忆阻逾渗导电模型中的初态影响

逾渗网格模型是当前忆阻器件机理分析研究领域的热点之一, 但现有模型缺乏对初态设定的讨论. 本文对逾渗网格模型进行了简化, 并基于此, 通过电压激励步进的方式, 研究了不同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导电通道形成的影响, 分析了形成通道的动态过程以及相应的物理意义, 验证了忆阻开关元件高低阻态的阻值实际表现为高斯分布而非理想双值稳态; 而不同初态条件下, 忆阻开关元件导电通道的形状存在着不同的"树形"结构, 进而影响着其阻值的分布. 研究成果有助于进一步揭示忆阻器尚未明确的导电机理, 为今后对具体不同类型的忆阻元件的初态分析提供指导性作用. 关键词： 忆阻器 开关元件 逾渗模型 初态分析     

基于路阻函数的多任务点机动路径规划方法研究

针对复杂路网条件下,多分队多任务点行军时路线难以决策的问题,建立了同时考虑道路服务水平和分队数量的路阻函数;基于该函数的性质,提出了多任务点行军时各分队路径优化规则,构建了多任务点行军时路径规划模型;对比了部队统一机动和各分队自主行进两种规划方式的行程时间,定量说明了指挥员路径规划能力对多任务点行军的影响.为复杂路网条件下多分队、多任务点的机动指挥提供了决策方法和依据.     

Field-induced insulator-metal-insulator transitions in low-energy H2- ion-irradiated epitaxial La2/3Cal/3MnO3 thin films

Epitaxial La2/3Cal/3MnO3 thin films grown on LaA103 （001） substrates were irradiated with low-energy 120-keV H＋ ions over doses ranging from 1012 ions/cm2 to 1017 ions/cm2. The irradiation suppresses the intrinsic insulator-metal （I-M） transition temperature and increases the resistance by reducing the crystallographic symmetry of the films. No irradiation-induced columnar defects were observed in any of the samples. The specific film irradiated at a critical dose around 8 x 1015 ions/cm2 is in a threshold state of the electric insulator where the I-M transition is absent. In an external field of 4 T or higher, the I-M transition is restored and thus an enormous magnetoresistance is observed, while a negative temperature coefficient resumes as the temperature is reduced further. Magnetic relaxation behavior is confirmed in this and other heavily irradiated samples. The results are interpreted in terms of the displacement of oxygen atoms provoked by ion irradiation and the resulting magnetic glassy state, which can be driven into a phase coexistence of metallic ferromagnetic droplets and the insulating glass matrix in a magnetic field.     

类比法剖析毛细现象的能量分配

毛细现象的能量来源曾经有过激烈的讨论,但能量分配并未解释清楚.将毛细管中液柱上升运动与盘曲链条升降运动进行类比,通过受力及做功分析,明确了毛细现象中能量的分配问题,即毛细恒力做功与液柱重力势能变化、动能损失、滞阻损失之间的关系,并进行了实验验证.     

HL-2A装置ECRH水冷却系统的研制

研制了压强达0.6MPa总流量达94m3•h-1的HL-2A装置电子回旋共振加热水冷却系统,介绍了该系统的设计、水压控制和参数 测量。计算了水压降和高电压环境中水电阻,测得的回旋管阳极水回路中的漏电流小于1mA。     

铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La_07Sr_03MnO₃掺杂的ZnO陶瓷. 晶界处存在La_07Sr_03MnO₃(LSMO)和LaMnO₃(LMO)两种杂相. 样品中绝缘相LMO的含量显著影响着样品的电学性能. 掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性. 在样品上施加磁场后,样品电阻值增加,表现为正磁电阻性质. 正磁电阻的出现,是由于磁场的存在 关键词： ZnO 压敏电阻 锰氧化物 正磁电阻     

热固化剂浓度对SiCN陶瓷压阻效应的影响

采用聚合物前驱体热解法制备四种加入不同热固化剂浓度的SiCN陶瓷并研究了它们的压阻效应.研究发现,热固化剂浓度对材料的电导率和压阻效应都有很大影响,只有加入适量浓度的热固化剂才会使SiCN陶瓷具有高的电导率和明显的压阻效应.借助拉曼光谱获得了材料中碳团簇的信息,进而用渗流-遂穿导电模型解释了材料的压阻行为,SiCN陶瓷的压阻特性由材料中自由碳团簇的含量和分布决定,而碳团簇的形成则由热固化剂浓度决定. 关键词： SiCN 压阻效应 热固化剂     

非磁性半导体异常磁电阻效应的有效介质理论

有效介质理论自洽方程被用来研究非磁性半导体材料的异常磁电阻效应. 通过建立两组分无序电导网络,同时引入组分的霍尔效应,计算了体系的有效电导张量随磁场和组分浓度的变化关系.结果表明,当两种组分具有不同类型的载流子时,体系中各组分零场电阻的差异将导致在垂直磁场和平行磁场方向上产生异常的磁电阻效应.这些宏观的磁电阻效应来源于体系中的非均匀性,并与组分的几何逾渗结构具有明显的关联. 关键词： 异常磁电阻效应 非磁性半导体 有效介质近似     

利用空间位阻和氢溢流协同作用促进5-羟甲基糠醛选择性加氢制备5-甲基糠醛

化学工业生产中，用氢气为还原剂，通过选择性加氢可以制备多种重要化学品。5-羟甲基糠醛是重要的生物质基平台化合物，而5-甲基糠醛是用途广泛的化学品。由5-羟甲基糠醛加氢得到5-甲基糠醛是一条非常理想的路径，但是选择性活化C-OH非常困难。本文设计并制备了Pt@PVP/Nb₂O₅(PVP: 聚乙烯吡咯烷酮)催化剂，该催化体系巧妙地结合了位阻效应、氢溢流和催化剂界面的电子效应，系统研究了该催化剂对5-羟甲基糠醛选择性加氢制备5-甲基糠醛催化性能，在最优条件下，5-甲基糠醛的选择性可达92%。利用密度泛函理论计算研究了5-羟甲基糠醛选择性加氢制备5-甲基糠醛反应路径。     

基于H型芴基小分子的双极性有机场效应晶体管存储器

从空间位阻角度出发,设计并合成了H型芴基小分子材料3Ph-TrH,并通过溶液加工方法制备了将其作为电荷捕获层的浮栅型有机场效应晶体管(OFET)存储器.结果表明,该器件的空穴和电子存储窗口分别为31.2和11.6V,实现了基于单个小分子材料的双极性电荷存储.为了提高器件的稳定性,进一步制备了基于3Ph-TrH与聚苯乙烯(PS)掺杂薄膜的浮栅型OFET存储器.测试结果显示,该器件比基于3Ph-TrH作为单组分电荷捕获层的器件具有更高的稳定性和耐受性,在10000s的维持时间测试后,该器件的电流开关比还能维持在1.1×10³.该工作为制备新型双极性电荷存储的OFET存储器提供了一条思路.