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81.
三苯甲基自由基及其二聚体稳定性的理论研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用量子化学AM1 MO方法优化了三苯甲基自由基及其两种二聚体的构型,并计算了反应物和二聚物的生成焓、活化能以及它们的电荷布居,计算结果表明,三苯甲基自由基是一种较稳定的自由基,在这个自由基中存在明显的共轭效应,分子中电子云呈平均化分布.它的二聚体1,4—环己二烯衍生物分子中的5个苯基排布在环己二烯环平面的两端,明显降低了苯基之间的空间排斥力,使二聚物—环己二烯衍生物分子的稳定性大大高于六苯乙烷.因此,三苯甲基自由基的二聚体是1,4—环己二烯衍生物而不是六苯基乙烷,得到了与实验事实一致的结果。 相似文献
82.
83.
提出了在聚乙烯醇存在下,Fe(Ⅲ)-磺基水杨酸-甲基紫三元配合物光度法测定Fe(Ⅲ)的方法.该法灵敏度高(ε=3.44×105L@mol-1@cm-1),选择性及精密度均好,用于水中痕量铁的测定,结果满意. 相似文献
84.
本文对在过渡金属铁、镍电极表面制备得到的γ-氨丙基三甲氧基硅烷(γ-APS)膜进行了研究。实验中对硅烷膜用X-射线光电子能谱(XPS)、现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)和原子力显微镜(AFM)进行了表征。X-射线光电子能谱(XPS)的结果发现存在两个N1s峰,表明γ-APS膜中的氨基有两种存在方式:自由氨基和质子化氨基。实验中还发现现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)是研究金属/γ-APS体系中界面层结构非常有效的手段,SERS结果表明硅醇羟基和氨基发生了竞争吸附,且γ-APS分子在外加电位等条件的影响下吸附状态会发生一定变化。原子力显微镜(AFM)的表征结果在微观上显示电极表面的γ-APS膜上形成了一种较规则的微孔结构,这种结构可能与基底的性质有关。 相似文献
85.
86.
《应用化学》2004,(12)
Oxazolineshavedemonstratedwideutilityinvariouschemicalfields,suchasinasymmetricsynthesis,asaco ordinationligand ,inmedicinalandmacromolecularsynthesis ,andasaprotectinggroupofcarboxylicacids[1~ 3] .Variousmethodshavebeenadvancedforthepreparationof 2 oxazolinesfromthereactionofβ aminoalcoholswithcarboxylicacids,esters,nitriles ,oraldehydessinceitsappearance[1~3] .Reagentssuchascomplexesorstrongacidsorbaseswereusuallyneededinthesevarioussyntheticmethods.Thereactiontakeslongtimetocompletion .… 相似文献
87.
用量子化学从头算方法在B3LYP/6 311G 的水平上 ,研究了RuH2 和RuN2 可能的电子组态和光谱性质 .结果表明 ,RuH2 的3 B2 和5Σ-态对应于静电作用的物理吸附态 .RuN2 的一重态和三重态的计算结果跟钌单晶面上的实验值相接近 .而RuN2 在C∞v对称性时 ,五重态5Σ-的计算频率比实验值稍低 .在C2v对称性时 ,五重态的计算频率值则更低 ,3 B2 和5A1态不能稳定存在 相似文献
88.
利用电弧熔炼制备了 (Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5(x=0— 1 0 )化合物样品 .通过x射线衍射分析和磁性测量研究了Er替代Nd2 Co1 5 5V1 5中的Nd时对化合物结构和磁性的影响 .研究结果表明 ,低Er含量 (x <0 4 ) ,化合物为Th2 Zn1 7型结构 ;高Er含量时 (x >0 5 ) ,化合物转变为Th2 Ni1 7结构 ;Er含量为x =0 4和 0 5时 ,两种结构共存 .两种结构的晶胞参数a ,c和晶胞体积V随着Er含量的增加都呈现递减的趋势 .随着Er含量的增加 ,(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的居里温度和饱和磁化强度都单调下降 .(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的室温各向异性由低Er含量时的易锥型转变为高Er含量时的易轴型 .x =0— 0 5的化合物在温度升高时发生自旋重取向转变 ,自旋重取向温度Tsr随Er含量的增加而减小 相似文献
89.
利用固相反应法制备了名义成分为Ca(Mn2 Cu1 )Mn4 O1 2 的类钙钛矿锰氧化物 .x射线衍射表明 ,为了获得较为致密的样品和减小杂相含量 ,可以采用高温烧结再在 10 73K长时间空气中退火的制备方法 .样品在低温下同时存在铁磁相和反铁磁相 ,由于反铁磁相的存在导致样品在 4 5K时的磁化强度显著降低 ,并在 8T的高磁场下仍未达到饱和 .样品呈半导体导电性质 ,在 85K和 6T磁场下磁电阻比的最大值可达 - 4 6 % . 相似文献
90.
使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的 ,高温退火后发生部分晶化 ;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面 ,表明薄膜具有优良的热稳定性 ;椭偏测得在 6 0 0nm处薄膜折射率为 2 0 9;电容 电压测试得到的薄膜介电常数为 1 9.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2 薄膜的方法 相似文献