Sansalvamide A固相合成新方法

报道了Pd催化丁基二乙基硅烷树脂与N-Boc-4-溴代苯丙氨酸甲酯直接反应形成Si—Ar键一步构建出硅基连接分子的新方法, 并采用Boc策略增长肽链, 以PyBOP (benzotriazole-1-yl-oxy-tris-pyrrolidino-phosphonium hexafluoro- phosphate)为环合剂固相合成了sansalvamide A.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

Yb:FAP和Yb:C3S2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发

关键词：     

Measurement of the Distribution of Magnetic Field in Gyrotron of ECRH System on HL-2A Tokamak

In ECRH system of HL-2A tokamak, we chose a new type of gyrotron imported from Russia. We finished the installation and testing last year with the help of Russian experts. We got a lot of useful data and satisfying results after our experiments with the operating of gyrotron.     

静电火花法表征塑料导爆管起爆感度探索

提出了塑料导爆管轴向静电火花感度的概念、测试原理。用标准的静电感度测试仪配以一定结构的起爆针 ,建立了可用于导爆管感度测试的实验装置 ,采用升降法测出导爆管起爆所需静电能量并用它来表征导爆管的感度。用三种导爆管进行了感度测试 ,实验条件下其感度值E0 .50 分别为 0 .4 3、1.0 8、1.94J。     

关于A—最佳设计的最优性

1.引言设D是一类具有秩为p的n×p阶设计矩阵x_d和n×p阶信息矩阵M_d,M_d=x_d~1x_d的实验验设计,其中x_d~t是x_d的转置。设μ为D中的设计所对应的信息矩阵的集合{M_d:d     

我国中小企业选择可靠信用担保机构的模式识别方法

首先运用模糊评价方法结合中小企业选择信用担保机构现状，构建了当前我国信用担保机构5种标准信用等级的模糊向量，然后在此基础上采用“择近原则”得到m个等待选择的信用机构所处于的最为“贴近”的标准信用等级，从而为我国中小企业选择可靠信用担保机构提供了一种新的量化方法。     

一类广义Bent型S-Box的构造

S-box是密码理论与实践中十分重要的一种装置 ,它的密码性能由其分量函数所决定 .于是 ,选择适当的分量函数来构造 S-box就成了一个重要的研究课题 .在一定意义上 ,Bent函数是最优良的密码函数 .本文通过函数序列半群和置换群来构造其任何非零线性组合为 Bent函数与线性函数之和的函数组 ,从而可由 Bent函数构造出具有高度非线性度和其他良好性状的 S-box     

类氢类氦类锂镁离子双电子复合的旁观电子角动量研究

类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词： 双电子复合 镁离子 角动量