A≈80区奇–奇核80,82Rb的晕带能谱计算

在A≈80区奇-奇核旋称反转问题上已提出几种机制,但没有一种理论推断是结论性的.在本工作中将角动量投影壳模型应用到^80,82Rb核,对组态为πg_9/2⊙νg_9/2的正宇称晕带和组态为π(p_1/2,p_3/2,f_5/2)⊙νg_9/2 的负宇称晕带理论计算和实验结果进行了比较,特别是对正宇称晕带中的signature反转机制进行了探讨.角动量投影壳模型计算显示正宇称晕带中的signature反转是原子核随自旋增加形状发生变化的信号,其间原子核从低自旋的长椭球变到高自旋的扁椭球.此外,还确定了此两带的原子核形状     

金纳米球壳对的局域表面等离激元共振特性分析

应用有限元方法, 研究金纳米球壳对的几何结构参数及物理参量对其表面等离激元共振的散射及消光光谱的影响, 并根据等离激元杂化理论进行了理论分析. 结果表明, 随着金壳厚度的增加, 金纳米球壳对的散射及消光共振峰先发生蓝移而后红移, 而随着金纳米球壳间隙的减小, 或者随着金纳米球壳的内核尺寸或内核介质折射率的增大, 散射及消光共振峰均发生红移; 随着金壳厚度或内核尺寸减小, 或者随着内核介质折射率增大, 金纳米球壳对的散射与消光共振强度减弱, 而随着金壳间隙的减小, 金纳米球壳对的散射共振强度先增强后减弱, 而消光共振强度逐渐增强, 数值模拟与理论分析一致.     

折叠萝卜螺生物学初步研究

对采自南昌近郊池塘折叠萝卜螺一种群的生物学进行了初步研究，并就其贝壳的形态和其它种群作了比较，测量了210个折叠萝卜螺的壳高（H），壳宽（W）和体重（T），三者之间的关系可分别表示为：T＝0．0009H^2.632,T=0.0047W^1.8915,W=0.6899H-0.3437,在野外，折叠萝上课累在南昌地区从2－6月都能产卵，其中3－4月达高峰期，在室内3，5，6月为产卵高峰，4月几乎不产卵，折叠萝卜卵的孵化率很高，平均孵化率为95．66％，最高达100％，最低也有89．5％，幼螺的死亡率高达50％以上。     

功能化超薄壳层隔绝银/聚邻巯基苯胺纳米粒子的简易合成（英文）

本文通过简单的一步合成法制备出了壳层隔绝的银/聚邻巯基苯胺纳米粒子。制得的邻巯基苯胺壳层符合设计要求,并且,仅通过改变加入表面活性剂十二烷基硫酸钠的量便可调控壳层厚度,所得2nm厚度的壳层均一、无针孔且具氨基功能化。鉴于银核的超强等离子共振效应,当这种具有超薄壳层的银/聚邻巯基苯胺纳米粒子作为表面增强拉曼的基底材料时,可获得极强的拉曼增强信号。     

带电细圆环与导体球壳系统的场分布

先依电象法,推导均匀带电圆环在金属导体球壳内的"象电荷";再在球坐标系下,根据电场强度的计算公式与Tay-lor展开式,计算出均匀带电细圆环在全空间的电场分布的级数形式解;进而结合唯一性定理和电场的叠加原理,获得带电细圆环与导体球壳系统的空间场分布.     

类Be离子(Z=8-54)内壳层激发态1s2s~22p退激发过程的理论研究

采用基于全相对论框架的多组态Dirac-Fock方法,系统研究了类Be离子(Z=8-54)内壳层激发态1s2s22p的能量、辐射退激发和Auger退激发过程.详细讨论了电子关联效应对相关结构和退激发过程的影响.结果表明,来自于n=2和3壳层的电子关联效应最重要.另外,随着Z的增大,辐射退激发几率逐渐而平滑的增大,而Auger退激发几率的变化则不显著.本文计算结果与其它理论计算结果符合很好.     

