铟—4—（2—噻唑偶氮）—间苯二酚络合物电化学性质研究

在0.06mol·L~(-1)NH_4OAc底液中,铟与4-(2-噻唑偶氮)-间苯二酚(TAR)形成的络合物产生一灵敏还原吸附峰,可用于单扫描示波极谱法测定痕量铟。铟浓度在1×10~(-8)～1×10~(-6)mol·L~(-1)范围内与峰电流呈线性关系。加入少量十二烷基磺酸钠,灵敏度提高,检出下限为5×10~(-9)mol·L~(-1)。该法应用于测定矿石中痕量铟,结果令人满意,用多种电化学手段对络合物的电化学性质进行了研究。     

有机铟化合物的自组装现象

结合作者近两年来有机铟化合物自组装研究的一系列工作，综述了有机铟化合 物的自组装现象。有机铟化合物可以通过分子间的配位键和次级键连接而形成自组 装的二聚体或多聚体结构。其中一些有机铟化合物可以作为InN，InP，InAs的前体。     

铟(Ⅲ)与桑色素共存时电化学行为的研究和分析应用 Ⅱ.桑色素及其与铟(Ⅲ)共存时电极反应过程

桑色素(H_5L),铟(Ⅲ)在盐酸-氯化钾(pH2.2～2.6)溶液中,分别以 H_4L~-及In(H_2O)_4Cl(_2~+)形态存在,但未形成缔合物,在电极表面,H_4L~-吸附诱导 In(H_2O)_4Cl(_2~+)与之形成缔合物,使 In(Ⅲ)还原电流增敏,文中提出了桑色素及其与铟(Ⅲ)共存时(pH2.4)各自的电极反应机理,对阴离子表面活性剂的增敏作用也进行了探讨。     

2,9-二甲基-1,10-菲罗啉荧光光度法测定痕量铟

本文报道了以2,9-二甲基-1,10-菲罗啉(DMPH)荧光光度法测定痕量铟的新方法。实验表明,钢能很快与DMPH在pH4.0～8.7形成1:1的络合物。络合物的激发和发射波长分别为312nm,423nm。量子产率为0.35。检出限为1.0ng/g,铟量在0～1.0嵋/25mL呈线性关系。该法已成功应用于纯锡和纯铅中痕量铟的测定。     

Characteristics of High In-Content InGaN Alloys Grown by MOCVD

InN and In0.46 Ca0.54N films are grown on sapphire with a CaN buffer by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. Both high resolution x-ray diffraction and high resolution transmission electron microscopy results reveal that these films have a hexagonal structure of single crystal. The thin InN film has a high mobility of 4 75 cm^2V^-1s^-1 and that oflno.46 Gao.54N is 163 cm^2 V^-1s^-1. Room-temperat ure photoluminescence measurement of the InN film shows a peak at 0.72eV, confirming that a high quality InN film is fabricated for applications to full spectrum solar cells.     

手性双噁唑啉-铟(III)催化酮的不对称烯丙基化反应

利用手性双噁唑啉-铟(III)催化酮的不对称烯丙基化反应, 该催化体系能够顺利地促使酮和三正丁基烯丙基锡的加成反应. 可以中等产率得到产物, 产物的ee值为21-65%.     

Ⅲ~Ⅴ族纳米线材料为新一代芯片赋予光学特性

正IBM苏黎世研究实验室(IBM Research of Zurich)开发出一种尺寸极其微小的纳米线,具有一般标准材料所没有的光学特性,从而为开发出基于半导体纳米线的"新一代晶体管"电路研究而奠定基础。该研究实验室与挪威科技大学(Norwegian University of Science and Technology)合作的最新发现是一种在硅基底上产生机械应变砷化镓(GaAs)纳米     

In基二氧化碳氧化丙烷脱氢催化剂的研究

二氧化碳氧化丙烷脱氢增产丙烯是提高丙烷脱氢单程转化率与二氧化碳资源化利用的重要途经,探究高效的非贵金属环保型催化剂对工业界和科学界均有重要意义。采用不同合成方法制备了系列In基催化剂,通过X射线衍射、拉曼、H2-程序升温还原、扫描电镜观测了In活性位结构。关联活性数据得出,具有InO6结构的InOx团簇或In2O3颗粒在CO2氧化丙烷脱氢气氛中能够发生氧化还原循环,从而驱动CO2及丙烷分子的活化,而水热法合成样品中不含该InO6结构,因此不具备CO2活化能力。此外,十元环MFI型Silicalite-1沸石相比十二元环的Si-Beta沸石载体能够促进CO2的吸附,也提高了CO2对丙烷分子活化的促进作用。     

A 10Gb/s Directly-Modulated 1.3μm InAs/GaAs Quantum-Dot Laser

We demonstrate 10 Gb/s directly-modulated 1.3 μm InAs quantum-dot （QD） lasers grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy. The active region of the QD lasers consists of five-stacked InAs QD layers. Ridge-waveguide lasers with a ridge width of 4 μm and a cavity length of 600 μm are fabricated with standard lithography and wet etching techniques. It is found that the lasers emit at 1293 nm with a very low threshold current of 5 mA at room temperature. Furthermore, clear eye-opening patterns under 10 Gb/s modulation rate at temperatures of up to 50oC are achieved by the QD lasers. The results presented here have important implications for realizing low-cost, low-power-consumption, and high-speed light sources for next-generation communication systems.     

Thermodynamics of Solvent Extraction of Rare and Scattered Metal-Indium with Diethylhexylmonothiophosphoric Acid

IntroductionIndium has been widely used in electronic indus-try,butin nature itcoexists with other metals instead ofexisting as a single mine.Among all the methods avail-able,extraction is the most effective one for abstractingindium.However,it is challen…