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971.
本文报道了以氯磺酸钾为电解质, 铂为电极, 进行氯磺酸的阳极氧化, 产生过氧二磺酰氯, 并和阳极池内α,ω-氯磺含氟烷进行反应, 生成相应的氯磺酸酯, 反应主要副产物为α,ω-二氯全氟烷, 在阳极有大量氢气逸出, 并得到碘。  相似文献   
972.
龙英才 《化学学报》1984,42(6):523-528
在水热条件下,二乙醇胺(DEA)—甘油(GL)—Na_2O-SiO_2-Al_2O_3—H_2O反应混合物系统中可自发生成大晶粒(>50μm)的丝光沸石,ZSM-5,35,48及新沸石CF-2.。变反应混合物配比或同时使用晶种导向法,可在该系统中合成上述沸石纯相。变更系统中有机物(胺或醇)的种类,可以获得不同的结晶产物。  相似文献   
973.
974.
李洋  王峰  曹小平 《化学学报》2003,61(2):279-284
在0℃下,以四氢呋喃为溶剂,用氢化铝锂还原α,β-不饱和酯和配,除得到 正常的还原产物一醇外,还以适中的产率方便地得到1,3—二醇,该反应原料易得 ,操作简单,有望应用于合成含有1,3—二醇骨架结构的天然产物。  相似文献   
975.
纳米Al2O3填充聚四氟乙烯摩擦磨损性能的研究   总被引:43,自引:9,他引:43  
利用MM-200型摩擦磨损试验机考察了填料含量及载荷对纳米Al2O3填充PTFE复合材料摩擦磨损性能的影响,采用扫描电子显微镜观察分析磨损表面形貌及磨损机理,结果表明,纳米Al2O3可以提高PTFE的耐磨性,但Al2O3会导致严重的塑性变形,并且Al2O3含量越高,塑性变形越严重,当Al2O3的质量分数为10%时,填充PTFE复合材料的磨损最小;随着载荷的增大,填充PTFE的磨损增加,填充PTFE  相似文献   
976.
利用CO与NO作为双探针分子和TP-IR动态方法研究了Rh+Co/Al2O3催化剂上的吸附中心类型, CO吸附态的动态行为以及CO歧化反应。结果表明在Rh+Co/Al2O3上存在大量的孪生CO吸附中心和少量的线式CO吸附中心以及Co上的NO吸附中心。在TPD(真空中)动态过程中, 孪生CO谱带强度逐渐减弱并在325℃完全脱除。明显低于Rh4/Al2O3上孪生CO谱带的脱附温度, 表明Co的加入减弱了孪生中心对CO的吸附强度。在TP(CO中)动态过程中, 吸附的CO谱带上250℃以上才发生强度减小直至消失的行为表明CO歧化在250℃以上才发生。并且孪生中心上的歧化速率高于线式中心。  相似文献   
977.
以混合中性-阳离子表面活性剂为模板合成MCM-48   总被引:5,自引:0,他引:5  
颜学武  陈海鹰  李全芝 《化学学报》1998,56(12):1214-1217
本文首次将中性和阳离子表面活性剂混和(S^0S^+)形成胶束后,共同作为模板剂合成了立方相中孔分子筛,经此途径得到的中孔分子筛材料既具有MCM-48的立方结构,又能体现出更好的热稳定性。混合不同性质的表面活性剂作为模板剂,将是一种制备不同性能的中孔分子筛的有效易行的途径。  相似文献   
978.
利凡诺分子模板聚合物的吸附与识别特性研究   总被引:25,自引:3,他引:22  
以利凡诺药物为模板分子,α-甲基丙烯酸为功能基单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂,选用分子模板技术,合成了一种新的具有类似于酶或药物受体结合部位为结构特征的分子模板聚合物.研究了它对利凡诺和其它底物的吸附特性和选择性识别能力.结果表明,与组成相同的非模板聚合物相比,利凡诺分子模板聚合物有较大的吸附性能和高度的选择性及识别能力.静电作用和氢键在吸附和识别过程中发挥着重要作用.  相似文献   
979.
铅及铅锑合金阳极膜中硫酸铅的氧化过程   总被引:2,自引:0,他引:2  
应用电位阶跃和交流阻抗法分别研究铅和Pb-5wt% Sb合金在4.5mol·dm^-^3H~2SO~4(30℃)中于1.3V(vs. Hg/Hg~2SO~4, 下同)生长20min后的阳极膜在0.9V还原5min后再在1.4V将膜中硫酸铅氧化的过程。实验结果表明在0.9V还原二氧化铅而得到的硫酸铅能在1.4V于1min内氧化为二氧化铅。这是由于此种硫酸铅处于硫酸铅颗粒表层的缘故。至于颗粒内部由铅直接生成的硫酸铅的氧化为二氧化铅就要缓慢得多。合金中的锑能使二氧化铅晶核形成和生长速率显著降低。  相似文献   
980.
n^+-Si在0.25~1.0%HF溶液中无光照和光照下的伏安曲线均明显地分为三段:在低极化下呈线性关系, 对应于硅的阳极溶解, 形成多孔硅层(PSL); 在中间电位区, 电极部分表面为硅氧化物所覆盖, 阳极溶解和非均匀电抛光过程同时进行; 在高极化区, 全部表面为硅氧化物所覆盖, 发生均匀的电抛光过程。在上述三个区域中由交流阻抗测得的特征电容环和电感应环的变化, 揭示了由单一阳极溶解逐渐转变为均匀抛光过程的一些细节, 定性地说明了n^+-Si上进行的竞争性反应的速率是随电位而改变, 并受光照影响。  相似文献   
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