Al_2O_3 基陶瓷摩阻材料的摩擦磨损特性

在ＭＧ－２００磨损试验机上，对以Ａｌ２Ｏ３为基体，分别添加固体润滑剂组元石墨和氮化硼制备的２种陶瓷摩阻材料的摩擦磨损特性进行了试验研究．结果表明：在给定的试验条件下，添加石墨或氮化硼都可以改善材料摩擦性能的稳定性；分别在１００℃，２００℃，３００℃和４００℃下定温试验时，这２种摩阻材料都具有较高的摩擦因数和良好的耐磨性，其中含氮化硼之摩阻材料的耐磨性比含石墨之摩阻材料的更好，前者在４００℃时的磨损率仅为后者在同温时的１／２．     

T22铁基粉末冶金摩阻材料的研制与应用

重载机械的发展对摩阻材料提出了更高的技术要求。铁基粉末冶金摩阻材料是以铁为基体,含有适量摩擦组元和润滑组元的多相复合材料,成本较低,适用于制作重载机械制动瓦。作者介绍了自行研制的用于制作装甲履带车辆制动瓦的T22铁基粉末冶金摩阻材料的基本组成和性能,并将这种制动瓦与铸铁瓦进行了对比试验,表明前者不仅在热稳定性和耐磨性上都明显地比后者的好,而且它还具有车辆减速度高、制动距离短和使用寿命长等优点,可以满足转向灵活、使用可靠的要求,提高了装甲履带车辆的机动性。     

反铁磁Cr插入层对CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻的影响

利用基于密度泛函理论和非平衡态格林函数的第一性原理计算研究了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻效应。给出了该隧道结隧穿磁电阻与偏压的依赖关系,并计算了平行结构与反平行结构相应的I-V特性曲线和传输谱。通过在一侧电极与势垒层之间插入反铁磁金属Cr层,观察到了隧穿磁电阻、电导随插入层Cr层数增加发生衰减和2个原子层周期的振荡现象,这主要是由于Cr拥有反铁磁结构,在Cr/MgO界面形成了与Cr磁矩取向相关的界面散射。     

一个分数阶忆阻器模型及其简单串联电路的特性

忆阻器是具有时间记忆特性的非线性电阻. 经典HP TiO₂忆阻器模型的忆阻值为此前通过忆阻器电流的时间积分, 即记忆没有损失. 而最近研究证实HP TiO₂ 线性忆阻器掺杂层厚度不能等于零或者器件整体厚度, 导致器件的记忆有损失. 基于此发现, 本文首先提出了一个阶数介于0 与1间的分数阶HP TiO₂ 线性忆阻器模型, 研究了当受到周期外激励时, 分数阶导数的阶数对其忆阻值动态范围和输出电压动态幅值的影响规律, 推导出了磁滞旁瓣面积的计算公式. 结果表明, 分数阶导数阶数对磁滞回线的形状及所围成区域面积有重要影响. 特别地, 在外激频率大于1时, 分数阶忆阻器的记忆强度达到最大. 然后讨论了此分数阶忆阻器与电容或电感串联组成的单口网络的伏安特性. 结果表明, 在周期激励驱动时, 随着分数阶导数阶数的变化, 此分数阶忆阻器与电容的串联电路呈现出纯电容电路与忆阻电路的转换, 而它与电感的串联电路则呈现出纯电感电路与忆阻电路的转换.     

嵌入Ag纳米颗粒层的DNA忆阻器

构建了具有“Al/DNA-CTMAB/Ag NPs/DNA-CTMAB/ITO”结构的有机忆阻器件, 并对其电流-电压 (I-V)曲线进行测量. 结果表明, 嵌入Ag纳米颗粒层, 不仅可以增强器件的导电性, 而且忆阻特性也显著提高. 当颗粒粒径在15–20 nm范围时, 开-关电流比I_ON/I_OFF能够达到10³. 器件的I-V特性受扫描电压幅值V_A的影响, 随着V_A的增大, 高阻态的电流变化较小, 而低阻态的电流明显增大, 开(或关)电压V_SET (V_RESET)和I_ON/I_OFF增加. 实验还发现, 器件高低阻状态的相互转换取决于外加电场的方向, 说明该忆阻器具有极性.     

