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Low-voltage antimony-doped SnO2 nanowire transparent transistors gated by microporous SiO2-based proton conductors
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A battery drivable low-voltage transparent lightly antimony(Sb)-doped SnO2 nanowire electric-double-layer (EDL) field-effect transistor (FET) is fabricated on an ITO glass substrate at room temperature. An ultralow operation voltage of 1 V is obtained on account of an untralarge specific gate capacitance (- 2.14 μF/cm2) directly bound up with mobile ions-induced EDL (sandwiched between the top and bottom electrodes) effect. The transparent FET shows excellent electric characteristics with a field-effect mobility of 54.43 cm2/V. s, current on/off ration of 2 × 104, and subthreshold gate voltage swing (S = dVgs/d(logIds)) of 140 mV/decade. The threshold voltage Yth (0.1 V) is estimated which indicates that the SnO2 namowire transistor operates in an n-type enhanced mode. Such a low-voltage transparent nanowire transistor gated by a microporous SiO2-based solid electrolyte is very promising for battery-powered portable nanoscale sensors. 相似文献
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空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境,为提高晶体质量创造了条件,引起晶体生长研究人员的关注.中国科学院物理研究所和日本东京大学电子工程系合作,1992年在中国第14颗返回式卫星上成功地生长了一根φ6 mm×30 mm外形完整的GaSb单晶.对空间生长的晶体的研究显示:晶体在空间生长部分无Ⅰ类生长条纹,表明晶体生长时既无自然对流也没有Marangoni对流.位错密度测定表明,晶体在空间生长期间熔体未与坩埚器壁接触时生长的晶体位错密度接近于零,而熔体与坩埚器壁接触后位错密度迅速增高.详细叙述了该晶体的生长和研究,分析了微重力对晶体生长的影响,并对空间晶体生长的发展提出看法. 相似文献
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以n(Mg):n(AI)=3的层状双金属氢氧化物(LDH)作为研究对象,考察了其水分散液的稳定性及流变性。发现其水分散液的稳定性依赖于含固量及LDH的结构完整性。LDH水分散液的流变性与其特殊的层状结构密切相关,LDH水分散液具有剪切变稀作用且是可逆的,同时还具有触变性能。利用XRD表征LDH晶体结构,SEM及TEM考察了水分散液中LDH的晶粒形态。 相似文献
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