A TVD Type Wavelet-Galerkin Method for Hamilton-Jacobi Equations

In this paper,we use Daubechies scaling functions as test functions for the Galerkin method,and discuss Wavelet-Galerkin solutions for the Hamilton-Jacobi equations.It can be proved that the schemesare TVD schemes.Numerical tests indicate that the schemes are suitable for the Hamilton-Jacobi equations.Furthermore,they have high-order accuracy in smooth regions and good resolution of singularities.     

Growth of NaBi（WO4）2 Dendrite and Mechanism

The solid-liquid interface motion of NaBi（WO4）2 （NBWO） melt crystal growth is observed in an in situ system, in which the whole processes of interface transition from fiat interface and cellular to dendrite are visualized. The spacing of the dendrite under smaller temperature gradient turns out to be larger than that under larger temperature gradient, which is found to be sensitive to the temperature distribution. The mechanism of dendrite growth of NBWO is studied based on the model of the growth units of anion coordination polyhedra. The { 001} face has two apex links, so it shows higher stability and has high growth rate and forms the arm of dendrite, whereas the {010} face has only one apex link, and thus shows relative slower growth rate and firstly forms the branches.     

聚己二酸单(2-羧苯酚)酯的合成和表征

以己二酸酐和邻羟基苯甲酸为原料，制备了己二酸单（2-羧苯酚）酯，并以它为单体聚合得到了相应的聚酯酸酐．研究了温度、真空度对聚合物分子量的影响，得到了最佳的聚合条件：真空度66．66Pa，聚合温度200℃．在此条件下聚合2．5h，得到的聚己二酸单（2-羧苯酚）酯重均分子量达6498．另外，还对聚合物在不同pH值条件下的体外降解行为进行了研究．     

关于Lipschitz域上反射Brown运动的游程

本文具体刻画有界Lipschitz域上的反射Brown运动跨过某给定时刻t的离开Martin边界的游程.在此基础上,给出Lipschitz域上的反射Brown运动的边界过程的Levy系统.     

基于上海激光电子γ源的天体核合成关键反应12C(α,γ)16O的反应率研究

正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站，基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应¹²C(α,γ)¹⁶O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应¹²C(α,γ)¹⁶O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正.     

镍-酸性铬兰K络合物吸附波

用微分脉冲溶出伏安法研究了镍(11)与酸性铬兰K(ACBK)所生成的络合物在悬汞电极上的电化学特性及电化学反应机理，发现电极反应为镍与酸性铬兰K所生成的络合物吸附在电极表面后发生的不可逆还原。在HCl-硼砂介质中(pH8．67)，络合物在-316mV处有一吸附还原峰，其峰电流与镍浓度在0．001～0．010μ/mL范围内呈现良好的线性关系，其最低检出浓度为0．0005μg／mL。     

一类φ-强增生型变分包含问题解的存在性与迭代逼近

本文研究Banach空间中一类新的φ-强增生型变分包含问题。在实的自反的光滑Ba-nach空间中,证明了这类变分包含问题解的存在唯一性及其带误差的Ishikawa迭代程序的收敛性。本文结果是张石生教授等人的早期与最近的结果的改进与推广。     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

具有非单调功能反应和脉冲扰动的捕食系统的研究

研究捕食者具有非单调功能反应和周期脉冲扰动的捕食者一食饵系统，利用脉冲微分方程的Floquet理论和比较定理，得到了系统灭绝和持续生存的充分条件．最后，通过数值模拟阐明系统在周期脉冲扰动下的复杂性．