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本文研究具有随机开参数集的随机场构造,获得了具有已知有穷维分布的随机场存在和唯一性条件。 相似文献
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二次型与正交变换是代数学的基本内容,其用途十分广泛,而重积分的计算往往存在技术性的困难,若利用“二次型”与“正交变换”的有关理论去解决某些重积分的计算问题是颇有功效的。本文将以“二型”与“正交变换”为工具,乘法的处理了一大批重积分的问题。 相似文献
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对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱,光学常数和载流子浓度的影响。结果表明:提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度,退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高,薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移,而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中,这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。 相似文献
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采用石墨电阻加热的温梯法生长了V:YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V:YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中V3+tetra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V:YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度. 相似文献