溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究

利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键 关键词： 溶胶-凝胶法 氧化钒薄膜 VO2膜转换特性     

线性σ-模型和在J/ψ→γpp的pp质量谱中观测到的增强现象

假定BES合作组在辐射衰变J/ψ→γ pp中观测到的pp,谱的增强是由于存在一个pp的分子态,用线性σ-模型计算了它的束缚能和寿命. 具体考虑了这种增强现象是由于pp可能形成一个S-波或P-波共振态, 并把计算结果和实验数据做了比较. 与氘核不同, 由于pp可以通过s-道湮没, 因此通过研究它的总宽度可以获得线性σ-模型及其相关问题的信息.     

偶氮苯衍生物三阶非线性的四波混频研究

用皮秒Ｎｄ：ＹＡＧ激光器的倍频光（５３２ｎｍ）对具有离域π－共轭电子云结构的偶氮苯类样品材料作简并四波混频补给，测得三阶非线性电极化率ｘ＾（３）和它们的时间响应分别为１０＾－９ｅｓｕ和２０ｐｓ，并对影响ｘ＾（３）的瞬时光栅作用和ｘ＾（３）的响应时间人了讨论。     

Γ-环的Baer根、b-根与拟b-根

本文定义了Γ-环的b-理想与拟b-理想,论述了Γ-环中都有一个Baer根,一个b-根与一个拟强b-根,并且还证得了Γ-环的Baer根=b-根=拟b-根。     

E*-酉范畴逆半群的结构

本文通过定义本原逆半群在集合上的部分作用及其整体化,给出了E*-酉范畴逆半群的结构．     

有机自由基棒状希夫碱型磁性液晶

以丙基和戊基取代的反式双环己基、反式环己基苯基及联苯甲酸酯中介核与2,2,6,6-四甲基哌啶氧自由基(TEMPO)相连，制备了四个棒状希夫碱磁性液晶分子。其中两个化合物在偏光显微镜下呈现出向列相丝状和纹影织构。DSC测定显示其向列相温度范围4~6℃。EPR测定显示几个化合物具有顺磁性。