15GHz马赫—陈德尔型Ti：LiNbO3行波幅度电光调制器

比较了四种马赫－陈德尔调制器的结构特性，表明Ｚ切共面波导是最好的一种结构。用阶跃倒相电极设计了新型电光光波导幅度调制器，研制了包装式带尾光纤的有５段倒相电极的马赫－陈德尔调制顺。     

WO3薄膜的电致变色特性研究

介绍了ＷＯ３电致变色薄膜的变色机理和制备工艺，对ＷＯ３薄膜的电阻率，结构，化学组玢，电化学特性和变性性能等特性进行了工艺，提出了ＷＯ３薄膜的一种新的锂化方法，这种方法对进一步研制全固态电致变色薄膜器件是十分关键的。     

LiNbO3晶体压电应变光束调制器及激光锁模器解析

对轴切LiNbO₃晶体压电应变光束调制器(PESOM)及其作为激光锁模器的特性进行了详细解析。证明x切板共振器是作为激光锁模器的最佳运用方式,而y或z切板将不可避免地具有同时损耗调制和频率调制的双重作用,因而原则上不宜用于诸如激光锁模器这样的场合。     

鈰铕铌酸锂的双光束耦合异常温度特性与结构相变

报道铕铌酸锂晶体双光束耦合在５５，７０和１１０℃附近出现的异常温度现象，该现象与晶体在这些点发生了结构相变有关，相变诱发出内电场，改变了空间电荷场的结构，影响了双光束耦合。采用唯象的办法给出相变电场随温度的变化公式，结合一能级单载流子带导模型给出了理论曲线，能很好地解释实验。推算出相变电场的数量级介于扩散电场和最大空间电荷场之间，为１０^５Ｖ·ｍ^-1。 关键词：     

LiNbO3交叉型波导光触发器

利用在集成光路中串联的两个LiNbO_3交叉型光波导调制器,代替KDP晶体普克尔效应调制器,构成两个混合双稳态器件,制成光学T触发器(flip-flop),并给出实验结果.     

坩埚下降法生长的LiNbO_3,Fe∶LiNbO_3,Zn∶Fe∶LiNbO_3单晶的吸收光谱特性

用紫外可见光谱 (UV/VisibleSpectra)测试并研究了坩埚下降法生长的LiNbO3 、Fe∶LiNbO3 ,以及Zn∶Fe∶LiN bO3 晶体的吸收特性。分析了产生这些吸收特性的原因以及与工艺生长方法的内在联系。研究结果表明 :LiNbO3 单晶沿晶体生长方向 ,其紫外吸收边向长波方向移动 ,且在 35 0～ 4 5 0nm波段的吸收也逐渐增大 ,这是由于Li的分凝与挥发 ,逐渐产生缺锂所造成的 ;在Fe∶LiNbO3 单晶中观察到Fe2 + 离子在 4 80nm附近的特征吸收峰 ,并发现沿生长方向 ,Fe2 + 离子的浓度逐渐增加 ,这与提拉法生长得到的晶体不同 ;在Fe∶LiNbO3 单晶中掺入质量分数为 1.7%ZnO后 ,吸收边位置发生蓝移 ,而掺杂质量分数达到 3.4 %时 ,观察到有红移现象。Fe2 + 离子在Zn∶Fe∶LiNbO3 单晶中的浓度与ZnO掺杂量有密切关系。在掺杂质量分数 1.7%ZnO的Fe∶LiNbO3 单晶中 ,Fe2 + 离子从底部到顶部的浓度变化比在掺杂质量分数 3.4 %ZnO晶体中大 ,这是由于Zn2 + 抑制Fe2 + 离子进入Li位的能力随掺杂量的增加而逐渐减弱造成的。就该下降法工艺技术对Fe2 + 离子在晶体中的浓度分布的影响作了分析     

掺杂铌酸锂薄晶体光爬行耦合

实验研究了掺杂ＬｉＮｂＯ３薄晶体中非直接相交的两束光之间大角光致散射的光爬行耦合现。研究了相同材料制备的厚度不同样品的二波和四波耦合的成像质量存在差异的原因。     

折射率周期变化的LiNbO3晶体的制备及其布喇格效应

提拉法生长掺有溶质的ＬｉＮｂＯ３晶体时，有意识地引入周期性生长层，制备了折射率沿生长方向周期变化的ＬｉＮｂＯ３晶体。测量和研究了晶体的双折射率和布喇格衍射。实验结果证实晶体中折射率变化周期与生长层周期相一致。     

EuI2—LiI和EuI2—NaI二元体系相图

用ＤＴＡ和Ｘ射线粉末衍射法研究了ＥｕＩ２－ＮａＩ和ＥｕＩ２－ＬｉＩ两个二元体系低压相图。ＥｕＩ２－ＮａＩ二元体系相图为一简单低共熔相图，低共熔点为４０９℃，其低共熔摩尔组成为３２％ＮａＩ；ＥｕＩ２－ＬｉＩ体系相图也为一简单低共熔相图。低共熔点为３８５℃，低共熔摩尔组成为６８．５％ＬｉＩ。