重新初始化的LS方法跟踪二维可压缩多介质流界面运动

 用非耦合求解方法计算Level Set函数方程与流体力学方程组，应用重新初始化的Level Set函数确保距离函数性质，流体力学方程组采用二阶精度多介质流波传播差分格式计算，重新初始化方程采用五阶WENO格式计算。并给出了二维可压缩多介质流界面运动的计算结果。     

多壁碳纳米管膜湿敏特性的研究

研究了多壁碳纳米管(MWNTs)薄膜的湿敏特性，实验所用的多壁碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.分别对未修饰和修饰的多壁碳纳米管膜温度和湿度特性进行研究后发现，修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度非常敏感，且对湿度的响应时间和恢复时间短，重复性好.而未修饰的多壁碳纳米管对温度和湿度不太敏感.对修饰多壁碳纳米管的湿敏特性进行了理论分析，给出了其理论表示式. 关键词： 多壁碳纳米管 化学修饰 湿敏特性 物理吸附     

激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO2多层膜

在等离子体增强化学气相淀积系统中，采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上，使用KrF准分子脉冲激光为辐照源，对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照，使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明，经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成，晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光（PL）特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响. 关键词： 脉冲激光 多层膜 限制结晶     

耦合非线性Schrdinger系统的多辛差分格式

近年来,Bridges等人在Hamiltonian力学意义下,直接把有限维Hamiltonian系统推广到无穷维,通过引入新的函数坐标,使得偏微分方程在时间和空间的各个方向上都有各自不同的有限维辛结构,这样原偏微分方程就由各个有限维辛结构以及右端的梯度函数决定,称这样的方程为多辛Hamiltonian系统.多辛Hamiltonian系统满足多辛守恒定律,满足多辛Hamiltonian系统的多辛守恒律的离散算法称为多辛算法.以耦合非线性Schr dinger方程为例,研究无穷维Hamiltonian系统的多辛算法,验证了两孤立子碰撞后会发生相互通过、反射及融合现象.     

多小波子空间上的单小波表示

本文在较弱的条件下,建立了2重多小波子空间与单小波子空间的关系.即由2重多小波构造出单小波.一方面,这种单小波的平移伸缩与2重多小波的平移伸缩生成的子空间是完全相同的;另一方面,它具有插值性.因此通过构造出的单小波建立了多小波子空间上的Shannon型采样定理.     

高应变率下U-Nb合金的断裂组织特征

利用内部爆炸加载方法对U-Nb合金进行爆破试验，对爆破试验产生的破片进行回收，并对U-Nb合金破片进行一些微观检测分析，从而初步研究在爆炸加载下U-Nb合金的微观断裂机制。     

大容量贮氘氚铀床的研制

为了满足重水提氚中大量氘氚气体的安全贮存与转运，设计并加工了大容量氘氚铀床并对其进行了贮氘氚性能的测试。     

Boundedness of Multilinear Operators on Herz Type Spaces： Extreme Cases

In this paper, two classes of closely related multilinear singular and fractional integrals,which include the commutators as special cases, are studied and their boundedness on Herz type spaces is discussed. In fact, it is proved that these operators are actually not bounded in certain extreme cases.     

SiC多型体X射线定量分析的Rietveld方法

鉴于ＳｉＣ多型体的主要衍射线完全重叠，用常规Ｘ射线粉末衍射方法确定ＳｉＣ陶瓷材料中多型体含量的分布是非常困难的，提出以Ｘ射线粉末衍射全谱拟合的Ｒｉｅｔｖｌｄ方法进行ＳｉＣ多型体定量分析，阐述了原理及方法，对含３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ和１５Ｒ４种多型体衍射数据的定量分析结果表明，Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法可对ＳｉＣ材料中常见多型体的定量分析给出准确的结果，还给出了各自的标准偏差，并估计了该方法对各多型体能给出精确     

Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱的共振喇曼光谱

本文报道了在Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱(MQWs)中,用不同的Ar+激光线激发,观察到了共振增强的喇曼散射。首次在室温和77K的条件下,用Ar+的457.9nm谱线激发,观察到分别来自ZnSe垒层和Zn0.76Cd0.24Se阱层的限制纵光学声子模(LO)的喇曼散射,并对上述不同的光学模的起因进行了分析。