全文获取类型
收费全文 | 45篇 |
免费 | 12篇 |
国内免费 | 36篇 |
专业分类
化学 | 44篇 |
晶体学 | 5篇 |
物理学 | 44篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 6篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 12篇 |
2010年 | 7篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 1篇 |
2003年 | 3篇 |
2001年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 2篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 4篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 3篇 |
排序方式: 共有93条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
利用射频磁控溅射法制备了铝掺杂氧化锌(AZO)透明导电薄膜,在传统的磁控溅射系统中引入外加磁场,研究了外加磁场对AZO薄膜沉积速率、形貌结构及光电特性的影响.研究结果表明,外加磁场后薄膜的沉积速率从不加磁场的13.04 nm/min提高到了19.93 nm/min;外加磁场后薄膜表面平整致密、颗粒大小均匀,结晶质量较高,而不加磁场薄膜表面形貌呈蠕虫状,薄膜质量较差.溅射时间为90 min时,外加磁场前后AZO薄膜方阻分别为30.74?/和12.88?/.外加磁场对薄膜可见光透过率影响不大,但使薄膜的吸收边蓝移现象更明显.运用ansys软件对磁控溅射二维磁场分布模拟后发现,外加磁场提高了靶上方横向磁场强度,改善了磁场分布的均匀性,加强了磁场对电子的磁控作用,提高了靶电流,是AZO薄膜的溅射速率、光电性能和形貌结构得到提高和优化的原因. 相似文献
92.
采用直流磁控溅射和后退火氧化的方法在掺铝氧化锌(AZO)导电玻璃上制备了二氧化钒(VO2)薄膜,研究了不同的退火温度、退火时间对VO2/AZO复合薄膜制备的影响,并对复合薄膜的结构、组分、光电特性进行了测试与分析. 结果表明,导电玻璃上的AZO没有改变VO2的取向生长,但明显改变了VO2薄膜的表面形貌特征. 与用相同工艺和条件在普通玻璃基底上制备的VO2薄膜相比,VO2/AZO复合薄膜的相变温度降低约25 ℃,热滞回线宽度收窄至6 ℃,相变前后可见光透过率均在50%以上,1500 nm处红外透过率约为55%和21%,电阻率变化达3 个数量级. 该复合薄膜表面平滑致密,制备工艺简单,性能稳定,可应用于新型光电器件.
关键词:
2')" href="#">VO2
AZO
热致相变
光电特性 相似文献
93.
Tianlin Yang Shumei SongYanhui Li Yanqing XinGuiqiang Du Maoshui LvShenghao Han 《Physica B: Condensed Matter》2012,407(23):4518-4522
Aluminum doped zinc oxide (AZO) films were substitutes of the SnO2:F films on soda lime glass substrate in the amorphous thin-film solar cells due to good properties and low cost. In order to improve properties of AZO films, the TiO2 buffer layer had been introduced. AZO films with and without TiO2 buffer layer were deposited on soda lime glass substrates by r.f. magnetron sputtering. Subsequently, one group samples were annealed in vacuum (0.1 Pa) at 500 °C for 120 s using the RTA system, and the influence of TiO2 thickness on the properties of AZO films had been discussed. The XRD measurement results showed that all the films had a preferentially oriented (0 0 2) peak, and the intensity of (0 0 2) peak had been enhanced for the AZO films with TiO2 buffer layer. The resistivity of TiO2 (3.0 nm)/AZO double-layer film is 4.76×10−4 Ω cm with the maximum figure merit of 1.92×10−2 Ω−1, and the resistivity has a remarkable 28.7% decrease comparing with that of the single AZO film. The carrier scattering mechanism of TiO2 (3.0 nm)/AZO double-layer film had been described by Hall measurement in different temperatures. The average transmittance of all the films exceeded 92% in the visible spectrum. Another group samples were heat treated in the quartz tube in air atmosphere, and the effect of TiO2 thickness on thermal stability of AZO films had been discussed. 相似文献