一种新型左手材料的设计和特性研究

通过对左手材料的理论分析,设计了一种宽频带左手材料结构单元.该结构单元由一个矩形闭合环和十字型结构构成的谐振器和金属线组合而成.这种新结构中的谐振器实现负磁导率,金属线实现负介电常量,经过合理的设计,可以在某一频段内使得磁导率和介电常量同时为负,即具有负的有效折射率和正的波阻抗.数值仿真结果表明:在其工作频段内存在一个通带并且在17.6～29.0 GHz频率范围内折射率实部为负,而虚部接近于零;同时在该频率范围内波阻抗实部大于零,从而说明了该左手材料具有左手特性.除此之外,相对左手带宽达到48.9％,远远优于传统的左手材料.     

使用改进的形状优化方法设计高均匀度的超导MRI磁体

针对设计带铁磁的超导磁共振成像磁体,提出了一种确定类的优化算法来优化极靴的形状以达到匀场的目的。这种方法集合了灵敏度分析、形状优化的理论和有限元方法计算非线性铁磁材料极靴的配置,来改善两个极靴之间大体积成像区的磁场均匀度。需要指出的是,本优化方法不受极靴初始形状的限制,均可以快速收敛。我们通过一个紧凑型的1.2T双平面磁共振磁体,展示了这种方法。     

食品中铝的测定及超标对人体的危害

用分光光度法测定了油炸食品、膨化、威化、面包粉、海蜇中的铝含量.利用Al3+在乙二胺-盐酸溶液缓冲介质中,与铬天青S及溴代十六烷基吡啶(CPB)反应形成蓝绿色四元胶束,在620nm处测定其吸光度,并对CPB质量浓度进行了最佳选择.结果表明,该法提高了测定灵敏度.5种类型的样品中,海蜇的铝含量最高;面包粉的铝含量最少.此方法允许pH值范围宽、稳定性好、操作简便,测定食品中微量铝得到较好的精密度和准确度.     

太赫兹波段超材料的制作、设计及应用

本文从制作方法、结构设计和材料选择几方面综述了超材料在太赫兹波段的电磁响应特性和潜在应用。首先,介绍了获得不同维度、具有特异电磁响应以及结构可调超材料的各种微加工制作方法,进而分析和讨论了超材料的电磁响应特性。文中指出,结构设计可以控制超材料的电磁响应特性,如各向异性、双各向异性、偏振调制、多频响应、宽带响应、不对称透射、旋光性和超吸收等。超材料的电磁响应依赖于周围微环境的介电性质,因而可用于制作对环境敏感的传感器件。此外,电光、磁光、相变、温度敏感等功能材料的引入可以获得光场、电场、磁场、温度等主动控制的太赫兹功能器件。最后,简单介绍了超材料在太赫兹波段进一步发展所面临的机遇和挑战。     

多孔材料强化管内对流换热的数值研究

对多孔材料强化管内换热进行了数值研究,详细讨论了多孔材料厚度(0≤e≤1)和渗透率(10-5≤Da≤10)等参数对管内换热特性和压力损失的影响.结果表明:利用多孔材料调整流场分布,剪薄边界层厚度,能够有效地增强管内换热.当Da=10-4时,管内充分发展Nu数最大能够增至空管时5.5倍左右.但管内压力损失随着多孔材料厚度e的增加或Da数的减小而急剧增大.因此在实际应用中,应采用部分填充多孔材料,文中建议最佳的多孔材料厚度e取O.6左右,此时换热可以得到相当程度的强化,而且压力损失控制在可接受的范围内.     

新型有机空穴传输材料氟代四苯基联苯二胺的合成与表征

设计和合成了一种新型的有机空穴传输材料N,N'-二苯基-N,N'-双(2-氟苯基)-[1.1'-联苯]-4,4'-二胺(FTPB),通过熔点测试、元素分析、FTIR光谱和1H NMR谱等手段对其分子结构进行了表征.采用循环伏安法(CV)结合UV-Vis吸收光谱测试了其能级结构.结果表明,其HOMO能级为-5.36eV,带隙为3.20eV,有望成为优良的空穴传输材料.     

同时实现介电常数和磁导率为负的H型结构单元左手材料

基于用一种结构同时实现材料介电常数和磁导率为负的思想，提出了H型结构单元左手材料模型.采用矩形波导法测试表明，H型结构单元在微波频率范围出现左手透射峰，并且可以由参数t对左手特性区域进行调控.同时利用相位法、棱镜折射法和散射参量法从实验和理论证明了在左手透射峰区域材料的折射率为负值，介电常数和磁导率亦同时为负.相对由金属开口谐振环与金属线两种结构组合实现的左手材料，H型结构集磁谐振与电谐振于一体，结构简单、制备方便，对微波器件左手材料表现出更多的优越性.     

Y3Al5O12：Eu^3＋磷光体的溶胶—凝胶法合成及发光特性

以金属烷氧基化合物为原料．采用溶胶-凝胶法在1000℃下合成了Eu^3 掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体。利用TG-DSC，XRD和发光光谱等对样品进行了表征。结果表明，YAG：Eu^3 的晶相形成温度为991℃。Eu^3 在非晶态和晶态YAG中的发射光谱有明显差异。研究了Eu^3 含量和烧结温度对Eu^3 的^5D0→^7F1和^5D0→^7F2发射峰强度的影响。随煅烧温度的升高和Eu^3 浓度的增加，Eu^3 发射峰强度增强。     

Direct Current Hopping Conductivity in One—Dimensional Nanometre Systems

A one-dimensional random nanocrystalline chain model is established.A dc electron-phonon-field conductance model of electron tunnelling transfer is set up,and a new dc conductance formula in one-dimensional nanometre systems is derived.By calculationg the dc conductivity,the relationship among the electric field,temperature and conductivity is analysed.and the effect of the crystalline grain size and the distrotion of interfacial atoms on the dc conductance is discussed.The result shows that the nanometre system appears the characteristic of negative differential dependence of resistance and temperature at low temperature.The dc conductivity of nanometre systems varies with the change of electric field and trends to rise as the crystalline grain size increases and to decrease as the distroted degree of interfacial atoms increases.     

High—Efficiency Organic Double—Quantum—Well Light—Emitting Devices Using 5,6,11,12—Tetraphenylnaphthacene Sub—monolayer as Potential Well

The double-quantum-well organic light-emitting devices of indium-tin-oxide (ITO)/NPB (50nm)/rubrene (0.05nm)/NPB (4nm)/rubrene (0.05nm)/Alq3 (50nm)/LiF (0.5nm)/Al were fabricated, in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N‘-diphenyl-1,1‘-biphenyl-4,4‘‘‘‘‘‘‘‘-diamine (NPB) is used as a barrier potential or hole transport layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) used as electron transport layer, and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) as a potential well and emitter. The brightness can reach 18610cd/m^2 at 13V. The maximum electroluminescent efficiency of the device was 6.61cd/A at 7V, which was higher than that of common dope-type devices. In addition, the electroluminescence efficiency is relatively independent of the drive voltage in the range from 5 to 13V.