下降至3.3m^2/g,单位质量吸附剂的孔体积从0.1430cm。/u降到0.0213cm^3/g;当焙烧温度从300℃上升至500℃时,孔径变化不大,属中孔范围;当焙烧温度升至800℃时,一些孔道出现坍塌,不利于纳米累托石-TiO2粉末的光催化活性. 相似文献
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