全文获取类型
收费全文 | 48346篇 |
免费 | 9903篇 |
国内免费 | 16035篇 |
专业分类
化学 | 34831篇 |
晶体学 | 2731篇 |
力学 | 4681篇 |
综合类 | 1316篇 |
数学 | 5498篇 |
物理学 | 25227篇 |
出版年
2024年 | 392篇 |
2023年 | 1387篇 |
2022年 | 1840篇 |
2021年 | 1862篇 |
2020年 | 1456篇 |
2019年 | 1597篇 |
2018年 | 1080篇 |
2017年 | 1583篇 |
2016年 | 1711篇 |
2015年 | 1959篇 |
2014年 | 3444篇 |
2013年 | 3039篇 |
2012年 | 3017篇 |
2011年 | 3143篇 |
2010年 | 2973篇 |
2009年 | 3136篇 |
2008年 | 3351篇 |
2007年 | 2993篇 |
2006年 | 3149篇 |
2005年 | 3119篇 |
2004年 | 2975篇 |
2003年 | 3118篇 |
2002年 | 2695篇 |
2001年 | 2469篇 |
2000年 | 1934篇 |
1999年 | 1619篇 |
1998年 | 1544篇 |
1997年 | 1595篇 |
1996年 | 1574篇 |
1995年 | 1432篇 |
1994年 | 1174篇 |
1993年 | 1003篇 |
1992年 | 1128篇 |
1991年 | 1070篇 |
1990年 | 984篇 |
1989年 | 871篇 |
1988年 | 251篇 |
1987年 | 188篇 |
1986年 | 137篇 |
1985年 | 118篇 |
1984年 | 72篇 |
1983年 | 68篇 |
1982年 | 24篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 2篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 14 毫秒
41.
二、3乘(一)本个数位乘数0246813579本个数0628439517(二)进数位乘数0123456789本个数0000111222(三)位积位积=本个+后进(允许够10数)合成位积的训练最好先用一笔清,然后再用脑算盘清理。有够10进位用“左手”。够10进位多数是后数有3与6的地方。例13×37,269........||||||||||虚半替半||||||||||}}够4进1够7进23×37269=0117073进03本个9,7进2,为17本个12本个6,6进1,为76本个8,9进2,为09本个7脑算盘清理为111,807。例23×68,194脑算盘清理为204,582。例33×94,762例43×29,507三、4乘(一)本个数位乘数0246813579本个… 相似文献
42.
提出了一种求解自治非线性常微分方程周期解的方法-谱展开法,它直接把解形式上写成Fourier级数,其频率和各谐波成份待定,而将原非线性微分方程问题变换成求解相应的非线性代数方程组,还以avn der Pol方程和神经元群平均场方程为例对该方法进行说明和讨论。 相似文献
43.
周春琴 《数学物理学报(A辑)》1998,18(1):33-40
研究了与p-Laplace算子对映的铁磁甸系统的Landau-Lifshitz方程,证明了该方程的从m(m≥3)维紧流形M(不带边界)映射到R^3中的单位球面S^2上的整体弱解的存性;建立了p调和映射理论与该方程的联系。 相似文献
44.
45.
法沃尔斯基(FavorskiiAE)重排新进展 总被引:4,自引:0,他引:4
本文介绍了近年来法沃尔斯基重排反应在手性药物,立方烷系,杂环衍生物环烷小合成中的最新动态有应用前景。 相似文献
46.
Helmholtz方程外边值问题的自然边界元法 总被引:6,自引:0,他引:6
李瑞遐 《高校应用数学学报(A辑)》1997,(3):369-374
本文利用Fourier展开获得了圆外区域上的Helmholtz方程边值问题的Poisson积分公式和积分方程,并用Galerkin法求积分方程的解,导出了刚度矩阵元素的计算公式,讨论了数值技术,给出了变分解的唯一性定理和近似解的误差估计。 相似文献
47.
横向放大率法确定复合光学系统的基点 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了应用测量横向放大率确定两薄透镜组成的复合光学系统基点的方法。由于采用线阵光电耦合器件(CCD)测量物经光学系统成像的横向放大率,提高了测量精度。 相似文献
48.
49.
50.
报道了一种弥散型金属薄膜逾渗系统的制备方法和研究结果。从实验发现这种新型的逾渗系统具有异常的R-I关系、三次谐波系数与独特的电流临界规律。分析表明:这些特性与此类薄膜逾渗结构随电流增大而逐渐变化的过程有关,是由沿膜横向逐渐变化的局域隧道电流(LDTC)与跳跃电导(LDHC)效应引起的。 相似文献