InGaP光学微盘的显微荧光图像观测及分析

利用一套ＣＣＤ显微荧光图像观测和采集分析系统,分别在室 液氮温度下对半径为５μｍ发射波长０．６５μｍ的ＩｎＧａＰ半导体光学微盘的光图像进行了观测。     

可控偏振的量子点光发射

正瑞典研究人员已公布了一项计划,准备制造能发射线性偏振光的量子点。林雪平大学的Anders Lundskog及其同事通过在基部已加长的微型六角形氮化镓金字塔的顶部"种植"量子点,使氮化铟镓量子点所发射的光处于受控状态。他们发现,发射光的偏振方向与基部延长轴是一致的。通过调节氮化铟镓中的铟含量,原则上就可将由量子点发射的光从紫外线波长调到红外线波长。这种方法的好     

膦酸酯螯合纤维富集—AES测定微量镓和铟

研究了胺基膦酸酯螯合纤维对于微量Ｇａ＾３＋，Ｉｎ＾３＋的吸附性能，确定了定量吸附和解胶酸度，讨论了吸附机理和共存离子的干扰。低浓度离子的吸附及废水样的分析亦获得了满意的结果。     

赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In_0.80Ga_0.20As/In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应，以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性. 关键词：     

氮化铟p型掺杂的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法，对Mg，Zn，Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化，从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数，其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好. 计算了掺杂InN晶体的结合能，总体态密度、集居数，差分电荷密度，并对此做了细致的分析. 计算结果表明，相对于Zn和Cd，Mg_In在InN中的溶解度会更大，并能提供更多的空穴态，非常有利于InN的p型掺杂. 关键词： 氮化铟 p型掺杂 电子结构 第一性原理     

铟-5''''-硝基水杨基荧光酮络合物吸附波的研究

铟是人体所需的微量元素,但摄入量过多会使酶失活出现中毒症状.冶金、电子、硅酸盐等工业排放的废水中常含超标量的铟.本文在乙酸-乙酸钠中,铟与2,6,7-三羟基-9-(2'-羟基-5'-硝基)苯基荧光酮-3(简称5'-硝基水杨基荧光酮,5'-N-SAF)于-0.74 V(vs.SCE,下同)产生一络合物吸附波,用于废水中铟的测定,结果满意.本方法检出限低、线性范围宽.     

半导体氮化铟(InN)的电学性质

本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。