SmBa2Cu3O7-x超导块材纳米粉合成工艺研究

本文采用不同相成分纳米前驱粉，制备了一系列SmBa2Cu3O7-x块材，并对其制备工艺进行了研究．纳米前驱粉制备采用本中心自行研发的一种简便高效的“凝胶快速分解法”．研究结果表明，采用“凝胶快速分怨法”，经650℃-950℃的适当热处理可以得到不同相成分的纳米前驱粉；在一定的温度和时间范围内，前驱粉的粒度基本不受热处理温度的影响．磁测量的结果表明，化学成分相同时，前驱粉的相组成对最终的SmBa2Cu3O7-x块材的临界超导转变温度（Tc）并无明显影响．     

均一球形PDP用荧光粉(Y,Gd)BO3:Eu的合成

利用共沉淀法通过控制稀土离子浓度、沉淀温度等得到稀土氧化物前驱体沉淀,再将其和H3BO3按化学计量比混合煅烧制备出了平均粒径在0．5～1．0μm的球形、粒径分布较小和无团聚的(Y,Gd)BO3：Eu荧光粉,其性能在一些方面优于商用荧光粉。利用X射线衍射、SEN、粒度分析仪和PL光谱进行表征。研究了不同的煅烧温度对荧光粉性能的影响,结果发现用本实验方法在800℃煅烧即可得到纯相的(Y,Gd)BO3：Eu。而传统固相合成纯相的(Y,Gd)BO3：Eu反应温度高达1200℃。因本方法工艺较易控制,适于在工业生产上推广。     

第二配体对Sm(DBM)3掺杂的PMMA样品发光的影响

分别使用phen（1,10-邻菲咯啉）、TOPO（三正辛基氧化磷）、TPPO（三苯基氧化磷）作为第二配体与Sm（DBM）3（DBM：二苯甲酰甲烷）相互作用,合成了相应的配合物,然后分别将其掺入MMA中,进行聚合得到了固体样品。测量了不同第二配体样品及无第二配体样品的激发和发射光谱,对谱峰做了指认。发射谱中主要发射峰均为Sm^3＋的特征发射,有机配体的发光带很弱,说明从有机配体到稀土发光中心的能量传递非常有效。监测Sm^3＋离子644nm发射峰（^4G5/2→^6H9/2）测量了样品的激发光谱。结果显示,第二配体的加入改变了有机配体的能级结构,激发边出现明显的移动,同时紫外区的激发效率发生了变化,对发光产生了显著的影响。还测量了上述样品中Sm^3＋的^4G5/2能级的发光衰减曲线,拟合出该能级的跃迁寿命,针对不同第二配体的情况进行了比较分析。实验结果表明,第二配体的共轭性和化学键匹配对发光强度影响很大,在我们的结果中,第二配体为TPPO时发光效率最高。     

3 ω线法测量液体热参数影响因素分析

首先给出基于谐波探测技术测量液体导热系数和热扩散系数的3ω线法的基本原理.采用实验和理论分析相结合的方法,分析了加热丝结构参数和自身热参数对温度波动和测量结果的影响.给出了加热丝直径和长度的合理范围.液体导热系数比较小时可以利用三次谐波的实部和虚部的交点测量液体的比热容.     

含铕配合物荧光纳米纤维的制备及光学性质的研究

通过静电纺丝技术,将发光良好的稀土配合物Eu(DBM)₃·H₂O和Eu(DBM)₄·CPC纳米微粒复合到水溶性的聚乙烯基吡咯烷酮中,制备了具有稀土铕离子红色特性荧光的聚合物纳米纤维。通过对稀土配合物以及聚合物纳米纤维样品扫描电镜和透射电镜的测试,发现当稀土配合物复合到聚合物纳米纤维中后,由于与聚乙烯基吡咯烷酮乙醇溶解性良好,其微观结构发生了变化,得到了50～100 nm左右的比较均匀的线状结构。同时,通过对稀土配合物以及聚合物纳米纤维样品的荧光激发、发射光谱及荧光寿命进行研究,表明稀土配合物在聚合物纳米纤维中比其在粉末状有更高的发光强度及更长的荧光寿命,其原因在于高分子纳米纤维为稀土配合物提供了较稳定的化学环境。     

加速器高频D电路Q值的计算与测量

 介绍了回旋加速器高频单D型盒D电路Q值的计算与测量方法。重点对Q值的理论计算进行推导，并对计算原理进行说明。然后对计算结果和测量结果进行比较。得出的计算和测量结果基本吻合。误差产生的主要原因是计算过程中的近似和短路片接触电阻的取值，其中短路片接触电阻是一个重要因素，在设计腔体时应引起足够的重视。     

3C-SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据

报道了关于3C—SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据．将电化学腐蚀3C—SiC多晶靶材得到的多孔材料在水溶液中进行超声处理，制备出发光的3C—SiC纳米颗粒溶液．透射电镜实验表明，所得颗粒直径分布在1-6nm范围，光致发光谱实验给出了存在量子限制效应的实验证据．发光范围在440-460nm．SiC纳米颗粒量子限制效应的发现，为该材料在光电子发光器件中的应用提供了重要的实验基础．     

Three-dimensional Monte Carlo simulation of bulk fin field effect transistor

In this paper,we investigate the performance of the bulk fin field effect transistor(FinFET) through a threedimensional(3D) full band Monte Carlo simulator with quantum correction.Several scattering mechanisms,such as the acoustic and optical phonon scattering,the ionized impurity scattering,the impact ionization scattering and the surface roughness scattering are considered in our simulator.The effects of the substrate bias and the surface roughness scattering near the Si/SiO2 interface on the performance of bulk FinFET are mainly discussed in our work.Our results show that the on-current of bulk FinFET is sensitive to the surface roughness and that we can reduce the substrate leakage current by modulating the substrate bias voltage.     

980 nm脉冲激发下Er3+掺杂材料中4Ⅰ13/2→4Ⅰ15/2跃迁的瞬态行为

在过去的几十年人们对Er3+掺杂的玻璃材料进行了广泛的研究,因为Er3+的4Ⅰ13/2→4Ⅰ15/2跃迁能够给出适合红外光通讯窗口的1.5 μm的发射.据我们所知,目前关于脉冲激光激发下Er3+掺杂材料1.5 μm发射的动力学行为研究报道仍很少.我们引入了转移函数理论,研究了980nm脉冲激发下Er3+的4Ⅰ13/2能级荧光的动力学行为.发现在980nm脉冲激发后,其荧光衰减遵循双指数规律,4Ⅰ13/2能级布居分为指数上升和指数下降两个过程.     

铁电磁体Pb(Fe1/2Nb1/2)O3的磁电性能研究

对铁电磁体Pb(Fe1/2Nb1/2)O3单晶样品中的介电和磁性能进行了研究. 认为在其反铁磁相变点观察到的介电常数和损耗的异常来自于自发极化序和自旋序的相互作用引起的磁电耦合. 磁矩与温度的关系曲线在Néel点以下的低温段呈上升趋势,测得的磁滞回线证明有弱铁磁性出现. 对铁电磁体磁电相互作用的Monte Carlo模拟得到与实验类似的结果.