磁电子学讲座 第六讲 巨磁电阻效应在信息存储等领域中的应用

用巨磁电阻材料构成磁电子学新器件，已开始在信息存储领域成功地获得了应用．文章介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储器，描述了它的工作原理、性能特点及发展趋势．指出巨磁电阻材料在传感器方面的应用也令人瞩目，有着广阔的市场前景．     

从自旋冰到自旋液态的渡越——结构与磁性质的演化

使用固相反应法得到了Ho_2-xTb_xTi₂O₇（x=0,05,1,15,2）系列多晶样品.X射线衍射（XRD）实验与2K到300K温度区间的直流磁化率测量结果显示,随着Tb即是x的增加,体系由自旋冰Ho₂Ti₂O₇向自旋液Tb₂Ti₂O_{7关键词： 自旋冰 自旋液体 自旋阻挫 晶格结构}     

Band-rejection filter based on a Bragg fiber with a defect layer

<正>A novel band-rejection filter based on a Bragg fiber with a defect layer is proposed.A defect layer is introduced in the periodic high/low index layers in the cladding of the Bragg fiber,which results in large confinement loss for some resonant wavelengths inside the band gap range of the Bragg fiber.A segment of the Bragg fiber with a defect layer can be used as a band-rejection filter,whose characteristics are mainly determined by the structure of the Bragg fiber.The simulation results show that the bandwidth of such a band-rejection filter is dependent on the number of the periodic high/low index layers in both sides of the defect layer in the cladding of the Bragg fiber.     

荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究

忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件. 根据φ-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型, 以三次非线性荷控忆阻器模型为例, 对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析. 结果表明: 荷控忆阻器的伏安关系具有斜体“8”字形紧磁滞回线特性, 随其参数符号的不同, 荷控忆阻器呈现出无源性和有源性, 导致其电路特性发生相应的变化; 相比无源荷控忆阻器, 有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用. 制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路, 实验测量结果很好地验证了理论分析结果. 关键词： 荷控忆阻器 等效电路 伏安关系 电路特性     

基于光导开关的Blumlein型PFN能量转换效率

为了驱动低能重复频率高阻抗X光管,采用低感陶瓷电容构建了一套电长度约33.5 ns、阻抗约8 的Blumlein型脉冲形成网络（BPFN）,在匹配负载条件下研究了采用GaAs光导开关（PCSS）作为脉冲输出开关时PCSS工作场强、激光触发能量与能量转换效率的关系。实验表明:PCSS截止场强为3.21～4.94 kV/cm,在工作场强高于20 kV/cm时,截止场强引起的能量损失对能量转换效率的影响不大;PCSS较高的导通电阻是影响PFN能量转换效率的主要因素,随着工作场强、激光触发能量的上升,能量转换效率呈指数上升趋势。     

忆阻逾渗导电模型中的初态影响

逾渗网格模型是当前忆阻器件机理分析研究领域的热点之一, 但现有模型缺乏对初态设定的讨论. 本文对逾渗网格模型进行了简化, 并基于此, 通过电压激励步进的方式, 研究了不同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导电通道形成的影响, 分析了形成通道的动态过程以及相应的物理意义, 验证了忆阻开关元件高低阻态的阻值实际表现为高斯分布而非理想双值稳态; 而不同初态条件下, 忆阻开关元件导电通道的形状存在着不同的"树形"结构, 进而影响着其阻值的分布. 研究成果有助于进一步揭示忆阻器尚未明确的导电机理, 为今后对具体不同类型的忆阻元件的初态分析提供指导性作用. 关键词： 忆阻器 开关元件 逾渗模型 初态分析     

基于路阻函数的多任务点机动路径规划方法研究

针对复杂路网条件下,多分队多任务点行军时路线难以决策的问题,建立了同时考虑道路服务水平和分队数量的路阻函数;基于该函数的性质,提出了多任务点行军时各分队路径优化规则,构建了多任务点行军时路径规划模型;对比了部队统一机动和各分队自主行进两种规划方式的行程时间,定量说明了指挥员路径规划能力对多任务点行军的影响.为复杂路网条件下多分队、多任务点的机动指挥提供了决策方法和依据.     

Field-induced insulator-metal-insulator transitions in low-energy H2- ion-irradiated epitaxial La2/3Cal/3MnO3 thin films

Epitaxial La2/3Cal/3MnO3 thin films grown on LaA103 （001） substrates were irradiated with low-energy 120-keV H＋ ions over doses ranging from 1012 ions/cm2 to 1017 ions/cm2. The irradiation suppresses the intrinsic insulator-metal （I-M） transition temperature and increases the resistance by reducing the crystallographic symmetry of the films. No irradiation-induced columnar defects were observed in any of the samples. The specific film irradiated at a critical dose around 8 x 1015 ions/cm2 is in a threshold state of the electric insulator where the I-M transition is absent. In an external field of 4 T or higher, the I-M transition is restored and thus an enormous magnetoresistance is observed, while a negative temperature coefficient resumes as the temperature is reduced further. Magnetic relaxation behavior is confirmed in this and other heavily irradiated samples. The results are interpreted in terms of the displacement of oxygen atoms provoked by ion irradiation and the resulting magnetic glassy state, which can be driven into a phase coexistence of metallic ferromagnetic droplets and the insulating glass matrix in a magnetic field.