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111.
112.
本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK) 效应的GeSi电吸收调制器. 调制器集成了脊形硅单模波导. 光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层. 在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上, 有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%, 从而使得器件工作在C (1528–1560 nm) 波段. 模拟结果显示该调制器的3 dB带宽可达64 GHz, 消光比为8.8 dB, 而插损仅为2.7 dB.
关键词:
锗硅
调制器
电光集成 相似文献
113.
针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率. 进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%.
关键词:
非晶硅缓冲层
非晶硅锗薄膜太阳电池
带隙
界面 相似文献
114.
115.
硅衬底上锗硅合金光波导设计及工艺的优化考虑 总被引:2,自引:0,他引:2
报道用射频加热化学气相沉积法制备Si/GeSi/Si大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善,GeSi合金层中Ge的含量X要满足脊形光波导是单模,光波导的数值,孔径接近单模光纤值,脊高小于临界厚度值等,计算表明兼顾上述三项要求应取x=1~3%,脊的高与宽受大断面及单模的制约。Si的晶体结构使脊的二个腐蚀侧壁是斜坡,为此起始脊宽取5~6μm为宜;腐蚀液,抛光液的选取人保证脊则壁及波导面端的优良镜 相似文献
116.
锗硅合金脊形光波导的优化分析与设计 总被引:5,自引:0,他引:5
根据脊形光波导的基本设计要求,分析了锗硅合金脊形波导的结构参数对其光传播特性的影响,并优化设计了结构参数,其合理性得到了实验验证。 相似文献
117.
118.
用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布 总被引:2,自引:0,他引:2
用同步辐射及X光管激发X射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ge的定性分布,为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。 相似文献
119.
食品中无机锗与锗—132的分别测定 总被引:12,自引:1,他引:11
采用氢化物发生-原子荧光光谱法(HG-AFS),分别测定了保健饮品中的无机锗和β-羧乙基锗倍半氧化物(即锗-132),同时对于天然食品中无机锗和锗-132分别测定的条件也进行了初步的探讨。 相似文献
120.
微波消解试样催化极谱法测定香茹和黑木耳中痕量锗 总被引:1,自引:0,他引:1
采用双层聚四氟乙烯密闭容器,以HNO3-HClO4为溶解试剂,CaO为外层吸附剂,微波消解香菇及黑木耳试样。在草酸介质中,当有少量高氨酸存在时,锗(Ⅳ)-苏木精-钒(Ⅳ)体系可产生一灵敏的吸附催化波,峰电位在-0.59V(vs.SCE)处。锗浓度在0ng-300ng/25mL范围内与峰电流呈良好的线性关系,检出限为4.5ng/25mL,适宜于香菇和黑木耳中痕量锗的测定。 相似文献