InGaP光学微盘的显微荧光图像观测及分析

利用一套ＣＣＤ显微荧光图像观测和采集分析系统,分别在室 液氮温度下对半径为５μｍ发射波长０．６５μｍ的ＩｎＧａＰ半导体光学微盘的光图像进行了观测。     

三代微光像增强器GaAs负电子亲合势（NEA）光电阴极稳定性研究

针对三代管ＧａＡｓ阴极灵敏度下降问题,开展工艺过程质量研究,分析影响因素并经工艺改进解决阴极不稳定问题     

二(μ-2-(2-吡啶基)乙氧基)·四乙基合二铟(Ⅲ)的合成及晶体结构

本文报道通过1-(2-吡啶基)-2-丙醇与三乙基铟作用制备得到了一个新的配合物二(μ-2-(2-吡啶基)乙氧基)·四乙基合二铟(Ⅲ)(C₁₂H₂₀NOIn)₂。测定了化合物的晶体结构。化合物具有中心对称结构,属单斜晶系,空间群P2₁/n, 晶胞参数为：a=10.609(2)?, b=10.680(3)?, c=12.012(8)?, β=95.57(5)°, V=1354.5(10)?³, Z=2, F(000)=624, Dc=1.516 g/cm³, μ=1.722 mm^-1;铟以五配位形式存在,两个In-O的键长分别为2.129?和2.249?, ∠InOIn=106.66°, ∠OInO=73.34°。     

InCI分子C^1Ⅱ1态光谱研究

采用激光诱导荧光技术对ＩｎＣ１分子Ｃ＾１Ⅱ１→Ｘ＾１∑＾＋荧光光谱进行了分析和归属,在发射谱中探测到ｖ′＝１向下的跃迁,证明Ｃ态预离解只能发生在ｖ′＝１之上。并对Ｃ＾１Ⅱ１→Ｘ＾１∑＾＋的荧光衰变曲线进行了观测,得到ＩｎＣ１分子Ｃ＾１Ⅱ１（ｖ′＝１）态的无碰撞辐射寿命τ０≈１１ｎｓ及电子跃迁矩│Ｒｅ│＾２≈５．９５Ｄ＾２。     

一种可溶性氯铟酞菁化合物的光限幅性能研究

本工作通过无中心金属酞菁合成了可溶性金属酞菁化合物--四-α-(2-乙基丁氧基)氯铟酞菁,用纳秒脉冲激光在532 nm处检测了它在四氢呋喃溶液中的光限幅过程,发现该化合物具有非常明显的光限幅性能.在很低的入射光能量下,输出能量即开始偏离Beer定律,透过率随着入射光能量的增加迅速下降.这一效应归因于酞菁分子的反饱和吸收.通过纳秒激光闪光光解实验测定了上述化合物在四氢呋喃溶液中的瞬态吸收光谱及三线态寿命,实验结果表明在很宽的波长范围内分子具有较强的激发态吸收性能.     

InN量子点的液滴外延及物性表征

由于1. 55μm波段广泛应用于通信领域,为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响,并且实现自组装InN量子点在1. 55μm通信波段的发光,对InN量子点的液滴外延及物性进行了相关研究。首先利用射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术在GaN模板上,采用液滴外延方法在3种温度下生长了InN量子点结构。生长过程中靠反射高能电子衍射(RHEED)对样品进行原位监控。原子力显微镜(AFM)表征结果表明随着生长温度升高,量子点尺寸变大,密度减小。在生长温度350℃和400℃下,观测到了量子点;当温度高于450℃时,未观测到InN量子点。当生长温度为400℃时,量子点形貌最好,密度为6×10~8/cm~2,对400℃下生长的InN量子点进行了变温PL测试,成功得到InN量子点在1. 55μm波段附近的光致发光,并且随着测试温度的升高,量子点的发光峰位发生了先红移后蓝移最后又红移的S型曲线变化,这种量子点有望在未来应用于量子通信领域。     

厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×10¹⁰cm^-2和6.3×10¹⁰cm^-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×10¹⁸cm^-3和1.2×10¹⁸cm关键词： 氮化铟 位错 载流子起源 局域态     

In(Ⅲ)-5-Br-PADAP-OP分光光度法测定锌渣中微量铟

通过对In(Ⅲ)-5＿Br＿PADAP光度分析体系的研究,选择非离子型表面活性剂OP增加显色体系的稳定性。最大吸收波长λmax＝565nm,表观摩尔吸光系数ε＝7.54×104L·mol-1·cm-1,线性范围为0～0.48mg／L。采用甲苯-甲基异丁酮混合溶剂萃取,6mol／LHCl反萃取铟(Ⅲ),消除干扰离子的影响,在水相中测定In(Ⅲ),有效地提高了方法的选择性和准确度。本法应用于测定锌渣中微量铟,获得满意结果。     

多元络合物光度法测定冶炼残渣中痕量铟

本文研究了InI-4与碱性染料反应形成多元离子缔合物用于痕量铟的测定.探讨了酸度、温度及表面活性剂对形成多元配合物反应的影响,比较了单显色剂(乙基罗丹明B)与多显色剂(乙基罗丹明B-丁基罗丹明B)的测定结果,单显色剂测定竖罐炼锌焦结物和蒸馏电吸尘焦结物中铟含量的结果分别为2.49 μg/g(RSD为4.72%,n=4)和0.920 μg/g(RSD为4.94%,n=4);双显色剂体系测定竖罐炼锌焦结物和蒸馏电吸尘焦结物中铟含量的结果分别为2.50 μg/g(RSD为1.37%,n=4)和0.98 μg/g(RSD为1.73%,n=4).方法可用于冶炼残渣中铟的测定.     

光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响

通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线.选用325 nm的He-Cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性.结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖特基接触转变到欧姆接触;撤去紫外光后,电极与纳米线之间的接触可以恢复到未光照时的肖特基接触.讨论了肖特基接触与欧姆接触之间转变的物理机制.