锑烯吸附金属Li原子的密度泛函研究

锑烯(antimonene)是继石墨烯和磷烯之后出现的新型二维材料,在锂离子电池等领域受到关注.本文基于第一性原理的密度泛函理论,计算研究了锑烯对Li原子的吸附特性,包括Li原子的最稳定吸附构型、吸附密度以及吸附Li原子的扩散路径.结果表明:Li原子最稳定的吸附位置位于谷位,即底层Sb原子之上、顶层三个Sb原子中心位置,吸附能为1.69 eV,吸附距离为2.81?;能带计算发现,锑烯为带隙宽度1.08 eV的间接带隙半导体,吸附Li原子后费米能级上升进入导带,呈现出金属性;原子分波态密度分析发现, Sb原子的p电子态和Li原子的p和s电子态形成明显的共振交叠,表现出杂化成键的特征;随着吸附Li原子数量增加,锑烯晶格结构和电子结构发生较大变化.通过微动弹性带方法计算发现, Li原子在锑烯表面的扩散势垒为0.07 eV,较小的势垒高度有利于快速充放电过程.     

以印染废水为主的城镇污水处理厂锑污染来源特征分析

为研究以印染废水为主的城镇污水处理厂锑污染来源特征,对浙江省嘉善县某污水处理厂及纳管行业进行水体锑（Sb）的采样分析,同时对印染和喷水纺织两大行业的锑污染源进行分析.研究表明,在污水处理厂纳管废水中,印染行业废水占纳管总量的55.2%,排锑量占总量的79.3%,是该污水处理厂锑污染的主要来源;在印染生产过程中,布料中锑的平均流失量为7 mg·kg^-1,平均损失率为13%,污染物锑在退浆、水洗和染色工艺段中的释放量依次为：染色 > 退浆 > 水洗;喷水纺织织造工艺中锑的释放量较少,布料中锑的平均流失量为2.2 mg·kg^-1,平均损失率仅为2.1%;污水处理厂进出水、印染各工段废水和织造废水中,锑主要以Sb（V）形态存在.     

GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy

InAs/GaSb superlattice （SL） short wavelength infrared photoconduction detectors are grown by molecular beam epitaxy on GaAs（O01） semi-insulating substrates. An interfacal misfit mode AISb quantum dot layer and a thick GaSb layer are grown as buffer layers. The detectors containing a 200-period 2 ML/S ML InAs/GaSb SL active layer are fabricated with a pixel area of 800×800 μm^2 without using passivation or antirefleetion coatings. Corresponding to the 50% cutoff wavelengths of 2.05μm at 77K and 2.25 μm at 300 K, the peak detectivities of the detectors are 4 × 10^9 cm·Hz^1/2/W at 77K and 2 × 10^8 cm·Hz1/2/W at 300K, respectively.     

碳糊修饰电极吸附伏安法测定食品中的锑

研制了溴邻苯三酚红 (BPR)作修饰剂的碳糊修饰电极 ,并用此电极作工作电极建立了测定痕量锑的吸附伏安法。在选定的实验条件下 ,峰电流与Sb(Ⅲ )浓度在 8.0× 1 0 -9～ 2 .0× 1 0 -7mol L范围内呈线性关系 ,检出限为 2 .0×1 0 -9mol L ,1 0次测定相对标准偏差为 2 .0 % ,不用分离 ,可直接测定食品中痕量Sb(Ⅲ ) ,测定的回收率为 90 %～ 1 0 3%。     

金矿石中高含量锑的断续流动氢化物发生-原子荧光光谱法快速测定

采用王水（1＋1）水浴分解样品,氢化物发生-原子荧光光谱法（HG-AFS）测定金矿石中高含量的锑.其方法回收率在95.0%-102.0%之间,相对标准偏差在1.0%-3.4%之间,方法检出限为3.0×10-10g/mL,经试验证实该方法可测范围宽、简便、快速、准确,实验室间对比分析结果吻合程度令人满意.     

