信号传输线趋肤效应的分析

信号传输线的趋肤效应直接影响传输性能.通常引用半无限大导体对入射电磁波的衰减规律来定性说明传输线上的趋肤效应.本文则根据麦克斯韦方程组对导线内的电流分布进行分析,得出了导线内电流存在趋肤效应的结论,并推导了孤立圆导线单位长度的电阻计算公式.     

纳米结构ZnxFe3-xO4-α-Fe2O3多晶材料中的巨隧道磁电阻效应

在具有纳米绝缘层的多晶锌铁氧体体系中,当晶界为α-Fe₂O₃纳米量级(6—7nm)的绝缘层时,则构成(Zn_xFe_3-xO₄)-α-Fe₂O₃非均匀体,高分辨电子显微镜已证实了这种微结构,该体系在0.5T磁场、4.2K温度下,磁电阻效应可达1280%,300℃下为158%. 关键词： 隧道磁电阻效应 锌铁氧体 纳米结构     

La0.822Sr0.178MnxO3薄膜的输运性质

本文报道了用La、Sr、Mn的环烷酸盐溶液,采用两次旋转覆盖的溶胶－凝胶方法,在LaA-lO3(100)基底上合成了La0.822Sr0.178MnxO3薄膜,Mn含量x在0．944－1．196范围内,电阻率随着温度的变化关系,是从绝缘体内金属导电行为转变;对x＝0．9样品则表现为绝缘体,对x＝0．944样品,当T／Tc时,ρ∝exp(E/kT),说明载流子的迁移是以热激活方式进行的,热激活能为21meV;当T＜Tc时,符合ρ＝ρ0＋AT^2．5,说明电子－声子和电子－磁极化子散射占主要,对x＝0．97、0．99、1．196样品,T／Tc时则更好地符合指数关系。     

定滑轮对弦振动实验的影响

对弦振动实验的异常现象进行了研究,指出了出现异常现象的原因。     

稀土锰酸盐纳米颗粒复合体系的软化学制备及磁电阻增强效应

介绍了一类增强磁电阻效应的新型稀土锰酸盐多晶颗粒复合体系及其化学制备方法,并对增强的机理进行了初步的探讨。     

对固体圆二色光谱测试方法的再认识——兼谈“浓度效应”

对近期发展的固体圆二色(CD)光谱测试方法进行了概述、评价和比较, 着重探讨了“浓度效应”的存在使固体CD光谱失真的原因. 通过对本课题组和其他作者已报道的四种化合物的固体CD谱再测试的反思, 强调了依手性化合物的手性光谱学性质不同, 根据浓度梯度实验选择其合适测试浓度的必要性. 对固有手性的阻转异构化合物(S)-1,1'-联二萘酚(S-BINOL)进行了成膜法固体CD谱浓度梯度测试, 发现所得固体薄膜CD谱中也存在着“浓度效应”     

新型螯合棉分离抑制动力学光度法测定痕量铅

研究了在硼砂 氢氧化钠介质中 ,以 2 ,2′ 联吡啶为活化剂 ,Pb2 +对过氧化氢氧化偶氮氯磷 (Ⅲ )褪色反应具有的作用及其动力学条件 ,从而建立了一种测定痕量铅的新的动力学光度法 ,该方法的检出限为 3 9× 1 0 - 1 1 g/mL ,线性范围为 0～ 1 0 μg/1 0mL ,采用自制的MBM新型螯合棉纤维分离富集 ,可用于环境样品中痕量Pb2 +的测定。     

取代基对2-脲基-4(1H)-嘧啶酮衍生物聚集行为的影响

UPy结构上的6位取代基会影响UPy结构上的离域π电子云的密度,6位取代基的给电子诱导效应越强,π电子云的密度越大,四重氢键的作用越强。脲基嘧啶酮结构即UPy结构的二聚体存在着最低的势能,表明该结构在体系内最为稳定。随着嘧啶环上的电子云密度增加,离域π键间的电子斥力增强,(001)晶面间距d逐渐增大。异氰酸酯结构的空间位阻的增大会阻碍UPy中的氢原子与相邻的嘧啶酮之间的接触,使得氢键作用强度减弱,同时较大的空间位阻会阻碍嘧啶环间的π–π相互作用,使得(001)晶面间距增大。     

电场调控Pt/Co∶ZnO/Nb∶SrTiO3异质结阻变与磁性研究

利用脉冲激光沉积法在0.7; Nb∶ SrTiO3衬底上制备了Co∶ ZnO薄膜,并构建了Pt/Co∶ ZnO/Nb∶ SrTiO3异质结器件.该器件表现出典型的双极性阻变效应,在正、负向电压作用下,器件电阻可以在低阻态和高阻态之间变换,电阻变换比值可达到104,阻态具有一定的保持性与耐久性,同时Co∶ ZnO薄膜的饱和磁化强度会产生与阻变相关联的可逆调控.结合ZnO薄膜阻变与磁性调控结果发现,氧空位在Co∶ ZnO/Nb∶ SrTiO3异质结的阻变及磁性调控中具有重要作用,并采用氧空位产生与湮灭结合载流子注入-束缚/解束缚模型解释阻变与磁性调控.     

含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究

采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极,结合脉冲激光沉积法在Pt/Ti/Si衬底上制备了Ti/非晶-SrTiO3-δ (STO)/Pt结构的阻变存储器件单元.器件的有效开关次数可达200次以上.利用5 mV的小电压测量处于高低阻态的器件电阻,发现在经过3.1 ×105 s以后,两种阻态的电阻值均没有明显的变化,说明器件具有较好的保持特性.器件处于高阻态和低阻态的电阻比值可达100倍以上.在9mA的限制电流下,器件的低阻态为500 Ω,有利于降低电路的功耗.氧离子和氧空位的迁移在阻变开关中起到重要的作用,界面层TiOx发挥着氧离子库的作用.阻变开关机制归因为导电细丝(Filaments)的某些部分出现氧化或者还原现象,造成导电细丝的形成和断开.