200A GeV硫核及其重碎片与铜核作用的电荷改变总截面的测量

测量了200A GeV的³²S及其碎片P,Si,Al,Mg,Na和Ne与Cu靶作用的电荷改变总截面.观察到次级碎片的电荷改变总截面比相同电荷的初级粒子的要高.导出的电磁散裂截面与弹丸电荷的平方成比例,与理论预言一致.     

钴（Ⅱ）—丁二酮单肟烟酰腙—亚硝酸盐体系的伏安行为及其应用

在氨性介质中(pH=9.0),钴(Ⅱ)-丁二酮单肟烟酰腙(DMNH)-亚硝酸盐体系可产生灵敏度很高的催化波。从体系的伏安行为可知,吸附于汞电极上的是混配的配盐NH_4[Co(Ⅱ)(DMNH)·(NO_2)_2],在-1.0 V(相对SCE)处,Co(Ⅱ)被还原至Co(0),DMNH被还原成自由基,由于NO_2~-的存在,自由基可参与再生反应而形成催化波。羟氨的存在可使产生催化波的最佳pH值移至8.2.用此体系进行了生物样品中钴的测定,其检出限为1×10~(-10)mol/L。     

[VS_4Cu_6(Py)_8I_3]的合成和晶体结构

在(NH4)3VS4/CuI/Py反应体系中合成了新化合物 [VS4Cu6(Py)8I3]并测定其晶体结构。该化合物(C40H40N8Cu6I3S4V)属正交晶系, 空间群为Fdd2, 晶胞参数为: a = 29.924(6), b = 13.475(3), c = 25.853(5) , V = 10425(4) ?, Dc = 2.006 g/cm3, Mr = 1573.92, Z = 8, (MoK) = 4.546 mm-1, F(000) = 6048。结构由直接法解出, 用全矩阵最小二乘法修正, 最终偏离因子R = 0.023, wR = 0.069。簇合物分子是由6个带端基配体的Cu沿着四面体单元VS4的6条SS边配位而成, 6个Cu排列成了1个八面体, V基本位于八面体的中心, 整个分子具有C2对称性。     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

α-卤代萘与叔己酮碳负离子在Co(Ⅱ)络合物催化下的自由基链式亲核取代反应产物的薄层色谱定量分析

研究了以Co(Ⅱ)络合物为催化剂,α-卤代萘与叔己酮碳负离子的自由基链式亲核取代反应(SRN1)产物α-萘基叔己酮的薄层色谱扫描定量分析方法;定量分析的线性范围为0～4.4μg,平均回收率99%～101%,异板间相对标准偏差为2.3%,同板相对标准偏差为1.6%.     

Co(NH3)6Cl3中钴含量的测定

在现有的一些无机化学实验教材中,配合物Co(NH_3)_6Cl_3中钴含量的测定采用碘量法,其实验结果常因“重蓝”现象而偏高,学生操作越慢或越细致,其结果越偏高,因而影响教学效果。经我们试验,在酸性介质中,用H_2O_2或盐酸羟胺做还原剂将Co(Ⅲ)还原为Co(Ⅱ),采用配位滴定法(返滴或直接滴定)可获得满意的结果。     

Crystal-Orientation Dependent Evolution of Edge Dislocations from a Void in Single Crystal Cu

The micro-void growth by dislocation emission under tensile loading is explored with focus on the influence of crystal orientations. Based on the elastic theory, a dislocation emission criterion is formulated. It is predicted that the preferential location of dislocation nucleation and its threshold stress are dependent on the crystal orientation. Large-scale molecular dynamics （MD） simulations are also performed for single crystal copper to illustrate the dislocation evolution pattern associated with a nano-void growth. The results are in line with those given by the theoretical prediction. As revealed by MD simulations, the characteristics of void growth at micro-scale depend greatly on the crystal-orientation.     

FeMnAl合金的低温电阻率反常

报道了三种剩余电阻率约为100μΩcm,Al 含量不同的 FeMnAl 合金30K 以下电阻率的负温度系数反常行为.参照样品磁阻,比热,M(?)ssbauer 谱的测量数据,经典的理论模型难于解释本文观察到的结果.所观察到的反常可能来源于在弱局域范畴内电子间库仑相互作用的效应.