^95Zr核的高自旋态研究

利用102MeV的^28Si束流，通过^60Ni(^28Si，2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态，测量了γ-γ符合及DCO比值，建立了一个有43条能级，75条γ跃迁的能级纲图，新增加了36条γ跃迁，25条能级。将能级自旋推高到（49/2^ ），首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。     

酞菁锌参杂二氧化硅凝胶基质的光谱学特征

利用溶胶-凝胶技术将四磺化酞菁锌（ZnPcS4）成功地引入到了二氧化硅凝胶基质中，制备了均匀掺杂的有机/无机复合干凝胶。研究ZnPcS4分子在溶胶-凝胶过程中紫外-可见吸收光谱的变化规律以探索其在复合体系中的存在状态。实验表明，在溶胶阶段，随着时间的延长，紫外-可见吸收光谱中单体的吸收峰强度增大，说明凝胶中酞菁单体的浓度增大；而形成凝胶后，随着时间的延长，紫外-可见吸收光谱中单体的吸收峰强度减小，二聚体的吸收峰强度增大，说明由于体系结构和微化学环境的变化，酞菁分子趋向于聚合。     

纳米级氧化铁的合成及其对六价铬的吸附性能研究

采用溶胶-凝胶法合成了纳米氧化铁,研究了合成条件,并采用TEM对产品进行了表征,测得产品的平均粒径为20-30nm.研究了纳米级氧化铁对Cr（Ⅵ）的吸附.在pH=3.0,吸附比为3.5×10-6:1×10-2（g/g）时,平均吸附效率为95.98％,最大吸附量为398.3μg Cr（Ⅵ）/g.采用2mol/LNaOH可完全洗脱纳米氧化铁所吸附的Cr（Ⅵ）,测定了回收后的纳米氧化铁对Cr（Ⅵ）的吸附效率,结果表明纳米级氧化铁可循环使用,这将为环境污水中Cr（Ⅵ）的治理及研究纳米材料的吸附行为提供参考.     

溶液中微水的一种检验方法

一般说 ,水分分析 ,特别是微量和痕量水的分析是一项比较困难的课题。水分的定性检出法有钴盐法、铁盐法、四乙酸铅法、碳化钙法和乙醇铝法。比浊法用乙醇铝测有机溶剂水分已非常灵敏 ,但制备乙醇铝步骤多 ,且乙醇铝还需配制溶液。本文介绍制备一种试剂 ,应用于比浊法测试微水。本法制作简单 ,使用方便 ,测试灵敏。1　制备方法采用氨法制备锆醇盐 :ＺｒＣｌ4 +4ＲＯＨ +4ＮＨ3 Ｚｒ(ＲＯ) 4+4ＮＨ4 Ｃｌ↓将氯化锆放到容器中 ,注入异丙醇 ,密封容器。加热并通入氨气 ,搅拌混合 ,反应结束后 ,过滤除去沉淀物氯化铵 ,得到锆醇盐溶液 (由于锆醇…     

纯锆上离子注入钇和镧后的表面分析

用金属蒸汽真空弧源，以40kV加速电压对纯锆样品分别进行了10¹⁶—10¹⁷/cm²的钇、镧离子注入，注入温度约为130℃.然后对注入样品进行表面分析.x射线光电子能谱分析表明，注入的钇以Y₂O₃形式存在，镧以La₂O₃形式存在.俄歇电子能谱表明，纯锆基体表面的氧化膜厚度随着离子注入剂量的增加而增加，当离子注入剂量达到10¹⁷/cm²时，氧化膜的厚度达到了最大值.卢瑟福背散射显示镧层的厚度约为30nm，同时直接观察到当离子注入剂量为(La+Y)10¹⁷/cm²时，纯锆样品表面发生了严重的溅射. 关键词： 纯锆 钇和镧离子共注入 卢瑟福背散射 x射线光电子能谱     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.     

A Novel Method to Synthesize Polyorganozircosilazane

A new kind of polyorganozircosilazane as Si/Zr/C/N-based ceramic precursor was synthesized from the condensation reaction of hexamethyleyclotrisilazane lithium salts(D3^NLi）and zirconium tetrachloride(ZrCl4).In the presence of N,N,N’,N’-tetramethyl ethylene diamine(TMEDA),polyorganozircosilazane was obtained in high yield.