应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率

依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si_1-xGe_x的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ₂能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方 关键词： 电子谷间占有率 散射模型 锗组分 电子迁移率     

Reverse current reduction of Ge photodiodes on Si without post-growth annealing

A new approach to reduce the reverse current of Ge pin photodiodes on Si is presented, in which an i-Si layer is inserted between Ge and top Si layers to reduce the electric field in the Ge layer. Without post- growth annealing, the reverse current density is reduced to -10 mA/cm^2 at -1 V, i.e., over one order of magnitude lower than that of the reference photodiode without i-Si layer. However, the responsivity of the photodiodes is not severely compromised. This lowered-reverse-current is explained by band-pinning at the i-Si/i-Ge interface. Barrier lowering mechanism induced by E-field is also discussed. The presented ＂non-thermal＂ approach to reduce reverse current should accelerate electronics-photonics convergence by using Oe on the Si complementary metal oxide semiconductor （CMOS） platform.     

芳基硅烷、锗烷、锡烷的合成与表征

有机金属聚合物的研究近几年得到了很大的发展,含金属Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ的有机聚合物表现出特殊的导电性、非线性光学性等。我们合成了含Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ的有机金属聚合物的中间体芳基硅烷、锗烷、锡烷。合成路线如下:ａ:Ｒ=Ｍｅ,Ｍ=Ｓｉ;ｂ:Ｒ=Ｐｈ,Ｍ=Ｓｉ;ｃ:Ｒ=Ｐｈ,Ｍ=Ｇｅ;ｄ:Ｒ=Ｐｈ,Ｍ=Ｓｎ1　实验部分1 1　仪器和试剂原料均为化学纯,所有溶剂都经过严格的无水、无氧处理,所有反应均与Ｓｃｈｌｅｎｋ操作线连接;质谱:ＨＥＮＬＥＴＴＰＡＣＫＡＲＤＭＳ5989;1ＨＮＭＲ:ＢＲＵＫＥＲＡＣ80ＭＨｚ;熔点测量:ＬＥＩＴＺＢＩＯＭＥＤ…     

耐高压球形锗窗的研制

研制了耐高压的球形锗窗，测量了其光学和力学性能。     

红外焦平面技术的重要进展—单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技

由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。