基于有源广义忆阻的无感混沌电路研究

采用常见元器件等效实现一个广义忆阻器, 进而制作出一个电路特性可靠的非线性电路, 有助于忆阻混沌电路的非线性现象的实验展示及其所产生的混沌信号的实际工程应用. 基于忆阻二极管桥电路, 构建了一种无接地限制的、易物理实现的一阶有源广义忆阻模拟器; 由该模拟器并联电容后与RC桥式振荡器线性耦合, 实现了一种无电感元件的忆阻混沌电路; 建立了无感忆阻混沌电路的动力学模型, 开展了相应的耗散性、平衡点、稳定性和动力学行为等分析. 结果表明, 无感忆阻混沌电路在相空间中存在分布2个不稳定非零鞍焦的耗散区和包含1个不稳定原点鞍点的非耗散区; 当元件参数改变时, 无感忆阻混沌电路有着共存分岔模式和共存吸引子等非线性行为. 研制了实验电路, 该电路结构简单、易实际制作, 实验测量和数值仿真两者结果一致, 验证了理论分析的有效性.     

Synthesis and Crystal Structure of the Diiron Azadithiolate Complex [（μ-SCH_2）_2NPh]Fe_2（CO）5（Ph_2PCH_2PPh_2）

Reaction of [(μ-SCH2)2NPh]Fe2(CO)6 with Ph2PCH2PPh2 in the presence of Me3NO·2H2O gave the title complex [(μ-SCH2)2NPh]Fe2(CO)5(Ph2PCH2PPh2)(1)in 78% yield.The new complex 1 was characterized by elemental analysis,spectroscopy and X-ray crys-tallography.It crystallizes in triclinic,space group P1 with a = 10.832(2),b = 12.003(2),c = 15.579(3),V = 1785.6(6)3,Z = 2,C32H26Fe2NO5PS2,Mr = 819.40,Dc = 1.524 g/cm3,μ(MoKα)= 1.064 mm-1,F(000)= 840,T = 113(2)K,the final R = 0.0543 and wR = 0.1218 for 6203 observed reflections(I > 2σ(I)).The Ph2PCH2PPh2 ligand resides in an axial position of the square-pyramidal coordination sphere of the Fe atom and trans to the benzene ring in order to reduce the steric repulsion between Ph2PCH2PPh2 and the benzene ring.     

含磁控和荷控两种忆阻器的混沌电路设计与仿真

利用惠普实验室荷控和磁控两种忆阻器模型设计了一个五阶混沌电路. 数值仿真结果表明该电路在参数变化情况下能产生Hopf分岔和反倍周期分岔两种分岔行为,并能产生双涡卷、单涡卷、周期态等不同相轨道. 为了验证电路的混沌行为,利用基本元器件设计了惠普实验室荷控和磁控忆阻器模拟器,并将其应用到对所设计电路中进行Pspice仿真,电路仿真结果验证了理论分析的正确性. 关键词： 混沌电路 HP忆阻器 模拟器 Pspice仿真     

阻性管道消声器消声量方程的一个新算法

将阻性管道消声器消声量特征方程（组）转化为常微分方程（组），由此给出消声量计算的一个新方法。该方法毋需迭代因而不存在计算稳定性问题，计算量小，初值的迭取也很简单，适合于扁矩形、任意矩形及圆形等各种截面管道消声器，尤其对多变量、考虑平均流影响的情形更为有效。     

车用潜热贮热器的流动与换热实验研究

本文通过对车用潜热贮热器流动与换热实验研究，获得了该相变过程的流动、传热特性，为修正该装置的设计提供了可靠的数据．