First-principles study on the effect of Hf content onmartensitic transformation temperatureof TiNiHf alloy

In this paper a first-principles study of the electronic structure and stability of B2 TiDFT TiNiHf 电子结构 马氏体转化温度 平面波DFT, TiNiHf, electronic structure, martensitic transformation temperatureProject supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 50471018).3/3/2006 12:00:00 AM6/7/2006 12:00:00 AMIn this paper a first-principles study of the electronic structure and stability of B2 Ti1-xNiHfx （x = 0.2, 0.4, 0.6） and B19′ Ti1-xNiHfx（x = 0, 0.5） alloys is presented. The calculations are performed by the plane-wave pseudopotential method in the framework of the density functional theory with the generalized gradient approximation. This paper calculates the lattice parameters, density of states, charge density, and heats of formation. The results show that the electronic structure and stability of B2 Ti1-xNiHfx change gradually with Hf content. However, Hf content has little effect on the electronic structure and stability of B19′ Ti1-xNiHfx. The mechanism of the effect of Hf content on martensitic transformation temperature of TiNiHf alloys is studied from the electronic structure.     

NiTi形状记忆合金相变过程的正电子湮没研究

采用正电子湮没技术研究了NiTi合金在降温和升温过程中缺陷和电子密度随温度的变化.在降温过程中,当温度从295K降至225K时,合金的电子密度nb随温度的降低而下降,在225K时降至最小;随后,nb随温度的降低而升高.当温度从295K降至221K时,合金缺陷的开空间随温度的下降而升高,在221K时达到最大值;随后,缺陷的开空间随温度的下降而下降.在升温过程中,当温度从25K升至253K时,合金的电子密度nb随温度的升高而降低,并在253K时达到最小;当温度从253K升至295K时,合金电子密度nb随温度的升高而升高.在相变临界温度点Ms=222K,Mf=197.2K,As=237.5K,Af=255.5K附近,合金的电子密度nb及合金缺陷的开空间均有异常的变化.     

单晶Ni52Mn24Ga24中马氏体变体择优取向的物理表征

关键词：     

氧化钒薄膜微观结构的研究

采用直流磁控反应溅射在Si(100)衬底上溅射得到(001)取向的V₂O₅薄膜.x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)的结果表明，氧分压影响薄膜的成分和生长取向，在氧分压0.4Pa时溅射得到(001)取向的纳米V₂O₅薄膜，即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜.V₂O₅薄膜经过真空退火得到(001)取向的VO₂薄膜，晶体颗 关键词： 微观结构 氧化钒薄膜 择优取向 直流磁控溅射     

Ni2MnGa单晶马氏体相变过程摩擦耗能的热动力学计算

根据相界面摩擦原理，在推导出计算Ni₂MnGa系统热动力学参量的一般表示式的基础上，结合马氏体相变温度分别在室温以下、室温附近、室温以上三种非正配分比Ni₂MnGa单晶自发相变应变和交流磁化率随温度变化的测量结果，计算了三种样品马氏体相变过程中界面摩擦所消耗的能量.结果进一步表明正是相变过程中的界面摩擦导致了相变的热滞后，而三种样品马氏体相变过程的摩擦耗能和相变热滞后存在较大差别的原因在于三种样品马氏体相变生成物具有不同的结构. 关键词： 马氏体相变 应变 界面摩擦     

复合镀层中ZrO2微粒对基质Ni晶体结构的影响

采用复合电沉积方法制备了Ｎｉ－ＺｒＯ２复合镀层，探讨了ＺｒＯ２微粒引起的基质金属Ｎｉ的晶体择优取向及点阵常数的变化，及其对析氢电催化活性的影响。结果表明，ＺｒＯ２微粒的存在改变了Ｎｉ的电沉积层结构，使基质金属Ｎｉ产生新的沿（２２０）晶面的择优取向。这一新的择优取向不利于析氢反应。择优取向的改变说明复合电沉积过程中，Ｎｉ与ＺｒＯ２微粒是以一定的界面匹配进入复合镀层的，基质金属Ｎｉ点阵参数的改变也证明     

AlN薄膜择优取向生长机理及制备工艺

不同择优取向的AlN薄膜具有不同的物理化学性质和应用,其择优取向生长机理主要包括热力学的"能量最小化"理论和动力学的"选择进化"理论.在众多的制备方法中,通过控制工艺参数可以沉积出不同择优取向的A1N薄膜,各工艺参数对其择优取向的影响取决于沉积粒子到达衬底前携带能量的大小,它们引起的各晶面生长速率的竞争,其结果表明,择优取向晶面是该沉积条件下生长速率最快的晶面.在诸多工艺参数中,靶基距、离子束轰击是控制AlN薄膜择优取向的最重要工艺参数,靶基距增大容易得到(100)晶面择优取向的AlN薄膜,而一定范围内离子束轰击能量和轰击角度的增大会促进(002)晶面择优取向生长.     

多晶Ni-Mn-Ga磁性记忆合金的相变行为及稀土元素铽的作用

研究了Ni50Mn25 xGa25-x 和Ni50Mn29Ga21-xTbx 2种成分系列磁性记忆合金的相变行为. 保持Ni含量不变, 增加Mn, 降低Ga含量会使马氏体相变温度明显提高, 同时相变滞后温区减小, 居里温度基本不变. 如果添加稀土元素铽, 相变温度继续升高, 居里温度仍然不变, 材料继续保持强的铁磁性及热弹性马氏体相变的特征.     

Ni-Mn-Ga-RE(RE=Tb,Sm)合金的马氏体相变和磁感生应变

研究了Ni48Mn33Ga19合金添加微量稀土元素Tb和Sm后，对合金的马氏体相变、磁感生应变及机械抗弯性能的影响。结果发现，微量稀土元素Tb和Sm的掺人，降低了合金的马氏体相变温度和居里温度，但晶粒显著细化，使合金的抗弯强度显著提高，具有良好的塑韧性；同时，使合金的磁感生应变值有一定下降。     

MFI型沸石形貌研究

MFI沸石晶形及其形态的调控一直都是分子筛研究的重要方面。本文主要综述了单晶分子筛、纳米分子筛、核壳结构分子筛以及特殊取向分子筛（包括择优取向MFI沸石膜及具有择优取向自行生长的MFI沸石）形貌控制方法。其中,对模板剂、表面活性剂、合成体系组成及合成方法对MFI型沸石形貌的影响进行了详细综述,同时对MFI沸石形貌研究的发展前景进行了展望。