全文获取类型
收费全文 | 260篇 |
免费 | 78篇 |
国内免费 | 144篇 |
专业分类
化学 | 308篇 |
晶体学 | 16篇 |
综合类 | 1篇 |
物理学 | 157篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 11篇 |
2020年 | 8篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 5篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 7篇 |
2015年 | 13篇 |
2014年 | 17篇 |
2013年 | 13篇 |
2012年 | 12篇 |
2011年 | 13篇 |
2010年 | 17篇 |
2009年 | 14篇 |
2008年 | 20篇 |
2007年 | 17篇 |
2006年 | 20篇 |
2005年 | 15篇 |
2004年 | 26篇 |
2003年 | 21篇 |
2002年 | 16篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 20篇 |
1999年 | 22篇 |
1998年 | 17篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 13篇 |
1995年 | 22篇 |
1994年 | 13篇 |
1993年 | 7篇 |
1992年 | 15篇 |
1991年 | 13篇 |
1990年 | 14篇 |
1989年 | 12篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 1篇 |
排序方式: 共有482条查询结果,搜索用时 0 毫秒
71.
In(Ⅲ)-5-Br-PADAP-OP分光光度法测定锌渣中微量铟 总被引:4,自引:0,他引:4
通过对In(Ⅲ)-5_Br_PADAP光度分析体系的研究,选择非离子型表面活性剂OP增加显色体系的稳定性。最大吸收波长λmax=565nm,表观摩尔吸光系数ε=7.54×104L·mol-1·cm-1,线性范围为0~0.48mg/L。采用甲苯-甲基异丁酮混合溶剂萃取,6mol/LHCl反萃取铟(Ⅲ),消除干扰离子的影响,在水相中测定In(Ⅲ),有效地提高了方法的选择性和准确度。本法应用于测定锌渣中微量铟,获得满意结果。 相似文献
72.
本文利用光电子能谱(XPS和UPS)技术研究了室温下O2和Rb在InSb(111)表面上共吸附,分析了碱金属Rb在InSb(111)表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明,Rb与InSb表面上的Sb发生化学反应,Rb在InSb表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率,衬底表面上的In和Sb被氧化,分别生成锑和铟的氧化物。在O2吸附的过程中,还观察到两种Rb的氧化物,即过氧化铷(Rb2O2 相似文献
73.
通过在导电银电子浆料中添加适量的金属锡铟粉末,得到一种新的抗氧化银浆,并采用丝网印刷技术制备银厚膜.探讨了厚膜在自然时效氧化和硫化氢气氛中硫化氧化的过程及机理,采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)对银厚膜表面的微观形貌和元素成分进行分析.结果表明,含金属锡铟的银厚膜比纯银厚膜具有更好的抗氧化性.热力学分析表明,添加的金属锡铟与氧气、硫化氢反应的Gibbs自由能比纯银的小,更易在厚膜的晶界/孔洞缺陷处发生氧化反应,延缓银的氧化,从而提高银厚膜抗氧化能力. 相似文献
74.
以蓝宝石(Al2O3)为衬底,采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术生长InGaN/GaN多量子阱结构.本文通过调整外延生长过程中三甲基铟(TMIn)流量,研究了TMIn流量对InGaN/GaN多量子阱结构的合金组分、晶体质量和光学性质的影响.本文采用高分辨X射线衍射(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)测试表征其结构和光学性质.HRXRD测试结果表明,随TMIn流量增加,"0"级峰与GaN峰之间角偏离增大,更多的In并入薄膜中.HRXRD与AFM表征结果表明:增大TMIn流量会导致外延薄膜中的位错密度增大,V形坑数量增加,晶体质量严重恶化;PL测试结果表明,随着TMIn流量增加,发光强度逐渐降低,半高宽增大,这是由于晶体质量恶化所导致.因此严格控制铟源流量对于改善量子阱薄膜的晶体质量与光学性质有着至关重要的作用. 相似文献
75.
三代微光像增强器GaAs负电子亲合势(NEA)光电阴极稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对三代管GaAs阴极灵敏度下降问题,开展工艺过程质量研究,分析影响因素并经工艺改进解决阴极不稳定问题 相似文献
76.
3,5—二溴—4—氨基苯基荧光酮荧光熄灭法测定纯铅中微量铟的研究 总被引:7,自引:3,他引:4
详细研究了在阳离子表面活性CTMAB存在下,3,5-二溴-4-氨基苯基荧光酮(DBAPF)与铟形成络合物荧光熄灭法测定微量铟的实验条件。在pH6.2的HAc-NaAc缓冲溶液中,当激发波长λex=523nm,荧光发射波长λex=552nm时,铟含量在0 ̄300μg/L范围内与体系的荧光熄灭程度成线性关系;检测限为1.7×10^-5g/l,试验了十多种离子干扰情况,选择性较好;已用于分析纯铅中微量铟 相似文献
77.
本文讨论配位吸附准可逆波测定标准电极反应速率常数(kα)和转移系数(α)的理论与方法, 实验结果证实, 方法简便, 结果正确。 相似文献
78.
一、背 景 1991年6月10日美国加州大学伯克利分校材料科学系J.M.Baranowski等人发表文章,题为“Evidence for Superconductivity inLow-Temperature-Grown GaAs”.[1]此文详细报道了他们用LT-GaAs(用分子束外延方法低温生长的GaAs样品)在电子自旋共振谱仪(EPR)上,采用磁场调制微波吸收的方法(FMMA),在温度T-10K时,观察到微波吸收的突变,这个行为清楚地表明:在这个温度下存在相变,这与高温超导体微波吸收特征相似.与此同时,又进行了迈斯纳效应的实验,从而证实了LT-GaAs中存在超导相. 关于超导相的起源,作者认为是由于LT-GaAs样… 相似文献
79.
7-(1-苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸显色双波长吸光光度法测定硫化锌基颜料中微量铟的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了7-(1-苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸与铟的显色反应及分析应用,在曲拉通X-100存在下,于pH4.5的NaOAc-HOAc缓冲介质中,铟与显色剂形成组成比为1:3的黄色配合物,最大吸收波长为440nm,表观摩尔吸光系数为3.86×10~4,同时在550nm呈现负峰,用双峰双波长法测定铟,ε=7.33×10~4,线性范围为0~0.6mg·L~(-1),方法用于硫化锌基颜料中铟的测定,结果满意. 相似文献
80.