基于Julia分形的多涡卷忆阻混沌系统

忆阻器作为一种非线性电子元件,能用作混沌系统中的非线性项,从而提高系统的复杂度.分形与混沌是密切相连的,分别对两者的研究都已成熟,却鲜有将分形过程应用到混沌系统中,以产生丰富的混沌吸引子.为了探索将分形与混沌系统相结合的可能性,本文首先提出了一个新的忆阻混沌系统,并从对称性、耗散性、平衡点稳定性、功率谱、Lyapunov指数和分数维等方面探讨了系统的动力学特性;紧接着,把经典的Julia分形过程应用到该忆阻混沌系统中,产生了新的混沌吸引子,并将几种由Julia分形衍生的变形Julia分形过程应用于文中提出的忆阻混沌系统,获得了丰富的混沌吸引子;最后,讨论了分形过程中的复常数对系统的影响.从仿真结果可以看出,分形过程与混沌系统的结合能产生丰富的多涡卷混沌吸引子.这不仅为产生多涡卷混沌吸引子提供了一种新方法,还弥补了使用功能函数方法造成混沌系统不光滑的不足.     

五阶压控忆阻蔡氏混沌电路的双稳定性

通过在蔡氏电路的耦合电阻支路中串联一个电感,采用压控忆阻替换蔡氏电路中的蔡氏二极管,提出了一种新颖的五阶压控忆阻蔡氏混沌电路.建立该电路的数学模型,从理论上分析了平衡点及其稳定性的演化过程.特别地,该电路在给定参数下只有一个不稳定的零平衡点,却形成了混沌与周期的非对称吸引子共存的吸引盆,意味着双稳定性的存在.进而利用数值仿真与PSIM电路仿真着重研究了本文电路在不同初始状态下产生的双稳定性现象及其形成机理.PSIM电路仿真结果与数值仿真结果一致,较好地验证了理论分析.借助分岔图、李雅普诺夫指数、相轨图和吸引盆进一步深入探讨了归一化五阶压控忆阻蔡氏系统依赖于系统初始条件的动力学行为.结果表明,该忆阻蔡氏系统在不同的初始条件下能够呈现出混沌吸引子与周期极限环共存的双稳定性现象.     

抗方阻波动的超宽带轻薄频率选择表面吸波体

满足宽带、极化和入射角度稳定、轻薄和强吸收等高性能要求的电阻膜频率选择表面(FSS)吸波体设计难度大,且易因加工中方阻波动导致吸波性能变化.为此,本文首先分析了方阻波动影响电阻膜FSS吸波体性能的机理,提出抗方阻波动的FSS吸波体设计方法.在此基础上,提出利用不同层FSS阻抗随频率变化互补的扩展带宽方法,结合弯折小型化设计,获得了超宽带、极化和角度稳定的轻薄型抗方阻波动FSS吸波体.该FSS吸波体在TE和TM极化下,90%吸波带宽为1.50—20.50 GHz (相对带宽173%),厚度仅为0.093λ_L.TE极化波80%吸波的角度稳定性可达45°,而TM极化波90%吸波的角度稳定性可达70°.当每层FSS方阻在12—30Ω/sq范围内波动时,吸波体的90%吸波带宽仍保持在167.0%.实验测试结果与仿真结果基本吻合,证明了所提方法的有效性.     

贻贝启发的偶氮-聚多巴胺涂层用于光电双响应忆阻器件

高性能忆阻器件的开发适应了大数据时代的需求,尤其是以结构可灵活调变的有机/高分子材料为活性层的新型忆阻器件,正日益成为光电传感和人工智能研究领域的热点。受贻贝灵感化学启发,在蒸镀有氧化铟锡（ITO）的玻璃基底上自组装聚多巴胺（PDA）薄膜形成活性层,随后通过点击化学反应接枝具有光致异构化特性的偶氮苯（Azo）,制备了结构为Al/PDAAzo/ITO的忆阻器件。对其结构和电学性能进行的研究结果表明：偶氮苯共价接枝在平整的聚多巴胺表面;器件在施加电压扫描下表现出稳定的非易失性可擦写阻变存储特性,并且电导率在紫外光照射后增加30倍,而在可见光照射后恢复,实现了对电场和光场的双重响应。     

多孔介质中气泡卡阻的可视化实验研究

气泡卡阻是多孔介质两相输运过程中的一个重要现象，但是气泡卡阻的动力学和几何条件一直未被系统地研究。本文使用二维孔网络模型，对注射到多孔介质中气泡在浮力作用下的形成、迁移和卡阻现象进行了可视化研究。研究发现，孔喉系数为1的多孔介质中气体在不同注射速率下均不发生卡阻，而孔喉系数为0.33的多孔介质中卡阻大量发生。基于上述实验现象进行建模，结果显示，较大的Bo数不利于气泡的卡阻；适中的孔喉系数有利于气泡的卡阻。     

