金银合金纳米粒子表面处理及其表面增强拉曼光谱研究

采用水合肼还原的方法制备了金银比例为1∶1的金银合金纳米粒子, 紫外可见吸收光谱显示合成的溶胶只有一个介于金和银之间的吸收峰, 证明了合金结构的形成. 通过氨基耦联方法将合金纳米粒子组装到硅片表面, 利用氯金酸与合金中银的反应对基底上合金纳米粒子表面进行了改性处理. 以吡啶为探针分子, 研究了表面处理前后基底的SERS效应的差别, 结果表明随着浸泡时间延长, 信号强度先逐渐增强后降低至不变, 这与合金纳米粒子表面结构的变化有关, 氯金酸与表面银的反应经历了两个过程, 即粒子表面形成小的孔洞(去合金过程)和AgCl(s)在粒子表面的沉积, 前者有利于SERS效应的提高, 而后者导致SERS效应快速衰减.     

Mg-Gd-Sc-Mn耐热镁合金的热变形行为

采用GLEEBLE-1500热模拟机对Mg-10．2Gd-0．8Se-1．7Mn合金在温度为573～773K、应变速率为0．001～1s^-1、最大变形程度为60％的条件下,进行高温压缩模拟实验研究。分析了合金流变应力和应变速率及变形温度之间的关系,计算了高温变形时的变形激活能和应力指数,为选择这种合金的热变形加工条件提供实验依据。采用金相显微镜分析了合金在不同温度下压缩变形的组织演变。结果表明：合金的稳态流变应力随应变速率的增大而增大,在恒定应变速率的条件下,合金的真应力随温度的升高而降低;合金的变形激活能随着变形温度的升高而增大,特别是在723K时迅速增大。合金在变形过程中发生了不同程度的动态再结晶,变形温度和变形速率对合金再结晶组织有明显的影响。根据实验分析,合金的热加工宜在673～723K范围内进行。     

纯三元及含Zr, Ga元素磁粉的各向异性

未经均匀化热处理的纯三元及含Zr, Ga元素的SC合金铸片经优化的HDDR工艺处理都可以制备各向异性NdFeB磁粉。这表明：元素的添加及SC铸片是否进行了均匀化热处理都不是HDDR磁粉各向异性形成的必要条件。磁粉各向异性形成的关键因素在于HDDR工艺的调节,即适当地加快歧化反应过程,减缓脱氢再结合过程以及控制脱氢再结合时的合适氢气压强均有利于磁粉各向异性的形成。本文将为制备低成本高各向异性磁粉提供重要的指导。     

(CoO)_n(n≤6)合金团簇的结构和磁性理论研究

采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT-GGA)对(CoO)_n(n≤6)合金团簇进行了系统的几何、电子结构和磁性质研究.研究结果表明(CoO)n(n≤6)团簇最稳定结构除(CoO)6团簇为三维立体结构外,其余团簇均呈二维平面结构,且(CoO)_n(n=1,2,3,4和6)结构均表现明显的钴氧分离特征,而(CoO)5团簇表现明显的Co—Co聚合和O—O分离特征.团簇的总磁矩在n=1,3,4时,以3μB为单元成倍增长,(CoO)5团簇显著降低,减小至1μB,(CoO)6团簇又有所增加,增大至6μB.(CoO)n(n≤6)团簇磁性变化的起因也从电荷转移、磁性耦合、电子差分密度和态密度进行了详细阐释.     

理论研究VTiTaNbAl_x高熵合金的结构与弹性力学性质

实验已证明VTiTaNbAl_x高熵合金(HEAs)为单相固溶体,它采用了体心立方结构.在本文中,我们使用基于密度泛函理论的饼模轨道(EMTO)结合相干势近似(CPA)方法,计算并分析了此高熵合金体系的平衡体性质,弹性常数及多晶弹性模量.结果表明:此系列高熵合金符合单相高熵合金的理论判据,具有较好的内在塑性,等摩尔比的VTiTaNb高熵合金趋于弹性各向同性.随着Al含量的增加,此系列高熵合金的弹性各向异性趋于增大,但对多晶弹性模量几乎没有影响;同时讨论了基于弹性常数计算的德拜温度.     

以应用和创新能力培养为核心,构建有特色的地方师范院校高分子实验教学体系

高分子实验是材料学专业特别是高分子材料专业的核心课程。本文结合我们学校十余年开设高分子实验并不断完善的实际情况,对高分子实验的教学体系从如何开设地方工业相关实验、开设应用性实验项目、教育性实验项目、开放性实验项目、系统性实验项目以及编写实验教材等六个方面进行归纳总结。我们以应用和创新能力培养为核心,构建有特色的地方师范院校高分子实验教学体系的措施与教学实践或可为同类型或类似兄弟院校的高分子实验教学提供有益的参考。     

《高分子化学》课程教学中关于自由基共聚合的几个难点解析

自由基共聚合是涉及两种或两种以上的单体进行的自由基聚合,在聚合物改性,丰富聚合物品种,研究单体和自由基的相对活性等方面具有重要的理论和实践意义。本文对自由基二元共聚的几个难点内容进行了深入解析,并对教材部分内容进行补充讨论,籍此厘清概念,强化重点,提高高分子化学教学水平。     

高分子学科动态与2016年度指南

结合2015-2016年新情况,概述近期高分子学科新动态,给出年度基金申请指南,指出基金申请中存在的一些问题.     

柱阵列中高分子的爬行过程

利用Monte Carlo算法模拟了嵌入柱阵列中高分子的爬行过程.模拟结果显示窄间距的柱阵列可以有效地抑制嵌于其中的高分子链的长度涨落,并使得高分子链的弛豫时间符合爬行理论给出的标度律.通过对比爬行理论与模拟得到的链端关联函数可知,柱阵列中的爬行过程与高分子熔体中的爬行过程存在着微妙的差别.在柱阵列中高分子的链端无法完全消灭原有的管道,从而导致了链端关联函数被爬行理论低估.本文给出的二维自回避格点模型则可以很好地描述柱阵列中高分子的爬行过程.     

等价电子数组元Heusler合金Fe_2RuSi中的原子占位

对等价电子数组元Heusler合金Fe_2RuSi的原子占位、电子结构与磁性进行了理论与实验研究.第一性原理计算表明,虽然Fe_2RuSi中Fe,Ru均有8个价电子,但是Ru仍表现出强烈的占据A,C晶位倾向.基态总能最低的是Fe与Ru分别占据A,C晶位的XA结构,次低的是Fe,Ru在A,C位混乱占位的L2_1B结构,且两者能量差很小.这说明决定Heusler合金中过渡族原子占位的因素除价电子数以外还可能有原子半径和共价杂化作用等.态密度和差分电荷密度计算表明Heusler合金中主族元素与最近邻过渡族元素之间的p-d共价杂化对Heusler合金的占位有明显影响,在XA结构中Ru与Si和Fe(B)之间都存在明显的杂化作用,而在高能的L2_1结构中,Si与最近邻的Fe杂化作用相当弱.XRD测试表明在室温Fe_2RuSi存在A,C位之间的Fe-Ru反占位,形成了能量次高的L21B结构,这主要来自于混合熵对自由能的贡献及其引起的原子自发混乱占位.在5 K下Fe_2RuSi的饱和磁矩为4.87μB/f.u.,与计算值符合得相当好.