(111)取向(Pb,La)TiO3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究

采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20-60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C·(cm2·K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.     

磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学研究

利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征，研究了射频反应磁控溅射条件 下，ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现，ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片，三个成核阶段的生长指 数分别为β₁=1.04，β₂=0.25±0.01，β₃=0.74；对 于Si(11 关键词： ZnO薄膜 磁控溅射 生长动力学 成核机制     

模拟退火法在吸收薄膜的椭偏反演算法中的应用

将一种广泛用于求解复杂系统优化问题的技术－－模拟退火法－－用来求解椭偏反演方程。首先假设一个薄膜模型，计算出其相应的椭偏参数（Ψ，Δ）的值，在这个计算值的基础上加入不同标准偏差的高斯噪声；然后将加入噪声后的值（Ψm,Δm)作为模拟的测量数据，采用模拟退火算法进行求解，验证得知这种方法求得的薄膜参数很接近于假设的薄膜模型参数的真值，与其他文献的报道结果一致，而且在扩大搜寻范围时，仍然可以得到准确解，从而证明了该方法的可行性以及有效性。     

基于LiCo0.8M0.2O2 (M=Ni,Zr)薄膜的全固态薄膜锂电池

用射频磁控溅射结合传统退火的方法制备LiCo0.8M0.2O2 (M=Ni,Zr)阴极薄膜．X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜等手段表征了不同掺杂的LiCo0.8M0.2O2薄膜．结果显示,700℃退火的LiCo0.8M0．2O2薄膜具有类似α-NaFeO2的层状结构．通过对不同掺杂锂钴氧阴极的全固态薄膜锂电池Li／LiPON／LiCo0.8M0.2O2的电化学性能研究表明,电化学活性元素Ni的掺杂使全固态电池具有更大的放电容量(56μAh／cm2μm),而非电化学活性元素Zr的掺杂使全固态电池具有更好的循环稳定性．     

浅谈先进陶瓷

中国陶瓷有着漫长的发展历史,中国最早的陶器可追溯到9000年前,而瓷器也早在4000年前就已出现。如今陶瓷制品广泛应用于社会生活、科学技术的方方面面。所谓陶瓷,从广义上讲,指除有机和金属材料之外的所有其他材料,即无机非金属材料;从狭义上讲,陶瓷材料主要指多晶的无机非金属     

生活中的薄膜干涉现象

当我们在阳光下洗衣服时，盆里的肥皂或洗衣粉泡上会出现各种彩色花纹，并且随泡的大小变化，花纹的形状和颜色也不断的变化；炎热的夏天，雨过天晴，柏油路的积水面上浮着一层油膜会呈现出五颜六色；用手把两片无色透明的玻璃片捏在一起，阳光下也能看到彩色花纹．以上现象的产生，是因为光产生了薄膜干涉现象。     

基于超分子结构共掺杂纳米复合薄膜的制备与荧光特性

为改善功能分了的特性,提出一种基于金属纳米粒子-偶氮染料复合物共掺杂超分子结构功能材料的设计新方法.并依照此方法制备出复合材料,观测了其显微结构,测量了其紫外-可见光吸收,研究了该超分子结构复合体系的荧光特性.实验发现,由于金属银纳米粒子的掺杂,使得超分子结构复合体系中功能分子甲基橙在溶液态体系的荧光强度增强近5倍,而在两种不同结构(共混结构和包覆结构)的薄膜态超分子结构体系中,其荧光强度分别被猝灭15%和20%.研究结果表明,复合膜中采用超分子结构完全能够改善功能分子的特性.     

射频磁控溅射法制备薄膜电池电极的计算机模拟初步

计算机模拟仿真射频磁控溅射实验制备薄膜及离于电池电极,研究了在特定实验条件下薄膜的生长过程,并分析了影响薄膜生长的部分因素。     

有机电致发光器件材料的椭偏研究

本文报道了用可变入射角椭圆偏振仪（Variable angle incidence Spectroscopic Ellipsometer）测量Alq3,NPB,CuPc,Rubrene薄膜的光学常数，我们采用真空蒸镀法在硅衬底上分别制备了以上四种薄膜，然后我们用可变入射角椭圆偏振仪对四种薄膜进行了测量，测量在大气中进行，光谱范围从200到1000nm（或1.24到5cV），测量角度为65℃、70℃、75℃、80℃，接着，用Wvase32软件对四种薄膜的光学常数随波长（光子能量）的变化函数进行拟合，通过拟合我们得到了真空蒸镀的Alq3,NPB,CuPc,薄膜的光学常数随波长的变化函数及曲线，并且从材料吸收谱的吸收边，我们还得到了这些材料的光学禁带宽度。