第一性原理研究[111]晶向硅纳米线电子结构，光学性质与压阻特性的应变效应

基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似（GGA），利用第一性原理方法计算研究了单轴应变对[111]晶向硅纳米线的电子结构、光学性质以及压阻性质的影响．能带结构和光学性质的结果表明：压应变导致硅纳米线的带隙明显线性减小，且使其由直隙半导体转变为间隙半导体，而施加拉应变后硅纳米线仍为直隙半导体材料，但是带隙略有减小，且价带顶附近的能带线产生了较为复杂的变化．由于能带的应变效应导致其光学性质也相应发生了较大改变：拉应变使硅纳米线的介电峰出现宽化现象，低能区内的光吸收增强，静态折射率和反射率峰值增大，而压应变的效果则相反．结合能带结构与压阻系数计算模型得到的压阻特性结果表明：随着压应变的增加压阻系数单调减小，这主要归因于空穴浓度随压应变显著变化引起的；而拉应变作用时，压阻系数呈现波动趋势，这主要是由于空穴有效传输质量的增加程度和载流子浓度的增加程度不同而相互竞争导致的．上述计算结果表明，设计基于硅纳米线的光电和力电器件时，需考虑其应变效应．     

Nafion(R)/TiO2复合膜的质子传导性能研究

0引言 Nafion(R)膜是质子交换膜燃料电池和直接甲醇燃料电池的首选电解质膜.该膜若要成功地应用于燃料电池,还需要解决2个关键问题:降低甲醇渗透率和提高Nafion(R)膜在高温的质子传导能力(即保水能力).目前主要靠在Nafion(R)膜的球状胶束中加入亲水性的无机纳米粒子解决这个问题[1～9].无机粒子的加入不仅可以有效地阻隔甲醇分子,而且因其亲水性可增加Nafion(R)膜在较高温度下的保水能力,使得Nafion(R)膜在较高温度仍可保持良好的质子导电性.     

稀土基氧化物忆阻器的研究进展

忆阻器是一种将电荷和磁通量关联起来的电路学基本元器件，在量纲上它与电阻相同，表现为随电压电流变换的非线性电阻变换行为。作为一种新型的非易失性存储器件，忆阻器具有结构简单、存储密度高和能够模拟生物神经突触等特性。因其独特的“记忆特性”，在阻变存储器、人工神经网络和非线性运算电路设计等领域被广泛的研究。其中，稀土基氧化物忆阻器因其更加稳定的性能和多元的应用前景，成为忆阻器研究关注的热门材料。但目前对于稀土氧化物材料，尤其对重稀土元素并没有较为全面的总结和归纳。因此，文章从忆阻器的结构、组成和电阻转换机理进行了论述。以元素为分类标准，系统地梳理从Y元素到Lu元素，国内外每种稀土氧化物以及稀土掺杂氧化物忆阻器在阻变存储器，人工神经网络等方面应用的重点工作。最后，对目前稀土基忆阻器研究遇到的问题和挑战进行了分析，总结了稀土基氧化物忆阻器优缺点，提出了目前可行的方法，并展望了发展趋势和应用潜力。     

基于R-C耦合跨阻设计的1 kHz～200 MHz宽带平衡零拍探测器

通过分析平衡零拍探测器的噪声来源，采用电阻-电容（R-C）耦合跨阻电路方案并优化跨阻放大电路结构，实现了一种低噪声、高共模抑制比的宽带平衡零拍探测器，工作带宽为1 kHz～200 MHz。当光功率为8 mW的1550 nm激光入射时：在5 kHz分析频率处散粒噪声功率比电子学噪声功率高12 dB，共模抑制比达到70 dB；在100 MHz分析频率处散粒噪声功率比电子学噪声功率高20 dB，共模抑制比达到66 dB。该探测器可以为低频引力波探测、高速连续变量量子密钥分发和高速量子随机数发生器等应用提供高性能的探测工具。     

剖析全国化学奥林匹克竞赛有机化学模块中学生的几点疑惑

针对高中生学习化学奥林匹克竞赛有机化学模块中的几点普遍问题进行剖析。结合历年竞赛真题讲解了甲基是否具有空间位阻、氧正离子中间体是否稳定、中间体和过渡态的区别、五元环和七元环哪个更容易开环、1-氯二环[2.2.1]庚烷和1-氯二环[2.2.2]辛烷哪个容易发生取代反应这5个问题。强调竞赛中有机模块的本质是考查对于基础知识的灵活运用，考生需要在学习过程中夯实基础知识，在此基础上提高思维能力，才能取得理想成绩。