A1/GaAs界面微结构的慢正电子束研究

基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式.测量不同膜厚、不同退火条件下A1/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现A1/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好.通过拟合,得出了界面S参数S₁及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论.     

类锂铝复合机制产生X光激光的等离子体状态

本文从速率方程出发,讨论了类锂铝复合等离子体的激发态结构,衰减常数,反转率和小信号增益等表征介质增益特性的物理量以及它们随电子温度,电子密度和光子逃逸几率的变化。找到了进行类锂铝离子通过复合机制产生X光激光设计应创造的等离子体状态目标区域。还讨论了这些物理量随原子序数变化的定标律。     

表面活性剂对空气-乙炔火焰原子吸收法测定铝的增感效应研究

研究了溴化十六烷基三甲基胺、氯化十六烷基吡啶等10种表面活性剂对测定铝时的增感效应。结果表明,在实验所选择的表面活性剂中,阳离子表面活性剂对铝有明显增感作用,阴离子表面活性剂对铝有抑制作用,而特殊表面活性剂对铝没有作用。以溴化十六烷基三甲基胺(CTMAB)为增感剂,研究了空气-乙炔火焰原子吸收法测定铝镍合金样品中铝的工作条件、CTMAB用量、溶液介质和浓度及共存离子干扰的影响。测定铝的线性范围为0.10～2.0g·L-1,方法的相对标准偏差为2.6%,标准加入回收率在97%～103%之间。     

长岗半太郎（Nagaoka，Hantaro，1865-1950）日本物理学家（Physicist，Japan）

长岗半太郎1887年毕业于东京大学，在获得博士学位后又去德国和奥匈帝国进一步深造。他对原子结构很有兴趣。当时，人们已知道原子中含有带负电的电子。汤姆孙设想原子是带正电的球体，电子散布在球体表面和内部。长岗半太郎不同意这一看法。他认为，在原子的中心有一个正电体，电子则像行星环绕太阳，或像土星的光环那样环绕行星运行。     

萨根（Sagan，Carl，1934-）美国天文学家（Actronomer，America）

萨根1960年获芝加哥大学博士学位。他主要的兴趣是行星的表面和大气。他创立了金星大气的温室模型，解释这颗行星上令人费解的高温。他也为火星表面的高度差和木星大气中的有机分子找到了证据。他是那些好读科学幻想小说的科学家之一。他试图从模拟原始地球条件的物质体系制造出化合物，经过氨基酸再到核酸的基本构件。1963年他成功地探测到三磷酸腺苷（ATP）的形成，那是生命组织的主要能库。     

基于耦合T型空腔的多重法诺共振现象

提出由T型空腔和挡板组成的两种金属-电介质-金属(MIM)波导结构,分别为:正T型空腔结构和倒T型空腔结构,并应用有限元法系统地研究了该结构的透射特性.对于正T型空腔结构,仿真结果出现了双重法诺共振现象,并且共振波长可以通过改变T型空腔长度和高度进行调节.该结构有助于设计成敏感度达到1 620nm/RIU、品质因数为5.4×10~4的纳米传感器.对于倒置T型空腔,在波导中产生了多重法诺共振现象,其敏感度可达1 560nm/RIU,品质因数为9.37×104.该结构有望在光学集成回路,特别是纳米传感器、光束分路器方面具有广泛应用.     

β—修正—ARS新光度法测定环境水铝

在ＰＨ８氨性溶液中，铝（Ａｌ＾３＋）与茜素红Ｓ（ＡＲＳ）反应，显色液由紫红色转桔黄色。本文研究β修正新光度测定痕量铝。该方法可将反应液中剩余ＡＲＳ干扰消除，β修正吸光度（Ａβ）与Ａｌ浓度在０～２５μｇ／２５ｍｌ范围内符合比耳定律，且分析灵敏度高，实验表明，ＲＳＤ≤２．９％，加标回收率９１．９～１０９％，铝最低检测浓度．０２４ｍｇＬ＾－１。方法适合于环境水中痕量铝测定。     

TX-100和CTAB交换动力学的核磁共振研究

运用核磁共振(NMR)方法分别测定了表面活性剂辛基苯聚氧乙烯醚(TX-100)和十六烷基三甲溴化铵(CTAB)在不同温度下的临界胶束浓度.阐述了应用1D NMR线型分析方法对表面活性剂快交换体系平均停留时间的定量测量.实验测量了TX-100和CTAB胶束溶液中表面活性剂分子在不同温度下的平均停留时间.结果显示,平均停留时间随温度的增加逐渐减小,说明TX-100和CTAB分子进出胶束的速率随温度的增加逐渐加快.利用阿伦尼乌斯公式拟合,获得了TX-100和CTAB的表观交换活化能,TX-100的表观交换活化能为17.6 k J/mol,CTAB的表观交换活化能为75.3 k J/mol.对TX-100和CTAB平均停留时间和表观交换活化能进行分析,得出平均停留时间和表观交换活化能与分子结构的关系:表观交换活化能反映的是疏水相互作用和静电斥力的大小;而平均停留时间不仅受活化能的影响,还与分子结构有关.     

利用发射光谱进行常压介质阻挡放电等离子体诊断及其在材料表面改性上的应用(英文)

使用介质阻挡放电光谱诊断装置,对常压介质阻挡放电在材料改性过程中的等离子体发射光谱进行测量,记录和比较了空气、氦气和氩气常压介质阻挡放电等离子体发射光谱,并运用氩元素谱线的相对强度来诊断电子温度等物理参量,以达到对材料表面改性过程的实时监控。工作的结果对常压介质阻挡放电及其在材料改性上的应用具有重要的意义