CdSe:Nd纳米晶及CdSe:Nd@SiO2核壳结构的合成及发光性能

利用有机相法合成Nd³⁺掺杂CdSe纳米晶（CdSe∶Nd）,通过X射线粉末衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、紫外吸收光光谱及荧光光谱表征,证明Nd³⁺已经成功掺入到CdSe的晶格中。与纯CdSe纳米晶相比,CdSe∶Nd纳米晶的结构仍为立方晶型,且形貌近似球形,均匀分散,粒径约为2~4 nm。紫外吸收峰和荧光发射峰都发生红移,而且掺杂后的CdSe∶Nd纳米晶量子产率也提高,这可能是由于掺杂Nd³⁺引入了新的杂质能级,带隙减小。为了实现CdSe∶Nd纳米晶的可加工性和功能性,通过微乳法合成SiO₂壳包覆的CdSe∶Nd纳米球（CdSe∶Nd@SiO₂纳米球）,CdSe∶Nd@SiO₂纳米球呈均匀球形,直径约为100~115 nm,并且包壳后的CdSe∶Nd@SiO₂纳米球发射峰（581 nm）与CdSe∶Nd纳米晶（598 nm）相比,发光强度提高且发射峰蓝移,蓝移约为17 nm,可能是因为SiO₂壳可以减少纳米晶表面的非辐射跃迁以及改善表面缺陷导致的。     

多壳层铜纳米线结构和电子特性的第一性原理研究

基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算,系统地研究了多壳层Cu纳米线的稳定结构和电子特性.得到不同线径多壳层Cu纳米线的平衡态晶格常数相差不大,都表现出金属特性,且其单原子平均结合能和量子电导随着纳米线直径的增加而增加.纳米线中内壳层Cu原子表现出体相结构Cu原子相似的电子特性,而表面壳层由于配位数的减少,其3d态能量范围变窄且整体向费米能级发生移动.电荷密度分析表明,相对于体相Cu晶体中原子间的相互作用,纳米线表面壳层Cu原子与其最近邻原子间的相互作用明显增强.     

8—9.5 keV正电子致Ti的K壳层电离截面的实验研究

低能正电子碰撞原子内壳层电离截面的实验数据目前还很缺乏,从而影响了对近年来发展的各相关理论模型的检验,限制了慢正电子束流技术在诸多领域中的应用.本文采用慢正电子束流装置产生的8—9.5 keV正电子束碰撞纯厚Ti靶,利用硅漂移探测器(SDD)收集正电子碰撞Ti靶产生的X射线,同时采用高纯锗探测器在线获得与靶碰撞的入射正电子数,从而得到Ti的K壳层实验产额,并基于蒙特卡罗模拟程序PENELOPE获得模拟产额.将实验产额分别与内壳层电离截面数据库采用经典光学数据模型(ODM)和扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA)的蒙特卡罗模拟产额进行对比,发现基于ODM理论模型的模拟产额与实验值有较大的偏差,基于DWBA理论模型的模拟产额与实验结果符合较好.根据实验产额和基于DWBA理论模型的模拟产额的比较结果,对蒙特卡罗模拟程序使用的DWBA理论模型数据库进行修正后再进行模拟和比较,从而得到可靠的8—9.5 keV正电子致Ti原子K壳层电离截面数据.     

Mg,Si和S同位素链的壳反常

采用考虑轴向形变的相对论平均场理论,以双中子、双质子分离能隙δ_2n/δ_2p作为壳封闭的特征,分析了Mg,Si和S同位素链的壳封闭和壳反常,发现Mg同位素链在N=12,16处,Si同位素链在N=14,S同位素链在N?=16处出现明显的壳封闭结构,Si同位素链在N=28处壳层结构并没有消失.Mg,Si和S同位素链在N=20处壳效应并不太明显.