Bay区取代苝二酰亚胺分子构型及聚集调控:邻位甲基位阻效应

设计并合成了2种苝二酰亚胺分子PBI1和PBI2,研究了bay区的苯氧基团邻位甲基取代对分子构型及分子聚集的影响.通过对单晶结构的分析,发现邻位甲基的引入明显影响苝二酰亚胺分子构型,使得4个苯氧基呈中心对称分布.由于甲基的空间位阻效应,有效地减弱了分子间π-π相互作用,从而提高了分子的溶解性与溶液加工成膜性.研究结果表明,在π共轭分子结构中的关键位置引入小的甲基取代基能够显著调控分子的聚集行为,有效减少光电材料分子中非光电活性(增溶性基团)的含量,对光电材料分子的设计合成具有重要的指导意义.     

一种钨合金含损伤本构的唯象模型

利用多压阻传感器拉氏实验分析方法对受冲击90w钨合金材料中形成的应力波场进行了测试，并利用拉格朗日分析方法获得的结果建立了合金的不含损伤的本构关系．然后以动态层裂试验获得的层裂参数曲线和数据为依据．提出了一种考虑材料内部损伤成核，成长及汇合效应的唯象本构模型，并通过对层裂实验曲线进行数值模拟，确定了该合金的含损伤本构的参数．     

微观结构对膜换湿能力影响研究

对多孔膜换湿过程进行了理论分析,得到了透湿量和湿阻的计算式.同时对三种膜包括PVDF,PES和纤维素膜进行了湿阻的测量实验,通过对实验数据的回归处理,得到了多孔膜的结构参数.结果表明,膜厚、孔径分布、孔隙率及曲折因子对膜的换湿特性都有较大影响,在平均孔径相同的情况下,其它因素仍然导致了不同膜换湿能力的较大差距。在所获得的结构参数基础上,通过数值模拟的方法研究了平均孔径对膜换湿能力的影响。结果表明湿阻随平均孔径的增大而减小,减小趋势逐渐平缓最后趋向一定值。     

将毫安表改装为大量程直流电流表的新方法

在电表改装实验中,如将毫安表改装成大量程直流电流表,由于分流电阻Rs的阻值较小,接触电阻和引线电阻已不可忽略,使得改装表达不到设计目标。通过采用四端引线连接分流电阻Rs,减小接触电阻和引线电阻的影响,结合开尔文电桥测低阻的方法测量分流电阻Rs,实现了大量程直流电流表改装。     

考虑次近邻相互作用的正方形点阵完全阻挫XY模型的Ising型相变

利用有限尺寸标度分析方法,研究了考虑次近邻相互作用的正方点阵完全阻挫XY模型的Ising型相变现象.结果表明对于次近邻耦合系数x=0.5的情况,系统存在Ising型相变,临界温度Tc=0.4043±0.0005,临界指数ν=0.80±0.05.     

炭黑对乙烯基单体自由基聚合反应的影响

用悬浮聚合法制备静电复印用增色剂时，着色剂炭黑在反应体系中具有明显的阻聚作用。研究了炭黑对反应活性不同的乙烯基单体和不同引发剂体系聚合反应的影响。通过在炭黑表面进行接枝，以降低炭黑对聚合反应的干扰。     

Gd替代对La0.6-xGdxSr1.4MnO4磁性和输运性质的影响

随着x的增加，多晶La0.6-xGdxSr1.4MnO4（x=0, 0.1, 0.2, 0.4, 0.6）的零场冷却 曲线从类自旋玻璃型转变成顺磁型，并且每条零场冷却 曲线都有一在20K的拐点。这一行为可以从Gd和Mn各自对材料总磁性的不同贡献来理解。另外，在所有的样品中，从100K到室温，都观察到了热激活导电行为。由于Mn-Mn间强的反铁磁耦和，直到外场达到50 kOe，都没有观察到明显的磁电阻效应。     

漩涡阻止器水力性能的PIV试验分析及其机理研究

漩涡阻止器是用来防止或减少漩涡发生的特殊装置,它具有特殊的几何形状,能够优化水力机械内部的流动。在水泵吸水池内部,尤其在吸入口的周围存在着较大的漩涡,在吸入口的下方,安装一个“T”型的漩涡阻止器,应用PIV技术测出安装漩涡阻止器前后吸水池内部的流场分布,并对其流动特性进行深入分析,证明了该阻止器能够有效的减小漩涡发生。对这种“T”型漩涡阻止器的作用过程进行深入的研究发现,能够用摩阻理论来解释它的作用机理。     

一种非连续纳米氧化层自旋阀的显微结构研究

利用高分辨电子显微学方法(HREM)研究了纳米氧化层镜面反射自旋阀多层结构Ta(35nm)Ni80Fe20(2nm)Ir17Mn83(6nm)Co90Fe10(15nm)NOL1Co90Fe10(2nm)Cu(22nm)Co90Fe10(15nm)NOL2Ta(3nm).该自旋阀的巨磁电阻(GMR)效应高达15%,较无此镜面反射纳米氧化层(NOL)的自旋阀提高近1倍,同时交换偏置场亦有所增强.高分辨显微结构分析表明,介于钉扎层与被钉扎层之间的氧化层(NOL1)并未完全氧化,即除氧化过程生成的CoFe氧化物 关键词： 自旋阀 纳米氧化层 高分辨电子显微学 巨磁电阻效应