环境样品中痕量锑的形态分析研究进展

环境样品中不同形态锑,其生物活性及其毒性不同,其形态分析具有重要意义。由于环境样品中锑的含量相对较低,不同形态锑的分析具有挑战性。归纳总结了环境样品中痕量超痕量锑的形态分析概况及近年来的发展趋势,内容主要包括样品的前处理和不同形态锑的分析方法,指出了未来的发展方向。     

硒化锑薄膜太阳电池的模拟与结构优化研究

采用wx-AMPS模拟软件对硒化锑(Sb_2Se_3)薄膜太阳电池进行建模仿真,将CdS, ZnO和Sn02的模型应用到Sb_2Se_3太阳电池的电子传输层中.结果显示,应用CdS和ZnO都能实现较高的器件性能,并发现电子传输层电子亲和势(Xe-ETL)的变化能够调节Sb_2Se_3太阳电池内部的电场分布,是影响器件性能的关键参数之一.过高或者过低的Xe-ETL都会使电池的填充因子降低,导致电池性能劣化.当Xe-ETL为4.2eV时,厚度为0.6μm的Sb_2Se_3太阳电池取得了最优的7.87%的转换效率.应用优化好的器件模型,在不考虑Sb_2Se_3层缺陷态的理想情况下,厚度为3μm的Sb_2Se_3太阳电池的转换效率可以达到16.55%(短路电流密度J_(SC)=34.88 mA/cm~2、开路电压V_(OC)=0.59 V、填充因子FF=80.40%).以上模拟结果表明,Sb_2Se_3薄膜太阳电池在简单的器件结构下就能够获得优异的光电性能,具有较高的应用潜力.     

纳米氧化锡锑改性水性聚氨酯的制备与表征

以异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、聚醚二醇（N-210）、二羟甲基丙酸（DMPA）、一缩二乙二醇（DEG）、三羟甲基丙烷（TMP）及纳米氧化锡锑（ATO）浆料为主要原料,制备了稳定的纳米ATO改性水性聚氨酯(APU)乳液。 粒径测试及透射电子显微镜（TEM）观察显示,纳米ATO在水性聚氨酯中分散较好,乳液粒径均小于100 nm; FTIR分析表明,纳米ATO粒子与水性聚氨酯(WPU)间可能存在化学键; 热重分析(TGA)测试显示,随纳米ATO添加量的增加,胶膜最大热分解温度逐渐提高,最大提高了约20 ℃;紫外-可见-近红外吸收及保温性能测试表明,随着纳米ATO添加量的提高,胶膜在800~2500 nm的透过率逐渐降低,但涂层在可见光区透过率均超过70%,热阻率由1.34×10-2 m2·℃/W提高至3.17×10-2 m2·℃/W。     

不同消解方式对土壤中锑的原子荧光法检测影响

氢化物发生-原子荧光光谱法是土壤环境中锑检测所广泛使用的方法．土壤的消解前处理分别采用王水微波消解（半消解）、混酸全消解（硝酸＋高氯酸＋氢氟酸）方式．研究结果表明王水微波消解对锑的检测效果较好,标准土壤9次测定值的相对标准偏差为3．6％,实际样品的回收率为96％-102％．而采用混酸全消解的方式测定值偏低,实际样品的回收率为78％～86％,而且精密度超过5％,这是由于在赶酸过程中样品易被蒸干而造成痕量锑元素的损失．     

Effect of Indium and Antimony Doping on SnS Photoelectrochemical Solar Cells

Single crystals of pure SnS, indium （In） and antimony （Sb） doped SnS are grown by the direct vapor transport technique. Two doping concentrations of 5 at. % and 15 at. % are employed for both In and Sb dopants. In total, five samples are studied, i.e., pure SnS, 5at.% In-doped SnS, 15at.% In-doped SnS, 5at.% Sb-doped SnS and 15at.% Sb-doped SnS single crystals. The energy dispersive analysis of x-ray （EDAX） and x-ray diffraction （XRD） analysis show that all the five as-grown single crystal samples possess near perfect stoichiometry and orthorhombic structure, respectively. The doping of In and Sb in SnS is established from the EDAX data and from the shift in the peak positions in XRD. Photoeleetroehemical （PEC） solar cells are fabricated by using the as- grown single crystal samples along with iodine/iodide electrolytes. Mott-Schottky plots for different compositions of iodine/iodide electrolytes show that O. 025 M 12 ＋ 1 M Nal＋2 M Na2 S04 ＋0.5 M 1-12 S04 will be the most suitable electrolyte. Study of efficiency （η） and fill factor for different intensities of illuminations at room temperature is carried out for the five samples. The In-doped SnS single crystals show better PEC efficiency than the undoped and Sl〉doped SnS single crystals.