Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs （100） substrates by using MOCVD

Self-assembled InAs quantum dots (QDs) are grown on vicinal GaAs (100) substrates by using metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). An abnormal temperature dependence of bimodal size distribution of InAs quantum dots is found. As the temperature increases, the density of the small dots grows larger while the density of the large dots turns smaller, which is contrary to the evolution of QDs on exact GaAs (100) substrates. This trend is explained by taking into account the presence of multiatomic steps on the substrates. The optical properties of InAs QDs on vicinal GaAs(100) substrates are also studied by photoluminescence (PL) . It is found that dots on a vicinal substrate have a longer emission wavelength, a narrower PL line width and a much larger PL intensity.     

NO及NO2与In/HZSM-5催化剂相互作用的微量量热研究

自从Iwamoto[1]和Held等[2]报道了在离子交换法制备的Cu-ZSM-5催化剂上烃类可以选择性催化还原(SCR)氧化氮后,基于分子筛的催化剂在这一反应中得到了广泛的研究,以期取代传统的NH3-SCR过程.     

KInSe~2的中温固相合成及结构表征

采用反应性熔盐法,以n(K~2Se~3):n(In):n(Se)=1:1:5的摩尔比,在500℃下反应5d,生成淡黄色柱状晶体KInSe~2。该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数,a=1.414(2)nm,b=1.1410(2)nm,c=1.5586(3)nm,β=100.60(3)°,Z=16,R=0.0656。KInSe~2晶体具有层状结构,每层由具有二维网状结构的[InSe~2]^-负离子和K^+组成,层与层之间按ABAB方式堆积。     

二甲基[2-(2-苯并唑)苯酚氧基]镓、铟化合物的合成及表征

通过2-(2-苯并唑)-4-甲氧基苯酚、2-(2-苯并唑)苯酚与三甲基镓、三甲基铟反应,合成了四个新的金属有机化合物,并用元素分析、质子核磁共振谱、质谱及红外光谱等手段对化合物进行了结构表征.对其中一个化合物二甲基[2-(2-苯并唑)-4-甲氧基苯酚氧基]镓进行了X-衍射单晶分子结构测定,该化合物属于三斜晶系,空间群为P1.晶体学常数:a=7.4992(2),b=10.199(2),c=10.905(2),α=110.18(3)°,β=102.23(3)°,γ=94.58(3)°,V=753.7(3)3,Z=4,Dc=1.489g·cm-3,F(000)=348.分析结果表明,化合物以单体形式存在,2-苯并唑中的氮原子与镓配位,镓原子为四面体结构.     

近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.     

水热法合成纯立方铁锰矿型In2O3晶体

本文采用水热法合成了纯立方铁锰矿相In2O3晶体.以3M KOH为矿化剂,填充度35;,压力40 MPa,温度430 ℃,反应24 h,加入适量的In2O3立方铁锰矿相和金刚砂相混晶原料,经过水热反应,In2O3原料经过二次结晶全部转化成纯立方铁锰矿相,其中的金刚砂相消失,并长成几十微米多面体晶体.改用In(OH)3作前驱物,在同样的水热条件下,生成纯立方铁锰矿相,晶体成立方形,显露{002}、{020}、{200}晶面.     

Crystal Structure, Energy Band and Optical Properties of Phosphate In（PO3）3

1 INTRODUCTION stand the chemical bonding properties and electronic origins of optical transition for solid In(PO3)3, the During the past decades, many indium phosphates crystal energy band and optical response functions have been reported and researched on their conduc- are also calculated. tivity anisotropy, band structure and optical proper- ties[1, . However, to our current knowledge, the com- 2] 2 EXPERIMENTALAND pounds containing alkaline-earth metals are rarely COMPUTATIO…     

新型三维微孔砷酸铟InAsO4(H2O)2的合成及结构

首次以有机胺为结构导向剂,在水热条件下合成了微孔砷酸铟材料InAsO4-1,并对其进行了结构及性质表征。X射线单晶结构解析表明InAsO4-1分子式为InAsO4(H2O)2。晶体学数据为：Pbca,a=0.9090(4)nm,b=1.0344(4)nm,c=1.0468(4)nm,α=β=Υ=90°,V=0.9843(7)nm^3,Z=8,R=0.0480,Rw=0.1045。InAsO4-1具有三维结构,其a,b方向分别有4元环及6元环的一维孔道,结构中还含有一8^16^44^2笼,热重分析显示其结构水较稳定。     

硫缺陷型In2S3光催化剂高效分解水制氢研究

缺陷工程被认为是提高光催化剂分解水制氢性能的关键策略之一,然而有关缺陷诱导半导体材料电子结构演变并增强光生载流子传输机制尚不明确。在本研究中,我们通过简单的一步水热合成法成功构建了富含S缺陷的In2S3半导体光催化剂（VS-In2S3）,在模拟太阳光辐照下其光催化分解水产氢性能相比传统的In2S3（P-In2S3）提升了近一个数量级（达到221.18 μmol/g/h）。此外,利用自主研发的原位X射线光电子能谱（SI-XPS）结合相关密度泛函理论计算证实：S缺陷可诱导强还原性的低价态In（In(3-x)+）暴露,进而增强In位点对H2O的吸附和活化能力,因此,S缺陷型In2S3表现出显著增强的光催化析氢活性。此外,可视化观测到H2O分子在原位光照下脱质子转化为OH的分解水制氢过程。该研究为缺陷型光催化剂设计及光催化分解水反应机制和过程研究提供了一定的见解。     

化学气相沉积法制备InSe纳米片及其近红外光探测性能

采用化学气相沉积法在云母衬底上制备了二维In Se纳米片,研究了生长温度对二维In Se纳米片晶相、形貌、尺寸及厚度的影响.构筑了基于二维In Se纳米片的光探测器并研究了其光探测性能,结果表明,在808 nm的近红外光辐照下,其光响应度为1. 5 A/W,外量子效率为230%,可探测度为3. 1×10⁸Jones(1 Jones=1 cm·Hz^1/2·W^-1),上升和衰减时间分别为0. 5和0. 8 s.