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31.
32.
本文报道了在液氮温区以上铋系高 T_c 超导相变温穆斯堡尔谱的实验结果.穆斯堡尔无反冲因子随温度变化表明,在超导转变温度 T_c 以上,铋系高 T_c 相的 Cu-O 层中出现了明显的晶格软化现象,这种与晶格软化相联系的结构不稳定行为可认为是超导转变的前驱效应.在 Cu-O 层上发生的品格软化的特殊性质,对超导电性的影响不能忽略. 相似文献
33.
在火炮上利用金属铋(Bi)直接撞击单晶LiF窗口, 开展了金属Bi反向碰撞的冲击加载-卸载实验研究, 实验采用激光位移干涉测试系统, 获得了金属Bi在11—16 GPa压力范围内完整的卸载粒子速度剖面. 实验结果结合特征线方法计算表明, 金属Bi经冲击加载进入体心立方相, 并在11—16 GPa冲击压力作用下发生了卸载熔化, 界面粒子速度剖面的卸载拐点, 对应着金属Bi经冲击加载后发生的卸载熔化, 而这一结论同Cox的理论计算及一维流体力学程序计算结果基本一致. 本文报道的金属Bi卸载波剖面解读技术, 对于认识冲击加载下其他相似材料相变具有实用价值. 相似文献
34.
:5-氨基-2-巯基-1,3,4-噻二唑(AMT)能和青铜器表面铜离子作用生成一种配位型聚合物的保护膜[AMT –Cu (Ⅰ)]n,并将其中的氯离子置换出来,避免了青铜器的进一步腐蚀。为了深入了解AMT的缓蚀作用机理,本文采用密度泛函理论(DFT)和自然键轨道理论(NBO),在B3LYP/6-31+G(d, p)水平上对AMT中反应活性位点的确定及活性原子所带电荷和杂化形式作了分析,并利用Multiwfn波函数分析了反应前后前线轨道能的变化。结果表明,-SH基中的S原子能与Cu(Ⅱ)形成有效的共价键,而N6原子可与Cu(Ⅱ)离子形成配位键,促使聚合物膜[AMT-Cu(Ⅰ)]n的形成。并且从概念DFT的活性指数(主要为 , , , , )比较中发现,AMT-Cu(Ⅰ)-H较AMT的亲电性指数增加,有利于形成高聚物膜,而且反应前后AMT构型中的C、N、S却始终在同一平面,而C-S和C-N键键长和键角均有不同程度的变化。 相似文献
35.
入射角度对高反膜及干涉滤光片的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用周期性多层介质膜的特征矩阵方法,采用MATLAB模拟计算了当入射光波并非垂直入射膜系时,高反膜反射率和法布里-珀罗干涉滤光片透过率的变化。结果表明,随着入射角度的增加,多层介质膜的工作波长向短波方向移动。并利用光程差的原理对这一现象进行了分析。 相似文献
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37.
将经硫辛酸修饰的铕纳米颗粒和蛋白质固定在石英玻璃表面或胶原蛋白隔离的石英玻璃表面,研究蛋白质对纳米铕岛膜荧光的增强作用.研究结果发现,在275nm激发波长下,铕纳米岛膜的荧光光谱与铕纳米颗粒溶液的荧光性质相似,且微量蛋白质的加入可以使铕纳米岛膜的荧光强度增强,但被石英玻璃片吸附后,铕纳米岛膜以及铕-蛋白质体系的荧光发射峰的位置由378.8nm红移至420nm,且胶原蛋白隔离铕纳米岛膜和滴加微量BSA蛋白质的荧光光谱相似,但荧光强度没有发生明显变化. 相似文献
38.
为了满足“神光-Ⅲ”原型装置能源系统的需要,桂林金属膜电容器厂研制成功一种高比能脉冲电容器,其尺寸为295 mm×138 mm×730(830) mm,额定电压25 kV,额定电容及偏差为55 μF,0~5 %,损耗角正切值(2.5 kV,50 Hz)小于 0.1%,比能达0.56 J/cm3 。对该型电容器进行性能测试,所得电容偏差都在2%~5%范围,损失角正切值小于0.05%;极间耐压试验全部通过,极-地耐压试验全部通过。寿命试验中,放电电流5 kA,1×104次充放电后,电容量下降1.8%。该型电容器目前已投入运行,工作情况良好。 相似文献
39.
在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学 气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横 截面上制备出浮雕型一维纳米级模板. 多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米量级对子 层厚度进行控制,得到了侧壁在纳米尺度上平滑的模板. 通过控制多层膜子层的生长时间, 制备出线条宽度和槽状宽度均为20nm的等间距模板,品质优于电子束刻蚀技术制备的模板.
关键词:
纳米印章模板
多层膜生长技术 相似文献
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