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131.
就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求.
关键词:
磁性隧道结
隧穿磁电阻
磁随机存储器
4英寸热氧化硅衬底 相似文献
132.
袁定福 《工程物理研究院科技年报》2003,(1):197-198
这里针对薄壁桶型且中间有4个空心立柱要求的零件。介绍了一压铸模二次顶出机构。较传统工艺生产有较高的使用价值。 相似文献
133.
微孔激光器作为应用于近场光信息存储系统中的一种新型光源,它的出射光斑的近场特性对于近场光存储是十分重要的。针对纳米孔径运用角谱进行Fox-Li数值迭代,得到不同孔径微孔激光器的基模光强分布,然后运用二维非线性时域有限差分法分析微孔激光器出射端即微孔金属膜的近场光学性质,模拟计算了不同孔径和厚度的微孔金属膜的光强近场分布,从应用于近场光存储的角度,给出反映其近场光学特性的相关数据。发现由于TM模式下金属存在局域表面等离子增强效应,使得其出射强度比TE模式高一个数量级,从而更适于作为实际中近场光存储系统和原理试验的光学头。 相似文献
134.
135.
Nd:GdVO4单晶的生长、位错和形貌 总被引:4,自引:1,他引:3
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd:GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。 相似文献
136.
137.
138.
The structure of the title adduct comprises a phenanthroline derivative 2-phenyl-imidazo[4,5-f]1,10-phenanthroline and a methanol.The composition of the crystalline adduct was characterized as C19H12N4.CH3OH.It belongs to orthorhombic system,space group Pna21 with a=1.3693(4)nm,b=2.2988(7)nm,c=0.51338(15)nm,V=1.6160(8)nm^3.Z=4,and final R1=0.0423.wR2=0.1012 .Crystal structure shows that all the 19 carbon atoms and 4 nitrogen atoms are coplanar.The bond length data indicated that a very extensive conjugation system was formed.This conjugation makes the compound being a potentially excellent energy transformer used for luminescent materials. 相似文献
139.
140.
苯并 18 -冠 - 6 (B18- C- 6 )与 K2 [Cd(SCN) 4 ]反应 ,得到了 [K(B18- C- 6 ) ]SCN配合物。通过元素分析、红外光谱、单晶 X射线衍射进行了结构分析。该配合物为单斜晶系 ,空间群 P2 (1) / c,晶体学数据 :a=0 .996 0(3) nm,b=2 .5 0 97(7) nm,c=0 .8374 (2 ) nm,β=10 6 .5 19(5 )°,V=2 .0 0 6 7(10 ) nm3 ,Z=4 ,F(0 0 0 ) =86 4,R1=0 .0 4 2 9,w R2 =0 .0 5 75。结构分析表明 ,该配合物由一个 [K(B18- C- 6 ) ]配阳离子和一个 SCN阴离子组成 ,配合物的两个分子通过 K+ - π相互作用形成一维链状结构 相似文献