13.5—14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量

报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法测得的⁷⁶Ge(n,2n)⁷⁵Ge, ⁷⁰Ge(n,2n)⁶⁹Ge, ⁷⁰Ge(n, p)⁷⁰Ga, ⁷²Ge(n,p)⁷²Ga, ⁷³Ge(n,p)⁷³Ga, ⁷²Ge(n,α)^69mZn和⁷⁴Ge(n, α)^71mZn的反应截面值. 中子注量用⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面得到. 单能中子由T(d,n)⁴He反应获得. 同时还列举了已收集到的文献值以作比较.     

纤维素基磁性聚偕胺肟树脂吸附锂

研究了氯化锂浓度、树脂含量和溶液的ＰＨ对碱式纤维素基磁性聚偕胺肟树脂吸附Ｌｉ＾＋离子能力的影响。在适当条件下，每个偕胺肟基可吸附两个Ｌｉ＾＋离子。     

柱后切换程序升温气相以谱法测定六氟化硫气体中痕量一氧化十？…

本共作提供了用柱后切换和程序曙技术测定纯六氟化硫气体中痕量有毒杂质Ｓ２Ｆ１０Ｏ含量的气相色谱方法。用炎焰光度检测器检测，进样量为１ｍＬ时，Ｓ２Ｆ１０Ｏ最小检测浓度为５×１０＾７（ｍｏｌ／ｍｏｌ）。     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。